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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MBR1560CT-2HE3/45	-	RFQ	3868	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR15	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	7.5a	840 mV @ 15 a		1 MA @ 60 v	-65°C〜150°C
Z4KE170HE3/73	-	RFQ	8500	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE170		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								500 NA @ 122.4 v				170 v	1200オーム
byg22bhm3_a/i	0.2251	RFQ	8357	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg22	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		100 V		1.1 V @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	-
vs-80-1336pbf	-	RFQ	2447	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止					VS-80				-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	50
TZM5264B-GS18	0.0303	RFQ	4210	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5264		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v				60 V	170オーム
BZG05B20-HM3-08	0.2079	RFQ	7612	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B20		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 15 V				20 v	24オーム
UF1007-M3/73	-	RFQ	2268	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF1007	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 1 a	75 ns		-65°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
EGP10D-M3/73	-	RFQ	6391	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	EGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 1 a	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	22PF @ 4V、1MHz
BZX85B62-TR	0.3800	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B62		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 47 v				62 v	125オーム
TZQ5223B-GS08	0.0411	RFQ	4795	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5223		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V				2.7 v	30オーム
BZX55B51-TAP	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B51		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 39 v				51 v	125オーム
VS-MURB1020CTL-M3	0.3722	RFQ	6996	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	murb1020	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	5a	1.25 V @ 10 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
BZD27B68P-HE3-18	0.1238	RFQ	4339	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B68		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 51 v				68 v	80オーム
HFA32PA120C	-	RFQ	1854年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	HFA32	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	1200 v	16a（dc）	3 V @ 16 a	135 ns	20 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C
MURS120-E3/52T	0.4500	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS120	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		200 v		875 mV @ 1 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	-
byg22dhe3_a/i	0.1815	RFQ	5771	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg22	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		200 v		1.1 V @ 2 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	2a	-
VSKJ320-08	-	RFQ	4960	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKJ320	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	800 V	320A			50 mA @ 800 v
VLZ3V9B-GS08	-	RFQ	2518	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz3v9		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 1 V				4.03 v	50オーム
VS-31DQ06	-	RFQ	5012	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	31DQ06	ショットキー		C-16	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		60 V		620 mv @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	3.3a	-
AZ23B3V6-G3-08	0.0594	RFQ	9148	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B3V6		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード											3.6 v	95オーム
ss5p4hm3_a/h。	0.6500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		40 v		520 mV @ 5 a		250 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
VS-VSKE270-08	-	RFQ	9655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKE270	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns		800 V						270a	-
VS-C16ET07T-M3	-	RFQ	1648	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	C16et07	sic （炭化シリコン）ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	751-VS-C16ET07T-M3	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		650 V		1.8 V @ 8 a		45 µA @ 650 v	-55°C〜175°C	8a	700pf @ 1V、1MHz
MBRF1645HE3/45	-	RFQ	4703	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF1645	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	MBRF1645HE3_A/P	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	16a	-
BZT52A15-G3-08	-	RFQ	7181	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	廃止					BZT52				-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	3,000
VS-10WQ045FNTRPBF	-	RFQ	4206	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	10WQ045	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 10 a		1 MA @ 45 v	-40°C〜175°C	10a	760pf @ 5v、1MHz
GP30DL-E3/72	-	RFQ	9302	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	GP30	標準		DO-201AD	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 3 a	5 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
VLZ22C-GS18	-	RFQ	8828	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ22		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 20 V				21.63 v	30オーム
BYQ28E-200HE3/45	-	RFQ	8550	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	byq28	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	5a	1.1 V @ 5 a	25 ns	10 µA @ 200 v	-40°C〜150°C
VS-ETU1506STRL-M3	0.7542	RFQ	3111	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	ETU1506	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsetu1506strlm3	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		600 V		1.07 V @ 15 a	210 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²