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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
RGF1B-E3/67A	0.5400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214BA	RGF1	標準		do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V、1MHz
vssaf510-m3/h	0.3900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF510	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		100 V		750 mv @ 5 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	5a	440pf @ 4V、1MHz
GP10B-E3/54	0.1780	RFQ	9183	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
19tq015	-	RFQ	4068	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	19tq015	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		15 V		360 mV @ 19 a		1.5 mA @ 15 v	-55°C〜125°C	19a	-
VS-88-4265	-	RFQ	3048	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					88-4265				-				112-VS-88-4265			1
8etl06fp	-	RFQ	5981	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック	8etl06	標準		TO-220-2フルパック	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*8etl06fp	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		600 V		1.05 V @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	8a	-
TLZ15B-GS18	0.0335	RFQ	1963年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ15		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 13.2 v				15 V	16オーム
BZG05B12-E3-TR3	-	RFQ	9383	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 9.1 v				12 v	9オーム
VT3080S-E3/4W	1.3600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	VT3080	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		80 v		950 mV @ 30 a		1 MA @ 80 V	-55°C〜150°C	30a	-
AZ23B10-HE3_A-18	-	RFQ	8055	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B10-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							200 Na @ 7 V				10 v	20オーム
nsb8athe3_b/p	0.6930	RFQ	6470	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	NSB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
UG5JT-E3/45	-	RFQ	5871	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	UG5	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		600 V		1.75 V @ 5 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	5a	-
VS-71HFR40	9.2057	RFQ	6867	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	71HFR40	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		400 V		1.35 V @ 220 a		15 mA @ 400 v	-65°C〜150°C	70a	-
VS-EPU3006LHN3	1.6695	RFQ	4143	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	EPU3006	標準		TO-247AD	ダウンロード		適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns		600 V		2 V @ 30 a	45 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	30a	-
VS-MBRD320TRL-M3	0.2764	RFQ	1690	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD320	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD320TRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		20 v		600 mV @ 3 a		200 µA @ 20 V	-40°C〜150°C	3a	189pf @ 5V、1MHz
VS-MBR1545CTPBF	-	RFQ	3871	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	MBR15	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	840 mV @ 15 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
MMBZ5237B-HE3-18	-	RFQ	3205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5237		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 6.5 v				8.2 v	6オーム
UGB12HTHE3/81	-	RFQ	6159	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB12	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		500 V		1.75 V @ 12 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	12a	-
S3D-M3/9AT	0.1549	RFQ	2500	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3D	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		標準回復> 500ns		200 v		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
SMAZ5941B-M3/61	0.1007	RFQ	1351	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAZ5941		500 MW	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 35.8 v				47 v	67オーム
AZ23B6V8-HE3-08	0.0534	RFQ	8101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B6V8		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 3 V				6.8 v	8オーム
VS-VSKC56/08	36.6940	RFQ	5047	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	VSKC56	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKC5608	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	800 V	30a			10 mA @ 800 v	-40°C〜150°C
vs-eph3006hn3	1.8492	RFQ	7945	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	EPH3006	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vSEPH3006hn3	ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		600 V		2.65 V @ 30 a	26 ns	30 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	30a	-
1N5625-TR	1.0100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	1N5625	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500		標準回復> 500ns		400 V		1 V @ 3 a	3 µs	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
BZT03C18-TR	0.7200	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.39％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C18		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 13 V				18 v	15オーム
BZD17C33P-E3-08	0.1492	RFQ	4683	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C33		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 24 V				33 v
TZM5222B-GS18	0.0411	RFQ	6651	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5222		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				2.5 v	30オーム
VS-VSKE71/14	36.5930	RFQ	7691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	vske71	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKE7114	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns		1400 v				10 mA @ 1400 v	-40°C〜150°C	80a	-
V8p15-m3/i	0.2475	RFQ	2358	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8P15	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		150 v		1.08 V @ 8 a		150 µA @ 150 V	-40°C〜150°C	8a	-
ESH3B-E3/9AT	0.3208	RFQ	5490	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ESH3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		100 V		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²