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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
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VLZ20B-GS08	-	RFQ	5167	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ20		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 17.1 v				19.11 v	28オーム
BYM11-200HE3/97	-	RFQ	9713	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	bym11-200he3_a/i	ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
MMBZ5256B-E3-08	-	RFQ	9033	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5256		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 23 V				30 V	49オーム
CSA2G-E3/h	-	RFQ	9719	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CSA2	標準		do-214ac	-			影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 2 a	2.1 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2a	11pf @ 4V、1MHz
VS-40EPS12PBF	-	RFQ	4966	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-2	40EPS12	標準		TO-247AC修正	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 40 a		100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	40a	-
SS210HE3_A/H	0.4700	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS210	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 3 a		30 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
vs-15eth06strrpbf	-	RFQ	4485	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	15eth06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs15eth06strrpbf	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		2.2 V @ 15 a	29 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
TZMC43-M-08	0.0324	RFQ	2644	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC43		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 33 V				43 v	90オーム
BZG05B16-HE3-TR	-	RFQ	9570	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 12 V				16 v	15オーム
BZX384B75-E3-18	0.0360	RFQ	5653	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B75		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 52.5 v				75 v	255オーム
S1PK-E3/84A	-	RFQ	7941	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
TZM5266B-GS18	0.0303	RFQ	6531	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5266		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 52 v				68 v	230オーム
RMPG06BHE3_A/53	0.1792	RFQ	3455	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	RMPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	6.6pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²