画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TZM5236C-GS08 | - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5236 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6オーム | |||||||||||
![]() | VS-VSKCS409/150 | 88.8400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKCS409 | ショットキー | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 150 v | 200a | 1.03 V @ 200 a | 6 MA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | SS5P4-E3/87A | - | ![]() | 2689 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS5P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 520 mV @ 5 a | 250 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | VS-41HFR40M | 18.1140 | ![]() | 9221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 41HFR40 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS41HFR40M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 125 a | -65°C〜190°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | SMPZ3921B-M3/84A | 0.1045 | ![]() | 8458 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-220AA | SMPZ3921 | 500 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 200 µA @ 5.2 v | 6.8 v | 2.5オーム | |||||||||||
![]() | BZM55C4V3-TR | 0.2800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55C4V3 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 1 V | 4.3 v | 600オーム | |||||||||||
![]() | SML4757AHE3/61 | - | ![]() | 1002 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4757 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 38.8 v | 51 v | 95オーム | ||||||||||||
![]() | AR4PM-M3/86A | 0.4373 | ![]() | 1683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AR4 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.9 V @ 4 a | 120 ns | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜175°C | 1.8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||
MMBZ5254C-G3-18 | - | ![]() | 4441 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5254 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5228B-TAP | 0.2300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5228 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム | |||||||||||
![]() | AR1PKHM3/84A | 0.1980 | ![]() | 3109 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AR1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.6 V @ 1 a | 120 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | plz6v2c-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.55% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AC | plz6v2 | 960 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 3 V | 6.28 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | VS-12TQ040SHM3 | 0.9342 | ![]() | 1504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 12TQ040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 560 mV @ 15 a | 1.75 MA @ 40 V | -55°C〜150°C | 15a | 900pf @ 5V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-E4PU6006L-N3 | 2.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | E4PU6006 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 60 a | 74 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||
![]() | SMZJ3807BHE3_A/i | - | ![]() | 5706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3807 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 86オーム | ||||||||||||
![]() | TZMC6V2-GS18 | 0.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC6v2 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 2 V | 6.2 v | 10オーム | |||||||||||
MMBZ4686-HE3-18 | - | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4686 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | ||||||||||||||
![]() | ZMM5233B-7 | - | ![]() | 4722 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | ZMM52 | 500 MW | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||
![]() | MMSZ4687-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4687 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | |||||||||||||
![]() | SMZJ3795BHE3_A/i | 0.1597 | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3795 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 13.7 v | 18 v | 12オーム | ||||||||||||
![]() | SS2FH6-M3/h | 0.0870 | ![]() | 5736 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS2FH6 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 780 mV @ 2 a | 3 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 2a | 90pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ4691-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4691 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | |||||||||||||
![]() | RS3B-M3/9AT | 0.1850 | ![]() | 3727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | RS3B | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 2.5 a | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 44pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | TZM5229F-GS08 | - | ![]() | 4449 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5229 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 2000年 | ||||||||||||
![]() | v10pm15-m3/i | 0.2904 | ![]() | 8595 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10pm15 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.08 V @ 10 a | 200 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | 10a | 680pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | byg10k-e3/tr | 0.1068 | ![]() | 2284 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg10 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | smzj3796bhe3_a/h。 | 0.1597 | ![]() | 3694 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3796 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | ||||||||||||
![]() | VS-15EWL06FN-M3 | 1.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 15EWL06 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.05 V @ 15 a | 220 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
![]() | SMAZ5939B-M3/5A | 0.1063 | ![]() | 5341 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5939 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 29.7 v | 39 v | 45オーム | |||||||||||
![]() | BZW03C51-TR | - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 39 v | 51 v | 27オーム |
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