RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SMZG3801B-M3/5B	0.2485	RFQ	8196	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMZG3801		1.5 w	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 25.1 v				33 v	33オーム
V12p15-m3/h	0.7700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V12P15	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		150 v		1.08 V @ 12 a		250 µA @ 150 V	-40°C〜150°C	12a	-
BZX84B3V3-G3-08	0.0389	RFQ	1583	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B3V3		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 1 V				3.3 v	95オーム
BZD27C43P-HE3-08	0.1536	RFQ	6840	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C43		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 33 v				43 v	45オーム
BAW56-HE3-08	0.2300	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAW56	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	70 v	250ma	1.25 V @ 150 MA	6 ns	2.5 MA @ 70 v	150°C （最大）
VS-VSKDS209/150	46.9170	RFQ	5793	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	VSKDS209	ショットキー		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKDS209150	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	100a	1.01 V @ 100 a		6 MA @ 150 v	-55°C〜175°C
BZG03C18-M3-08	0.5000	RFQ	4748	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.39％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C18		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 13 V				18 v	15オーム
ES3AHE3_a/h	0.3138	RFQ	9389	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3A	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		50 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
VI30150C-M3/4W	0.8630	RFQ	5622	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VI30150	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	15a	1.36 V @ 15 a		200 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
VS-HFA08TA60CSR-M3	0.4648	RFQ	4733	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	HFA08	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	4a （DC）	2.2 V @ 8 a	42 ns	3 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
bav70-he3-08	0.2300	RFQ	44	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、BAV70	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	bav70	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	70 v	250ma dc）	1.25 V @ 150 MA	6 ns	2.5 µA @ 70 V	150°C （最大）
BZM55C22-TR3	0.0368	RFQ	8658	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C22		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 16 V				22 v	220オーム
byg21k-e3/tr	0.4100	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg21	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		800 V		1.6 V @ 1.5 a	120 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
MBRB16H45-E3/81	-	RFQ	4599	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB16	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		45 v		660 mV @ 16 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C	16a	-
gdz3v9b-e3-08	0.0360	RFQ	4098	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	gdz3v9		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 1 V				3.9 v	100オーム
AZ23B3V0-HE3-08	0.0534	RFQ	6845	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B3V0		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード											3 v	95オーム
BZT55C47-GS08	0.0283	RFQ	9070	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C47		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 36 V				47 v	110オーム
BZT03C82-TAP	0.2640	RFQ	3387	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±6.1％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C82		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 62 v				82 v	100オーム
US1K-M3/5AT	0.4100	RFQ	2083	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1K	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		800 V		1.7 V @ 1 a		10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	-
MMBZ4622-HE3-18	-	RFQ	5324	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4622		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 2 V				3.9 v	1650オーム
BZD27C20P-M3-18	0.1650	RFQ	4513	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 15 V				20 v	15オーム
BZX84B7V5-G3-18	0.0389	RFQ	5888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B7V5		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 5 V				7.5 v	15オーム
SS12P2LHM3_A/i	0.4534	RFQ	1902年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS12P2	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		20 v		560 mV @ 12 a		1 mA @ 20 v	-55°C〜150°C	12a	930pf @ 4V、1MHz
DZ23C16-HE3-18	0.0436	RFQ	5391	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード							100 na @ 12 v				16 v	40オーム
SB160-E3/73	0.4800	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SB160	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		60 V		650 mv @ 1 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	1a	-
AZ23C22-HE3_A-08	-	RFQ	4808	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C22-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							50 Na @ 15.4 v				22 v	55オーム
MMBZ4681-G3-08	-	RFQ	7590	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4681		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								2 µA @ 1 V				2.4 v
ESH2PD-M3/85A	0.1681	RFQ	9787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	ESH2	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		200 v		980 mV @ 2 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
TLZ20-GS08	0.0335	RFQ	1143	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ20		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA						20 v	28オーム
VS-85HFLR60S05	14.6345	RFQ	7532	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HFLR60	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		600 V		1.75 V @ 266.9 a	500 ns	100 µA @ 600 V	-40°C〜125°C	85a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²