SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
1N3957GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3957GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N3957 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 1000 V 1 V @ 1 a 2 µs 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V、1MHz
V20DL45BP-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20dl45bp-m3/i 0.8300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP®、TMBS® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 V20DL45 ショットキー SMPD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 45 v 640 mV @ 20 a 2.5 MA @ 45 v -40°C〜150°C 20a -
VS-HFA15TB60SR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA15TB60SR-M3 0.6897
RFQ
ECAD 5272 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 HFA15 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 30 a 60 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 15a -
BZX55F18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F18-TAP -
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±1% 175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX55 500 MW DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 13 V 18 v 50オーム
BAQ134-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAQ134-GS18 -
RFQ
ECAD 3675 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-80バリアント BAQ134 標準 SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 60 V 1 V @ 100 MA 1 Na @ 30 V -65°C〜175°C 200mA 3PF @ 0V、1MHz
VIT2080S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2080S-M3/4W 0.5770
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads VIT2080 ショットキー TO-262AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 80 v 920 mv @ 20 a 700 µA @ 80 V -55°C〜150°C 20a -
VS-20MQ100-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MQ100-M3/5AT 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA 20MQ100 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 100 V 910 mv @ 2 a 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C 2a 38pf @ 10V、1MHz
BZG05C3V3-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C3V3-E3-TR -
RFQ
ECAD 9180 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZG05C テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 40 µA @ 1 V 3.3 v 20オーム
BZT55B8V2-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B8V2-GS08 0.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzt55 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント BZT55B8V2 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 6.2 v 8.2 v 7オーム
RGP10KE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10KE-E3/54 0.1754
RFQ
ECAD 8538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP10 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,500 高速回復= <500ns 800 V 1.3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
BAQ133-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAQ133-GS08 -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント SOD-80バリアント BAQ133 標準 SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 2,500 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 30 V 1 V @ 100 MA 1 Na @ 15 V -65°C〜175°C 200mA 3PF @ 0V、1MHz
MBRB30H100CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB30H100CTHE3/81 -
RFQ
ECAD 4525 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 MBRB30 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 15a 820 mv @ 15 a 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C
MMBZ4690-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4690-HE3-08 -
RFQ
ECAD 2487 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4690 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 10 µA @ 4 V 5.6 v
SBLB1040HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1040HE3/81 -
RFQ
ECAD 8783 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 SBLB1040 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a -
VS-25ETS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25ets12S-M3 1.2360
RFQ
ECAD 5916 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 25ets12 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1200 v 1.14 V @ 25 a 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 25a -
BAS40-00-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-00-E3-18 0.3300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 BAS40 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 40 v 1 V @ 40 mA 5 ns 100 Na @ 30 V 125°C (最大) 200mA 5PF @ 0V、1MHz
1N4937GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GP-E3/73 0.4800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® カットテープ(CT) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4937 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 600 V 1.2 V @ 1 a 200 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
MURS260HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division murs260he3_a/h 0.1518
RFQ
ECAD 2878 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB MURS260 標準 do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 750 高速回復= <500ns 600 V 1.45 V @ 2 a 75 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 2a -
BZG05C7V5-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C7V5-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 6847 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 AEC-Q101、BZG05C テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 4.5 v 7.5 v 3オーム
BZD17C150P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C150P-E3-08 0.1601
RFQ
ECAD 5994 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ - -55°C〜150°C 表面マウント DO-219AB BZD17C150 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 110 v 150 v
SB040-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/54 -
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 穴を通して mpg06 、軸 SB040 ショットキー MPG06 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,500 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 600 Ma 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 600MA -
SMBZ5935B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5935B-E3/52 0.1676
RFQ
ECAD 3007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMBZ5935 3 W do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 750 1.5 V @ 200 mA 1 µA @ 20.6 v 27 v 23オーム
MBR30H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H35CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6504 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 MBR30 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 15a 620 mv @ 15 a 80 µA @ 35 V -65°C〜175°C
BZX85B16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B16-TR 0.3800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX85 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85B16 1.3 w do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 12 V 16 v 15オーム
TZMB9V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB9V1-GS08 0.3100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、TZM テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TZMB9v1 500 MW SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 6.8 v 9.1 v 10オーム
BAV20WS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bav20ws-e3-18 0.3000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 bav20 標準 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 150 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 150 V 150°C (最大) 250ma 1.5pf @ 0V、1MHz
TZM5253B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5253B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TZM5253 500 MW SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 V @ 200 mA 100 na @ 19 v 25 v 35オーム
RS1PGHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1PGHM3/85A -
RFQ
ECAD 6898 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント DO-220AA RS1 標準 DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 1 a 150 ns 1 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 9pf @ 4V、1MHz
BZX384B68-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B68-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 8124 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX384 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384B68 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 50 Na @ 47.6 v 68 v 240オーム
GL34GHE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34GHE3/98 -
RFQ
ECAD 3298 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213aa (ガラス) GL34 標準 do-213aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない GL34GHE3_A/H。 ear99 8541.10.0070 2,500 標準回復> 500ns 400 V 1.2 V @ 500 Ma 1.5 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 500mA 4PF @ 4V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫