RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZM55C2V7-TR3	0.0368	RFQ	8040	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C2V7		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V				2.7 v	600オーム
byd13ggp-e3/54	-	RFQ	1722	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	byd13	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		400 V			3 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BYT78-TAP	1.1500	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	BYT78	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		1000 V		1.2 V @ 3 a	250 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	3a	-
se20dtj-m3/i	1.6600	RFQ	300	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準		SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns		600 V		1.2 V @ 20 a	3 µs	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3.8a	150pf @ 4V、1MHz
1N4946GP-M3/73	-	RFQ	4138	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4946	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZX55C16-TAP	0.2300	RFQ	27	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55C16		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 na @ 12 v				16 v	40オーム
GP10B-4002HE3/73	-	RFQ	6145	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		100 V					-	1a	-
BZG05C11-HM3-08	0.4200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.45％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C11		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 8.2 v				11 v	8オーム
SML4754-E3/61	0.1892	RFQ	8432	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4754		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800							5 µA @ 29.7 v				39 v	60オーム
VS-S1092	-	RFQ	3099	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					S1092				-				112-VS-S1092			1
ES2D-M3/5BT	0.1379	RFQ	9545	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ES2d	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 2 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	2a	18pf @ 4V、1MHz
AR4PG-M3/87A	0.4290	RFQ	4903	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR4	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		400 V		1.6 V @ 4 a	140 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	2a	77pf @ 4V、1MHz
MMSZ4706-HE3_A-08	0.0533	RFQ	4571	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4706-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000					900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 14.4 v				19 v
VLZ33C-GS18	-	RFQ	9226	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ33		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 29.4 v				31.7 v	65オーム
BZT52B11-E3-08	0.3100	RFQ	349	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B11		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 Na @ 8.5 v				11 v	6オーム
RGP30B-E3/73	-	RFQ	4796	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	RGP30	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 3 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	-
BZD27B24P-HE3-18	0.1238	RFQ	2011年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B24		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 18 V				24 v	15オーム
BZG05C6V8-HE3-TR	-	RFQ	5641	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 AEC-Q101、BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 4 V				6.8 v	3.5オーム
VS-E5TH3006S2LHM3	2.7300	RFQ	830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®G5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 30 a	46 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	30a	-
MMSZ5263C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	6117	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5263C-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 43 v				56 v	150オーム
BZX84C15-E3-18	0.2300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C15		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 10.5 v				15 V	30オーム
MMBZ5231B-G3-08	-	RFQ	5794	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5231		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							5 µA @ 2 V				5.1 v	17オーム
S4PGHM3/86A	-	RFQ	9140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S4P	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 4 a	2.5 µs	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	4a	30pf @ 4V、1MHz
1N5396-E3/54	0.3700	RFQ	21	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N5396	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		500 V		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µA @ 500 V	-50°C〜150°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
BZX55F16-TR	-	RFQ	9146	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 na @ 12 v				16 v	40オーム
MMBZ5236B-G3-08	-	RFQ	2164	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5236		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 6 V				7.5 v	6オーム
1N5238C-TAP	0.0288	RFQ	4814	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5238		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 6.5 v				8.7 v	8オーム
BZX384C36-HE3-18	0.0341	RFQ	5318	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C36		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 25.2 v				36 v	90オーム
VS-S1352	-	RFQ	1716	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止									-				112-VS-S1352	廃止		1
V15KM100C-M3/i	0.4211	RFQ	2866	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード			影響を受けていない	112-V15KM100C-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	6,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	4.5a	740 mV @ 7.5 a		400 µA @ 100 V	-40°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²