画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 12CTQ045S | - | ![]() | 1885 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 12ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | VLZ30B-GS18 | - | ![]() | 3537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ30 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 26.3 v | 28.42 v | 55オーム | |||||||||||
![]() | VS-1N2130ra | - | ![]() | 9512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N2130 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 150 v | 1.3 V @ 188 a | 10 mA @ 150 v | -65°C〜200°C | 60a | - | ||||||||||
![]() | GP10JHE3/73 | - | ![]() | 6059 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||
MMBZ5244BB-HE3-08 | - | ![]() | 7361 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5244 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 10 V | 14 v | 15オーム | |||||||||||||
![]() | BZT55C33-GS18 | 0.0283 | ![]() | 7380 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55C33 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 24 V | 33 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | GP10T-E3/54 | 0.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 1300 v | 1.3 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1300 v | -65°C〜150°C | 1a | 5PF @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | bym13-50he3/96 | - | ![]() | 8684 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | bym13 | ショットキー | gl41(do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym13-50he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZT52B9V1-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 5192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B9V1 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 4.8オーム | ||||||||||||
![]() | GP10DE-M3/73 | - | ![]() | 1149 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-MBR3035WTPBF | - | ![]() | 3573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | MBR30 | ショットキー | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 760 mV @ 30 a | 1 MA @ 35 v | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | ZMY39-GS08 | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZMY39 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 500 NA @ 29 v | 39 v | 60オーム | ||||||||||||
![]() | FGP50B-E3/73 | - | ![]() | 8113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | FGP50 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 5a | 100pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | GP10-4002EHE3/73 | - | ![]() | 1236 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | - | 1a | - | ||||||||||||
![]() | BZG03C200TR3 | - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03C | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 150 V | 200 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | SL44-M3/9AT | 0.7900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SL44 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 440 mV @ 4 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 4a | - | ||||||||||
![]() | IRKD91/12a | - | ![]() | 7015 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | IRKD91 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1200 v | 100a | 10 mA @ 1200 v | ||||||||||||
![]() | TLZ3V6-GS08 | 0.0335 | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ3v6 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 3.6 v | 60オーム | ||||||||||||
![]() | AR4PJHM3/86A | - | ![]() | 2668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AR4 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 2a | 77pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-32CTQ025-1HM3 | 1.2553 | ![]() | 4532 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 32CTQ025 | ショットキー | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 25 v | 15a | 490 mV @ 15 a | 1.75 MA @ 25 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-80-7848 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-7848 | - | 112-VS-80-7848 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | P600K-E3/54 | 0.9200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P600 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 800 V | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRB25H50CT-E3/81 | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 15a | 640 mV @ 15 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | TZMC75-GS18 | 0.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC75 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 250オーム | |||||||||||
![]() | MURS140-M3/5BT | 0.1280 | ![]() | 4435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS140 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||
![]() | 1N4148W-G3-18 | 0.2800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 1N4148 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 150ma | - | |||||||||
![]() | s4pbhm3_b/h | - | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | S4PB | 標準 | TO-277A | ダウンロード | 112-S4PBHM3_B/HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 30pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZG03C10-HM3-18 | 0.5200 | ![]() | 9052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C10 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 10 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | |||||||||||
![]() | VS-ETU3006STRLHM3 | 2.7538 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ETU3006 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsetu3006strlhm3 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 30 a | 45 ns | 30 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 30a | - | ||||||||
![]() | MBRB25H50CTHE3/45 | - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 15a | 640 mV @ 15 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C |
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