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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZX84C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V3-G3-08 0.0353
RFQ
ECAD 8854 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX84-G テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C3V3 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 V 3.3 v 95オーム
BZX85C3V0-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C3V0-TR 0.3800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX85 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C3V0 1.3 w do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 100 µA @ 1 V 3 v 20オーム
BZX84C7V5-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C7V5-HE3-18 0.0323
RFQ
ECAD 8795 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX84 テープ&リール( tr) 前回購入します ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84C7V5 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1 µA @ 5 V 7.5 v 15オーム
VS-88HFR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HFR40 9.0122
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 88HFR40 標準、逆極性 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS88HFR40 ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 400 V 1.2 V @ 267 a -65°C〜180°C 85a -
UH4PBC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh4pbc-m3/86a -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-277、3-POWERDFN uh4 標準 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 2a 1.05 V @ 2 a 25 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜175°C
SE30NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se30nj-m3/i 0.4900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント、濡れ可能な側面 2-vdfn 標準 DFN3820A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 14,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜175°C 3a 19pf @ 4V、1MHz
KBP04M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP04M-E4/51 -
RFQ
ECAD 4193 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm KBP04 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 a 5 µA @ 400 V 1.5 a 単相 400 V
AZ23B12-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B12-E3-08 0.0509
RFQ
ECAD 2277 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 AZ23 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 AZ23B12 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 1ペア共通アノード 100 na @ 9 v 12 v 20オーム
VS-88-7316 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88-7316 -
RFQ
ECAD 9431 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します 88-7316 - 112-VS-88-7316 1
GDZ11B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ11B-HG3-08 0.0523
RFQ
ECAD 9084 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、GDZ-G テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 GDZ11 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 100 Na @ 8 V 11 v 30オーム
MMSZ5261B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5261B-HE3_A-08 0.0549
RFQ
ECAD 1868年年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 112-MMSZ5261B-HE3_A-08TR ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 36 V 47 v 105オーム
RGP02-15E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-M3/73 -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP02 標準 do-204al(do-41) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1500 v 1.8 V @ 100 MA 300 ns 5 µA @ 1500 V -65°C〜175°C 500mA -
UG8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8BT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4864 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 UG8B 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 8 a 30 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
1N5236B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5236B-TR 0.1900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5236 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 mA 3 µA @ 6 V 7.5 v 6オーム
2KBP01M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP01M-E4/72 -
RFQ
ECAD 7998 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp01 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 100 V 2 a 単相 100 V
2KBP02ML-6192E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP02ML-6192E4/72 -
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp02 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 200 V 2 a 単相 200 v
2KBP04ML-6212E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP04ML-6212E4/72 -
RFQ
ECAD 7851 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp04 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 400 V 2 a 単相 400 V
2KBP04ML-6422E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP04ML-6422E4/51 -
RFQ
ECAD 8565 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp04 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 400 V 2 a 単相 400 V
2KBP04ML-6422E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP04ML-6422E4/72 -
RFQ
ECAD 4188 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp04 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 400 V 2 a 単相 400 V
2KBP06ML-36E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-36E4/51 -
RFQ
ECAD 6394 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp06 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 600 v 2 a 単相 600 V
2KBP06ML-6145E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6145E4/72 -
RFQ
ECAD 3294 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp06 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 600 v 2 a 単相 600 V
2KBP06ML-6762E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP06ML-6762E4/72 -
RFQ
ECAD 4069 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp06 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 600 v 2 a 単相 600 V
2KBP08M-23E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08M-23E4/51 -
RFQ
ECAD 9662 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp08 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 800 V 2 a 単相 800 V
2KBP08ML-6581E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08ML-6581E4/72 -
RFQ
ECAD 1605 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp08 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 800 V 2 a 単相 800 V
2KBP08ML-7001E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP08ML-7001E4/72 -
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp08 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 800 V 2 a 単相 800 V
2KBP10M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2kbp10m-e4/72 -
RFQ
ECAD 3342 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp10 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 1000 v 2 a 単相 1 kV
2KBP10ML-6767E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP10ML-6767E4/51 -
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp10 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 1000 v 2 a 単相 1 kV
2KBP10ML-7001E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP10ML-7001E4/51 -
RFQ
ECAD 2671 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 2kbp10 標準 KBPM - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 1000 v 2 a 単相 1 kV
3KBP005M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP005M-E4/72 -
RFQ
ECAD 6705 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 3kbp005 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µA @ 50 V 3 a 単相 50 v
3KBP01M-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP01M-E4/72 -
RFQ
ECAD 5578 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 3kbp01 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µA @ 100 V 3 a 単相 100 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫