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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZW03D82-TAP	-	RFQ	5768	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.2 V @ 1 a		2 µA @ 59 v				82 v	65オーム
VS-301URA180	-	RFQ	1124	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	301ura180	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs301ura180	ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		1800 v		1.46 V @ 942 a			-40°C〜180°C	330A	-
EGP20FHE3/54	-	RFQ	9699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	EGP20	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V、1MHz
1N4937E-E3/54	0.1079	RFQ	3105	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4937	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns		600 V		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 v	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
MMSZ4703-HE3_A-08	0.0533	RFQ	7696	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4703-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 12.1 v				16 v
VS-20CTQ150STRL-M3	1.5800	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20CTQ150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	880 mV @ 10 a		25 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
GI917-E3/54	-	RFQ	3546	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	GI917	標準		DO-201AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		800 V		1.25 V @ 3 a	750 ns	10 µA @ 800 V	-50°C〜150°C	3a	-
VI20120S-M3/4W	0.6072	RFQ	8450	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VI20120	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		120 v		1.12 V @ 20 a		300 µA @ 120 V	-40°C〜150°C	20a	-
1N5240Cタップ	0.0288	RFQ	3609	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5240		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 8 V				10 v	17オーム
VIT2045CBP-M3/4W	1.0065	RFQ	2191	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VIT2045	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	580 mV @ 10 a		2 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
VS-301CNQ040PBF	50.4860	RFQ	5696	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB	301CNQ040	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS301CNQ040PBF	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	150a	900 mV @ 300 a		10 ma @ 40 v	175°C （最大）
SMAZ5924B-E3/5A	0.1218	RFQ	7050	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAZ5924		500 MW	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V				9.1 v	5オーム
VS-MT350BD16CCB	-	RFQ	2237	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ					VS-MT350				-	ROHS3準拠			112-VS-MT350BD16CCB			1
VS-1N1202ra	-	RFQ	5644	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N1202	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		200 v		1.35 V @ 12 a		2ma @ 200 v	-65°C〜200°C	12a	-
1N4004GPEHE3/73	-	RFQ	3721	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4004	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	IN4004GPEHE3/73	ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
MMBZ5232B-HE3-08	-	RFQ	9426	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5232		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 3 V				5.6 v	11オーム
v20pwl63c-m3/i	0.4133	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3		ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-V20PWL63C-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	610 mv @ 10 a		180 µA @ 60 V	-40°C〜150°C
AZ23B3V6-HE3-18	0.0534	RFQ	3565	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B3V6		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード											3.6 v	95オーム
vs-8dkh02hm3/h	0.8500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	8dkh02	標準		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	2独立	200 v	4a	960 mV @ 4 a	25 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C
SS5P4-M3/87A	0.6200	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		40 v		520 mV @ 5 a		250 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	280pf @ 4V、1MHz
UG1A-M3/54	0.0997	RFQ	1734	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UG1	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
S3G-E3/9AT	0.4800	RFQ	713	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3G	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
VS-10MQ040NTRPBF	0.6400	RFQ	169	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	10MQ040	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		40 v		540 mV @ 1 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	38pf @ 10V、1MHz
MB30H45C-61HE3J/81	-	RFQ	2910	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました					MB30H45				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800
ES3B-M3/9AT	0.2101	RFQ	6055	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3B	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		100 V		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
VS-SD1700C45K	288.7500	RFQ	1544	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			クランプオン	DO-200AC 、K-PUK	SD1700	標準		DO-200AC 、K-PUK	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns		4500 v		2.11 V @ 4000 a		75 mA @ 4500 v		1875a	-
VS-HFA30PA60C-N3	6.7300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3	HFA30	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-HFA30PA60C-N3GI	ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	15a	1.7 V @ 1.5 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
ug10ccthe3/45	-	RFQ	6919	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	UG10	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	5a	1.1 V @ 5 a	25 ns	10 µA @ 150 v	-40°C〜150°C
SS1H10-M3/5AT	0.1061	RFQ	5765	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS1H10	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		100 V		860 mV @ 2 a		1 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	-
BAS285-GS08	0.4000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-80バリアント	BAS285	ショットキー		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		800 mV @ 100 Ma		2.3 µA @ 25 V	125°C （最大）	200mA	10pf @ 1V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²