画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3957GPHE3/73 | - | ![]() | 6881 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N3957 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 1 a | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | v20dl45bp-m3/i | 0.8300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V20DL45 | ショットキー | SMPD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 640 mV @ 20 a | 2.5 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||
![]() | VS-HFA15TB60SR-M3 | 0.6897 | ![]() | 5272 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | HFA15 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 30 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||||
![]() | BZX55F18-TAP | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 13 V | 18 v | 50オーム | |||||||||||
![]() | BAQ134-GS18 | - | ![]() | 3675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-80バリアント | BAQ134 | 標準 | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 60 V | 1 V @ 100 MA | 1 Na @ 30 V | -65°C〜175°C | 200mA | 3PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | VIT2080S-M3/4W | 0.5770 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VIT2080 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 920 mv @ 20 a | 700 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||
![]() | VS-20MQ100-M3/5AT | 0.3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 20MQ100 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 910 mv @ 2 a | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 38pf @ 10V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZG05C3V3-E3-TR | - | ![]() | 9180 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 40 µA @ 1 V | 3.3 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | BZT55B8V2-GS08 | 0.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55B8V2 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | |||||||||||
![]() | RGP10KE-E3/54 | 0.1754 | ![]() | 8538 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BAQ133-GS08 | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOD-80バリアント | BAQ133 | 標準 | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 30 V | 1 V @ 100 MA | 1 Na @ 15 V | -65°C〜175°C | 200mA | 3PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBRB30H100CTHE3/81 | - | ![]() | 4525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB30 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 820 mv @ 15 a | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
MMBZ4690-HE3-08 | - | ![]() | 2487 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4690 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 µA @ 4 V | 5.6 v | ||||||||||||||
![]() | SBLB1040HE3/81 | - | ![]() | 8783 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 10 a | 1 MA @ 40 V | -40°C〜125°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | VS-25ets12S-M3 | 1.2360 | ![]() | 5916 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 25ets12 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.14 V @ 25 a | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 25a | - | ||||||||||
BAS40-00-E3-18 | 0.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS40 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 100 Na @ 30 V | 125°C (最大) | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4937GP-E3/73 | 0.4800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4937 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | murs260he3_a/h | 0.1518 | ![]() | 2878 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS260 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.45 V @ 2 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||||||
![]() | BZG05C7V5-HE3-TR3 | - | ![]() | 6847 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | |||||||||||
![]() | BZD17C150P-E3-08 | 0.1601 | ![]() | 5994 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17C150 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 110 v | 150 v | ||||||||||||
SB040-E3/54 | - | ![]() | 1022 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | mpg06 、軸 | SB040 | ショットキー | MPG06 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mV @ 600 Ma | 500 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 600MA | - | |||||||||||
![]() | SMBZ5935B-E3/52 | 0.1676 | ![]() | 3007 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5935 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 20.6 v | 27 v | 23オーム | |||||||||||
![]() | MBR30H35CT-E3/45 | - | ![]() | 6504 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR30 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 80 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | BZX85B16-TR | 0.3800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B16 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 NA @ 12 V | 16 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | TZMB9V1-GS08 | 0.3100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB9v1 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | bav20ws-e3-18 | 0.3000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | bav20 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 150 V | 150°C (最大) | 250ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | TZM5253B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5253 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 19 v | 25 v | 35オーム | |||||||||||
![]() | RS1PGHM3/85A | - | ![]() | 6898 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-220AA | RS1 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | BZX384B68-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B68 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | ||||||||||||
![]() | GL34GHE3/98 | - | ![]() | 3298 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | GL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | GL34GHE3_A/H。 | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 500 Ma | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz |
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