画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-70HFLR60S02M | 18.0734 | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HFLR60 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS70HFLR60S02M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.85 V @ 219.8 a | 200 ns | -40°C〜125°C | 70a | - | ||||||||||
![]() | BZG03B91-M3-18 | 0.2228 | ![]() | 4443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B91 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 68 v | 91 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | BAS170WS-HE3-08 | 0.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BAS170 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | -55°C〜125°C | 70ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | IRKJ71/12a | - | ![]() | 6700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | IRKJ71 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 1200 v | 80a | 10 mA @ 1200 v | |||||||||||||
![]() | sml4749he3_a/h | 0.2253 | ![]() | 9582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4749 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | BZM55B7V5-TR | 0.3200 | ![]() | 8652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B7V5 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 50オーム | ||||||||||||
AZ23C13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 4021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C13 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | V30200C-E3/4W | 2.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | V30200 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.1 V @ 15 a | 160 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | v10p8hm3_a/h。 | 0.9100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10P8 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 80 v | 680 mV @ 10 a | 800 µA @ 80 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | TZM5225C-GS18 | - | ![]() | 2021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5225 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | ||||||||||||
![]() | VS-6FR100 | 5.2510 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 6FR100 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 19 a | 12 mA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 6a | - | |||||||||||
![]() | byt51j-tr | 0.2772 | ![]() | 7075 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BYT51 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 4 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | MMSZ4711-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 6220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4711 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 Na @ 20.4 v | 27 v | ||||||||||||||
![]() | V10P15HM3/h | 0.8900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10P15 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.08 V @ 10 a | 200 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | v6km45du-m3/h | 0.2478 | ![]() | 7342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | V6KM45 | ショットキー | フラットパック5x6(デュアル) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 45 v | 3a | 610 mv @ 3 a | 150 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
VS-SD400N16PC | 106.5800 | ![]() | 2282 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | SD400 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 15 mA @ 1600 v | -40°C〜190°C | 400a | - | |||||||||||||
BZX584C30-VG-08 | - | ![]() | 3892 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX584C-VG | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | BZD17C150P-E3-18 | 0.1601 | ![]() | 7528 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17C150 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 110 v | 150 v | |||||||||||||
![]() | MMSZ5266B-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 6548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5266 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 52 v | 68 v | 230オーム | |||||||||||||
![]() | TLZ16A-GS08 | 0.2500 | ![]() | 8019 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ16 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 Na @ 14.1 v | 16 v | 18オーム | ||||||||||||
![]() | SS10PH9-M3/87A | 0.3595 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10PH9 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 880 mV @ 10 a | 10 µA @ 90 V | -55°C〜175°C | 10a | 270pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VLZ10B-GS08 | - | ![]() | 4262 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ10 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 8.94 v | 9.66 v | 8オーム | ||||||||||||
![]() | AS1PB-M3/85A | - | ![]() | 9785 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AS1 | 雪崩 | DO-220AA | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.15 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | - | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | SX073H060A4OT | - | ![]() | 4929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 死ぬ | SX073 | ショットキー | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 60 V | 7.3 V @ 7.5 a | 50 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5258B-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 7499 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5258 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||
![]() | VS-10ETF06THM3 | 1.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 10etf06 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 10 a | 200 ns | 100 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | VS-MURB1020CT-M3 | 0.8000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | murb1020 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 5a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | V15KM60C-M3/h | 0.4257 | ![]() | 4012 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V15KM60C-M3/HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 5.1a | 630 mv @ 7.5 a | 900 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | AS3PDHM3/87A | - | ![]() | 6805 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AS3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 920 mv @ 1.5 a | 1.2 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 2.1a | 37pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SML4762A-E3/5A | 0.1815 | ![]() | 9955 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4762 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム |
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