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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MBRF20H100CTGHE3/4	-	RFQ	7535	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF20	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	770 mV @ 10 a		4.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
CS2D-E3/i	-	RFQ	9688	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	CS2	標準		do-214aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		標準回復> 500ns		200 v		1.15 V @ 2 a	2.1 µs	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1.6a	12pf @ 4V、1MHz
UG10GCT-E3/45	-	RFQ	5544	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	UG10	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
VS-42HFR140	9.2359	RFQ	1046	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	42HFR140	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS42HFR140	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1400 v		1.5 V @ 125 a			-65°C〜160°C	40a	-
S3AHE3/57T	-	RFQ	8072	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	S3a	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		標準回復> 500ns		50 v		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
v30dl50chm3_a/i	1.3200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30DL50	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	15a	570 mV @ 15 a		1.8 mA @ 50 V	-40°C〜150°C
VS-VSKJ71/04	36.5930	RFQ	7205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	add-a-pak	VSKJ71	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSKJ7104	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns	1ペア共通アノード	400 V	40a			10 mA @ 400 v	-40°C〜150°C
VS-6CWQ04FNTRLHM3	1.0161	RFQ	5007	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6CWQ04	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs6cwq04fntrlhm3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	3.5a	530 mv @ 3 a		2 MA @ 40 V	150°C （最大）
vssaf5l45hm3_a/h	0.4800	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF5L45	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		45 v		560 mV @ 5 a		650 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	5a	740pf @ 4V、1MHz
MBRB2080CTTRR	-	RFQ	3424	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 80 V	-65°C〜150°C
BZG05C18-M3-18	0.1089	RFQ	1047	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.39％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C18		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 13 V				18 v	20オーム
1N5260B-T	-	RFQ	9116	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5260		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 33 V				43 v	900オーム
MMBZ5233C-G3-18	-	RFQ	2007年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5233		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 3.5 v				6 v	7オーム
S1PDHE3/84A	-	RFQ	3415	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
MBR3050PT-E3/45	1.8029	RFQ	6664	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	MBR3050	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	30a	760 mV @ 30 a		1 MA @ 50 V	-65°C〜150°C
GDZ22B-HG3-18	0.0523	RFQ	6235	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ22		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 17 V				22 v	100オーム
GDZ4V3B-HG3-08	0.0509	RFQ	2300	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ4v3		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								5 µA @ 1 V				4.3 v	100オーム
vs-18tq045hn3	1.0067	RFQ	9347	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	18tq045	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		40 v		600 mV @ 18 a		2.5 mA @ 35 v	-55°C〜175°C	18a	1400pf @ 5V、1MHz
VS-40HFLR80S05	13.9300	RFQ	99	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HFLR80	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		800 V		1.95 V @ 40 a	500 ns	100 µA @ 800 V	-40°C〜125°C	40a	-
AZ23B4V3-HE3_A-08	-	RFQ	8218	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B4V3-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							3 µA @ 1 V				4.3 v	90オーム
AZ23C18-E3-18	0.0415	RFQ	1259	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C18		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 14 V				18 v	50オーム
AZ23B24-E3-18	0.0509	RFQ	8384	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B24		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 18 V				24 v	80オーム
byt51b-tr	0.2475	RFQ	1276	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BYT51	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	4 µs	1 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1.5a	-
SMZG3791B-M3/5B	0.2485	RFQ	8749	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMZG3791		1.5 w	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 9.1 v				12 v	7オーム
ESH3D-E3/57T	0.7500	RFQ	635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ESH3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 3 a	40 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	3a	-
MMSZ5257C-G3-08	0.0483	RFQ	7740	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5257		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 25 V				33 v	58オーム
EGP51G-E3/c	1.6700	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	EGP51	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 5 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	5a	48pf @ 4V、1MHz
vs-20ets16-m3	1.6819	RFQ	7630	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	20ets16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs20ets16m3	ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		1600 v		1.1 V @ 20 a		100 µA @ 1600 V	-40°C〜150°C	20a	-
BZD27B6V8P-E3-18	0.1050	RFQ	4336	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B6V8		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V				6.8 v	3オーム
SBL4030PT-E3/45	1.6198	RFQ	4451	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	SBL4030	ショットキー		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	40a	580 mV @ 20 a		10 ma @ 30 v	-40°C〜125°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²