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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
UG1D-E3/54	0.3900	RFQ	926	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UG1	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns			200 v		950 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	-
BZD27B11P-M3-08	0.4100	RFQ	913	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		4 µA @ 8.2 v						11 v	7オーム
ESH2C-M3/5BT	0.1257	RFQ	6655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ESH2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns			150 v		930 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 150 v	-55°C〜175°C	2a	30pf @ 4V、1MHz
SE30AFDHM3/6A	0.4900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SE30	標準		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,500	標準回復> 500ns			200 v		1.1 V @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1.4a	19pf @ 4V、1MHz
TZMA20-GS08	0.1497	RFQ	6927	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMA20		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V						20 v	55オーム
MMBZ5247C-E3-18	-	RFQ	8821	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5247		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 13 V						17 v	19オーム
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VS-32CTQ025STRRHM3	1.4113	RFQ	3885	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	32CTQ025	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	25 v	15a	490 mV @ 15 a		1.75 MA @ 25 V	-55°C〜150°C
UH1PB-M3/85A	0.0903	RFQ	3065	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	uh1	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns			100 V		1.05 V @ 1 a	40 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1a	16pf @ 4V、1MHz
SL23HE3/5BT	-	RFQ	4720	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	SL23	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns			30 V		440 mV @ 2 a		400 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	2a	-
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BZD27C51P-HE3-18	0.1645	RFQ	8373	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C51		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 39 v						51 v	60オーム
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nsb8athe3_b/i	0.6930	RFQ	2936	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	NSB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800	標準回復> 500ns			50 v		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
BZT55C39-GS18	0.0283	RFQ	8136	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C39		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V						39 v	90オーム
V12W60C-M3/i	-	RFQ	4367	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	V12W60	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	6a	620 mv @ 6 a		3.5 mA @ 60 v	-40°C〜150°C
MMSZ4693-HE3-18	0.0378	RFQ	6515	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4693		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000								10 µA @ 5.7 v						7.5 v
BZX584C10-VG-08	-	RFQ	6819	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX584C-VG	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000								200 Na @ 7 V						10 v	20オーム
1N4747A-T	-	RFQ	5160	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4747		1.3 w	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 15.2 v						20 v	750オーム
VS-48CTQ060PBF	-	RFQ	4553	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	48CTQ060	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	20a	610 mv @ 20 a		2 ma @ 60 v	-55°C〜150°C
MMBZ4706-E3-08	-	RFQ	6693	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4706		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 14.4 v						19 v
SMZJ3805AHE3/5B	-	RFQ	9268	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ38		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 35.8 v						47 v	67オーム
BZG05C24-M3-18	0.1089	RFQ	1358	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.83％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C24		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 18 V						24 v	25オーム
VT1045CBP-M3/4W	0.6329	RFQ	7419	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	VT1045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	45 v	5a	580 mV @ 5 a		500 µA @ 45 V	200°C （最大）
BZD27C11P-M3-18	0.1500	RFQ	7531	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		4 µA @ 8.2 v						11 v	7オーム
MMBZ5250C-E3-08	-	RFQ	5693	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5250		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 15 V						20 v	25オーム
VS-95-9870PBF	-	RFQ	5958	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）		廃止	0000.00.0000	50

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²