画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | vs-8dkh02hm3/h | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | 8dkh02 | 標準 | フラットパック5x6(デュアル) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 200 v | 4a | 960 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | SS5P4-M3/87A | 0.6200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS5P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 520 mV @ 5 a | 250 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | 280pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | UG1A-M3/54 | 0.0997 | ![]() | 1734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | UG1 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | S3G-E3/9AT | 0.4800 | ![]() | 713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3G | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.15 V @ 2.5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-10MQ040NTRPBF | 0.6400 | ![]() | 169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 10MQ040 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 540 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 38pf @ 10V、1MHz | |||||||||||
![]() | MB30H45C-61HE3J/81 | - | ![]() | 2910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | MB30H45 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | ||||||||||||||||||||||
![]() | ES3B-M3/9AT | 0.2101 | ![]() | 6055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3B | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-SD1700C45K | 288.7500 | ![]() | 1544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | クランプオン | DO-200AC 、K-PUK | SD1700 | 標準 | DO-200AC 、K-PUK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 4500 v | 2.11 V @ 4000 a | 75 mA @ 4500 v | 1875a | - | ||||||||||||
![]() | VS-HFA30PA60C-N3 | 6.7300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | HFA30 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-HFA30PA60C-N3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 1.7 V @ 1.5 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | ug10ccthe3/45 | - | ![]() | 6919 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | UG10 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SS1H10-M3/5AT | 0.1061 | ![]() | 5765 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS1H10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 860 mV @ 2 a | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | BAS285-GS08 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-80バリアント | BAS285 | ショットキー | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 800 mV @ 100 Ma | 2.3 µA @ 25 V | 125°C (最大) | 200mA | 10pf @ 1V、1MHz | |||||||||||
![]() | RS07D-M-18 | 0.0922 | ![]() | 6764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | RS07 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.15 V @ 700 Ma | 150 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 500mA | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBR2060CT-E3/45 | - | ![]() | 2854 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 800 mV @ 10 a | 150 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SMZG3801B-M3/5B | 0.2485 | ![]() | 8196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMZG3801 | 1.5 w | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||||||
![]() | V12p15-m3/h | 0.7700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12P15 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.08 V @ 12 a | 250 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||
BZX84B3V3-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 1583 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||||
![]() | BZD27C43P-HE3-08 | 0.1536 | ![]() | 6840 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27c | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C43 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 33 v | 43 v | 45オーム | ||||||||||||
BAW56-HE3-08 | 0.2300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAW56 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通アノード | 70 v | 250ma | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 2.5 MA @ 70 v | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | VS-VSKDS209/150 | 46.9170 | ![]() | 5793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKDS209 | ショットキー | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKDS209150 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 100a | 1.01 V @ 100 a | 6 MA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | BZG03C18-M3-08 | 0.5000 | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.39% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C18 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 13 V | 18 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | ES3AHE3_a/h | 0.3138 | ![]() | 9389 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3A | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 50 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VI30150C-M3/4W | 0.8630 | ![]() | 5622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VI30150 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 15a | 1.36 V @ 15 a | 200 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-HFA08TA60CSR-M3 | 0.4648 | ![]() | 4733 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | HFA08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 4a (DC) | 2.2 V @ 8 a | 42 ns | 3 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
bav70-he3-08 | 0.2300 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、BAV70 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | bav70 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 70 v | 250ma dc) | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | BZM55C22-TR3 | 0.0368 | ![]() | 8658 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55C22 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 16 V | 22 v | 220オーム | ||||||||||||
![]() | byg21k-e3/tr | 0.4100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg21 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.6 V @ 1.5 a | 120 ns | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | MBRB16H45-E3/81 | - | ![]() | 4599 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB16 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 660 mV @ 16 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 16a | - | |||||||||||
![]() | gdz3v9b-e3-08 | 0.0360 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | gdz3v9 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 100オーム | |||||||||||||
AZ23B3V0-HE3-08 | 0.0534 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B3V0 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 3 v | 95オーム |
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