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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
TZMA56-GS08	0.1497	RFQ	5769	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMA5v6		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500				1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						5.6 v	40オーム
GLL4760-E3/96	0.3053	RFQ	8083	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4760		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						5 µA @ 51.7 v						68 v	150オーム
VLZ39-GS18	-	RFQ	1808	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ39		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA								39 v	85オーム
S5D-M3/9AT	0.1549	RFQ	2187	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S5D	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		標準回復> 500ns	200 v	1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	5a	40pf @ 4V、1MHz
V10PWM153HM3/i	0.3675	RFQ	1313	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3		ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-V10PWM153HM3/ITR	ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns	150 v	840 mV @ 10 a		100 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	10a	650pf @ 4V、1MHz
bzx85b8v2-tap	0.3800	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B8V2		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1 µA @ 6.2 v						8.2 v	5オーム
BZW03D150-TAP	-	RFQ	8245	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500				1.2 V @ 1 a		2 µA @ 110 v						150 v	330オーム
SMBZ5932B-E3/52	0.4600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5932		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750				1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 15.2 v						20 v	14オーム
GBPC104L-6740E4/51	-	RFQ	4569	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-	-	-	GBPC104	-		-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		廃止	0000.00.0000	1										-
MMSZ4685-HE3-18	0.0378	RFQ	5227	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4685		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						7.5 µA @ 2 V						3.6 v
MMBZ5236B-HE3-18	-	RFQ	1218	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5236		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						3 µA @ 6 V						7.5 v	6オーム
VS-ETH1506-1HM3	1.9455	RFQ	4591	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	ETH1506	標準		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSETH15061HM3	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	600 V	2.45 V @ 15 a	42 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
US1GHM3_a/i	0.1193	RFQ	8568	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1g	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-US1GHM3_A/ITR	ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns	400 V	1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
B380C800G-E4/51	0.6100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	穴を通して	4 円、 wog	B380	標準		wog	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000				1 V @ 900 Ma		10 µA @ 600 V		900 Ma		単相	600 V
VS-30ets12S2L-M3	1.6380	RFQ	7617	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	30ets12	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない				800		標準回復> 500ns	1200 v	1.2 V @ 30 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	30a	-
DZ23C7V5-G3-18	0.0483	RFQ	1904年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード					100 Na @ 5 V						7.5 v	7オーム
BZX84B51-E3-08	0.2400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B51		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						50 Na @ 35.7 v						51 v	180オーム
SB250-E3/54	0.1104	RFQ	6491	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SB250	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns	50 v	680 mV @ 2 a		500 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	2a	-
ES3GHE3/9AT	-	RFQ	9473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns	400 V	1.1 V @ 3 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
MMSZ4683-HE3-08	0.0368	RFQ	4473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4683		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						800 Na @ 1 V						3 v
3N259-M4/51	-	RFQ	6269	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N259	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600				1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 1000 v		2 a		単相	1 kV
BZD27C13P-E3-08	0.5300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 mA		2 µA @ 10 V						13 v	10オーム
BZD17C20P-E3-08	0.1356	RFQ	1663	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000				1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15 V						20 v
MMBZ5252C-HE3-18	-	RFQ	9678	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5252		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						100 Na @ 18 V						24 v	33オーム
BZG05C33-HE3-TR	-	RFQ	7530	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000				1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 24 V						33 v	35オーム
MMBZ5231C-G3-08	-	RFQ	4386	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5231		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						5 µA @ 2 V						5.1 v	17オーム
BZG05C39-HM3-08	0.1172	RFQ	1942年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.13％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C39		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 30 V						39 v	50オーム
TLZ36B-GS18	0.0335	RFQ	8193	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ36		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 31.2 v						36 v	75オーム
BZW03C47-TAP	-	RFQ	6196	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500				1.2 V @ 1 a		2 µA @ 36 V						47 v	25オーム
BZX384C8V2-E3-18	0.2400	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C8V2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						700 na @ 5 v						8.2 v	15オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²