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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
RGL34BHE3/98	-	RFQ	1383	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	RGL34	標準		do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	rgl34bhe3_a/h	ear99	8541.10.0070	2,500	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 500 Ma	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	500mA	4PF @ 4V、1MHz
BZT52A15-HE3-08	-	RFQ	8626	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆リール（ tr）	前回購入します					BZT52				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
BZG04-18-M3-18	0.1980	RFQ	2595	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 18 V				22 v
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MMBZ5255C-G3-18	-	RFQ	7090	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5255		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 21 V				28 v	44オーム
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1N5060GPHE3/73	-	RFQ	3010	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5060	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns		400 V		1.2 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZX384B75-HE3-18	0.0378	RFQ	5032	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B75		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 52.5 v				75 v	255オーム
BZT52B22-HE3_A-18	0.0533	RFQ	3915	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52B22-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 17 V				22 v	55オーム
SB330/4	-	RFQ	1089	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	SB330	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	高速回復= <500ns		30 V		490 mV @ 3 a		500 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	-
v10pm45hm3/i	0.2970	RFQ	2166	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V10pm45	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		45 v		600 mV @ 10 a		300 µA @ 45 V	-40°C〜175°C	10a	1850pf @ 4V、1MHz
BZT03C6V2-TAP	0.7200	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	カットテープ（CT）	アクティブ	±6.45％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C6V2		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000					1.2 V @ 500 Ma		1.5 mA @ 4.7 v				6.2 v	2オーム
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sl44he3_a/h	-	RFQ	6821	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	do-214ab 、mc	SL44	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		40 v		500 mV @ 8 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜125°C	8a	-
BZD27B110P-M3-18	0.1155	RFQ	3119	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B110		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 82 v				110 v	250オーム
SF5408-TAP	1.2600	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	SF5408	標準		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	3a	-
VX80100PWHM3/p	2.9126	RFQ	3388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		ショットキー		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VX80100PWHM3/p	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	40a	800 mV @ 40 a		800 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
MBRB10100CT-M3/8W	0.7437	RFQ	6706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB10100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	90 v	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
SMZJ3791BHE3_B/i	0.1500	RFQ	2872	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3791		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3791BHE3_B/ITR	ear99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 9.1 v				12 v	7オーム
MBRB1045HE3/45	-	RFQ	4101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
VLZ30C-GS18	-	RFQ	2843	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ30		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 26.9 v				29.09 v	55オーム
UGB5JT-E3/45	-	RFQ	4926	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB5	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		1.75 V @ 5 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	5a	-
BZT52C4V7-HE3-18	0.0378	RFQ	8877	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C4V7		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000											4.7 v	78オーム
TZQ5260B-GS08	0.0303	RFQ	6054	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5260		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 33 V				43 v	93オーム
M3045S-E3/4W	-	RFQ	5319	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	M3045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		45 v		700 mV @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	30a	-
VS-88-6436	-	RFQ	9664	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					88-6436				-				112-VS-88-6436			1
S8PJ-M3/i	0.2175	RFQ	6536	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S8PJ	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-S8PJ-M3/ITR			6,000	高速回復= <500ns		600 V		1.1 V @ 8 a	5 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	2a	60pf @ 4V、1MHz
MMBZ4704-G3-08	-	RFQ	3112	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4704		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							50 Na @ 12.9 v				17 v
MMSZ4694-HE3-18	0.0378	RFQ	6753	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4694		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1 µA @ 6.2 v				8.2 v
vs-6ewh06fntrhm3	1.0025	RFQ	2170	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6EWH06	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs6ewh06fntrhm3	ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		600 V		2.1 V @ 6 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²