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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GP10B-M3/73	-	RFQ	4159	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
AZ23C43-G3-18	0.0483	RFQ	6834	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C43		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 32 v				43 v	100オーム
MPG06M-M3/54	0.1285	RFQ	2630	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	MPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	600 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
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SMAZ5931B-M3/61	0.1063	RFQ	2736	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAZ5931		500 MW	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 13.7 v				18 v	12オーム
VS-MBRB3030CTLTRRP	-	RFQ	2670	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB30	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmbrb3030ctltrrp	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	470 mV @ 15 a		2 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
BYM11-100-E3/97	0.1284	RFQ	4587	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
EGP50GL-005E3/72	-	RFQ	2335	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆ボックス（ TB）	廃止					EGP50				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000
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PTV13B-E3/84A	-	RFQ	4365	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV13		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 10 V				14.2 v	10オーム
MMSZ5244C-G3-18	0.0483	RFQ	4981	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5244		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 10 V				14 v	15オーム
fep16jthe3/45	-	RFQ	2536	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	FEP16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	16a	1.5 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
BZD27B120P-E3-18	0.1155	RFQ	4437	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B120		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 91 v				120 v	250オーム
MBRB15H50CT-E3/81	-	RFQ	3614	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB15	ショットキー		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	7.5a	730 mv @ 7.5 a		50 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
GP10B-E3/73	-	RFQ	9833	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
by253p-e3/54	0.4700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	by253	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
V80170PW-M3/4W	-	RFQ	3179	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	バルク	廃止			穴を通して	to-3p-3フルパック	V80170	ショットキー		to-3pw	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	170 v	40a	910 mv @ 40 a		600 µA @ 170 v	-40°C〜175°C
SS10P2CLHM3/87A	-	RFQ	2702	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10P2	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	20 v	5a	520 mV @ 5 a		850 µA @ 20 V	-55°C〜150°C
V10DM100CHM3/i	1.1400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V10DM100	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	790 mV @ 5 a		100 µA @ 100 V	-40°C〜175°C
SS8P3CHM3/87A	-	RFQ	7445	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	4a	580 mV @ 4 a		300 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
MMBZ5254B-E3-08	-	RFQ	5875	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5254		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 21 V				27 v	41オーム
SS10P3CHM3/86A	-	RFQ	4681	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	5a	530 mV @ 5 a		550 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
GI2402-E3/45	0.8186	RFQ	9063	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	GI2402	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	16a	975 mV @ 8 a	35 ns	50 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
US1KHE3/61T	-	RFQ	2150	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		800 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
BZW03D82-TAP	-	RFQ	5768	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.2 V @ 1 a		2 µA @ 59 v				82 v	65オーム
VS-301URA180	-	RFQ	1124	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	301ura180	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs301ura180	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		1800 v		1.46 V @ 942 a			-40°C〜180°C	330A	-
EGP20FHE3/54	-	RFQ	9699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	EGP20	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V、1MHz
1N4937E-E3/54	0.1079	RFQ	3105	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4937	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns		600 V		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 v	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
MMSZ4703-HE3_A-08	0.0533	RFQ	7696	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4703-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 12.1 v				16 v
VS-20CTQ150STRL-M3	1.5800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20CTQ150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	880 mV @ 10 a		25 µA @ 150 v	-55°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²