画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84C3V3-G3-08 | 0.0353 | ![]() | 8854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX85C3V0-TR | 0.3800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C3V0 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 µA @ 1 V | 3 v | 20オーム | |||||||||||||||
BZX84C7V5-HE3-18 | 0.0323 | ![]() | 8795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C7V5 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 5 V | 7.5 v | 15オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-88HFR40 | 9.0122 | ![]() | 7067 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 88HFR40 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS88HFR40 | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 267 a | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||||||||||
![]() | uh4pbc-m3/86a | - | ![]() | 8333 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | uh4 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 2a | 1.05 V @ 2 a | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | se30nj-m3/i | 0.4900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-vdfn | 標準 | DFN3820A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 3a | 19pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | KBP04M-E4/51 | - | ![]() | 4193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | KBP04 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1.5 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
AZ23B12-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 2277 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B12 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 na @ 9 v | 12 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-88-7316 | - | ![]() | 9431 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 88-7316 | - | 112-VS-88-7316 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZ11B-HG3-08 | 0.0523 | ![]() | 9084 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、GDZ-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ11 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 8 V | 11 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5261B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 1868年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5261B-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 36 V | 47 v | 105オーム | |||||||||||||||||
![]() | RGP02-15E-M3/73 | - | ![]() | 5729 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP02 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1500 v | 1.8 V @ 100 MA | 300 ns | 5 µA @ 1500 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||||||||||
UG8BT-E3/45 | - | ![]() | 4864 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | UG8B | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5236B-TR | 0.1900 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5236 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | ||||||||||||||
![]() | 2KBP01M-E4/72 | - | ![]() | 7998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp01 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 100 V | 2 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP02ML-6192E4/72 | - | ![]() | 2878 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp02 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 200 V | 2 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||
![]() | 2KBP04ML-6212E4/72 | - | ![]() | 7851 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp04 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 400 V | 2 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP04ML-6422E4/51 | - | ![]() | 8565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp04 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 400 V | 2 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP04ML-6422E4/72 | - | ![]() | 4188 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp04 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 400 V | 2 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP06ML-36E4/51 | - | ![]() | 6394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp06 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 600 v | 2 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP06ML-6145E4/72 | - | ![]() | 3294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp06 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 600 v | 2 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP06ML-6762E4/72 | - | ![]() | 4069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp06 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 600 v | 2 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP08M-23E4/51 | - | ![]() | 9662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp08 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 800 V | 2 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP08ML-6581E4/72 | - | ![]() | 1605 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp08 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 800 V | 2 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | 2KBP08ML-7001E4/72 | - | ![]() | 7689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp08 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 800 V | 2 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | 2kbp10m-e4/72 | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp10 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | 2KBP10ML-6767E4/51 | - | ![]() | 9980 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp10 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | 2KBP10ML-7001E4/51 | - | ![]() | 2671 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp10 | 標準 | KBPM | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | 3KBP005M-E4/72 | - | ![]() | 6705 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 3kbp005 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 3 a | 5 µA @ 50 V | 3 a | 単相 | 50 v | ||||||||||||||
![]() | 3KBP01M-E4/72 | - | ![]() | 5578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 3kbp01 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 3 a | 5 µA @ 100 V | 3 a | 単相 | 100 V |
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