画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLZ3V6-GS08 | 0.0335 | ![]() | 6656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ3v6 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 3.6 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | AR4PJHM3/86A | - | ![]() | 2668 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AR4 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 4 a | 140 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 2a | 77pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-32CTQ025-1HM3 | 1.2553 | ![]() | 4532 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 32CTQ025 | ショットキー | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 25 v | 15a | 490 mV @ 15 a | 1.75 MA @ 25 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-80-7848 | - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-7848 | - | 112-VS-80-7848 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | v3nm63hm3/i | 0.5400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-vdfn | V3NM63 | ショットキー | DFN3820A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 14,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 630 mV @ 3 a | 10 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 2.2a | 560pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | P600K-E3/54 | 0.9200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | P600 、軸 | P600 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 800 V | 900 mV @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBRB25H50CT-E3/81 | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 15a | 640 mV @ 15 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | TZMC75-GS18 | 0.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC75 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 250オーム | ||||||||||||
![]() | MURS140-M3/5BT | 0.1280 | ![]() | 4435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS140 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | 1N4148W-G3-18 | 0.2800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 1N4148 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1.2 V @ 100 MA | 4 ns | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 150ma | - | ||||||||||
![]() | s4pbhm3_b/h | - | ![]() | 3493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | S4PB | 標準 | TO-277A | ダウンロード | 112-S4PBHM3_B/HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 4 a | 2.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZG03C10-HM3-18 | 0.5200 | ![]() | 9052 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C10 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 10 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | ||||||||||||
![]() | VS-ETU3006STRLHM3 | 2.7538 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ETU3006 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vsetu3006strlhm3 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 30 a | 45 ns | 30 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 30a | - | |||||||||
![]() | MBRB25H50CTHE3/45 | - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 15a | 640 mV @ 15 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | SBL1030CT801HE3/45 | - | ![]() | 9649 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | SBL1030 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 5a | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -40°C〜125°C | ||||||||||||
![]() | MBRF20H150CT-E3/45 | - | ![]() | 4823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | MBRF20 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 900 mV @ 10 a | 5 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | |||||||||||
MMBZ5253C-E3-08 | - | ![]() | 5639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5253 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | ||||||||||||||
GSD2004S-E3-18 | 0.2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | GSD2004 | 標準 | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 240 v | 225MA | 1 V @ 100 MA | 50 ns | 100 Na @ 240 v | 150°C (最大) | |||||||||||
![]() | GI1-1400GPHE3/54 | - | ![]() | 7925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GI1 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.1 V @ 1 a | 1.5 µs | 10 µA @ 1400 v | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | RS1PB-M3/84A | 0.0869 | ![]() | 9830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | rs1p | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-70HFLR60S02M | 18.0734 | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HFLR60 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS70HFLR60S02M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.85 V @ 219.8 a | 200 ns | -40°C〜125°C | 70a | - | ||||||||||
![]() | BZG03B91-M3-18 | 0.2228 | ![]() | 4443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B91 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 68 v | 91 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | BAS170WS-HE3-08 | 0.4200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BAS170 | ショットキー | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | -55°C〜125°C | 70ma | 2PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | IRKJ71/12a | - | ![]() | 6700 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | IRKJ71 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 1200 v | 80a | 10 mA @ 1200 v | |||||||||||||
![]() | sml4749he3_a/h | 0.2253 | ![]() | 9582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4749 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | BZM55B7V5-TR | 0.3200 | ![]() | 8652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B7V5 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 50オーム | ||||||||||||
AZ23C13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 4021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C13 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 10 V | 13 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | V30200C-E3/4W | 2.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | V30200 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.1 V @ 15 a | 160 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | v10p8hm3_a/h。 | 0.9100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10P8 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 80 v | 680 mV @ 10 a | 800 µA @ 80 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | TZM5225C-GS18 | - | ![]() | 2021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5225 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫