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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX55A12-TAP	-	RFQ	6842	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 9.1 v						12 v	20オーム
AZ23B2V7-HE3_A-08	-	RFQ	3288	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23B2V7-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							20 µA @ 1 V						2.7 v	100オーム
BZT55C6V2-GS18	0.0283	RFQ	6501	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C6V2		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 2 V						6.2 v	10オーム
VS-6CWQ10FNTRHM3	1.0479	RFQ	2500	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6cwq10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS6CWQ10FNTRHM3	ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	3.5a	960 mV @ 6 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C
VS-42CTQ030PBF	-	RFQ	6206	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	42CTQ030	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	20a	480 mV @ 20 a		3 ma @ 30 v	-55°C〜150°C
BZG05B22-HE3-TR3	-	RFQ	2452	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 16 V						22 v	25オーム
Gurb5H60-E3/45	-	RFQ	6688	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	gurb5	標準		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1		高速回復= <500ns		600 V		1.8 V @ 5 a	30 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜150°C
VS-HFA30TA60C-N3	-	RFQ	2918	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	HFA30	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-HFA30TA60C-N3GI	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	15a	1.7 V @ 15 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
GBPC25005-E4/51	5.1500	RFQ	170	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	箱	アクティブ		-55°C〜150°C	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC25005	標準		GBPC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100						1.1 V @ 12.5 a		5 µA @ 50 V		25 a		単相	50 v
TZM5243B-GS18	0.0303	RFQ	6036	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5243		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		500 NA @ 9.9 v						13 v	13オーム
bav21w-g3-18	0.0409	RFQ	5647	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	bav21	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 150 V	175°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
VS-20MQ060-M3/5AT	0.0815	RFQ	6437	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	20MQ060	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS20MQ060M35AT	ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		60 V		780 mV @ 2 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	31pf @ 10V、1MHz
MMBZ5265C-E3-18	-	RFQ	7927	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5265		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 47 v						62 v	185オーム
BZT52B12-E3-08	0.3100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B12		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 na @ 9 v						12 v	7オーム
MMSZ5231C-HE3-18	0.0454	RFQ	8799	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5231		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 2 V						5.1 v	17オーム
VS-15CTQ040-M3	0.5374	RFQ	4428	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	15CTQ040	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	15a	700 mV @ 15 a		800 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
ZMY10-GS08	0.4200	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZMY10		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500								500 na @ 7.5 v						10 v	4オーム
MMSZ5251B-HE3-08	0.0378	RFQ	3614	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5251		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 17 V						22 v	29オーム
BAS581-02V-VG-08	-	RFQ	2112	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-79、SOD-523	BAS581	ショットキー		SOD-523	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		370 mV @ 1 Ma		500 NA @ 30 V	125°C （最大）	200mA	2PF @ 1V 、1MHz
GP15G-E3/73	-	RFQ	3653	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1.5 a	3.5 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
ZMY10-GS18	0.4200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZMY10		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 7.5 v						10 v	4オーム
1N5237B-TR	0.2300	RFQ	35	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5237		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 6.5 v						8.2 v	8オーム
1N4148W-E3-18	0.2300	RFQ	341	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	1N4148	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1.2 V @ 100 MA	4 ns	100 µA @ 100 V	150°C （最大）	150ma	4PF @ 0V、1MHz
MMSZ4714-HE3-08	0.0378	RFQ	1451	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4714		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								10 Na @ 25 V						33 v
BZX384B24-HE3-08	0.0378	RFQ	4810	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B24		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 16.8 v						24 v	70オーム
VS-40HFL10S05	9.3774	RFQ	7922	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HFL10	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		100 V		1.95 V @ 40 a	500 ns	100 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	40a	-
GI250-4HE3/73	-	RFQ	2907	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GI250	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		標準回復> 500ns		4000 v		3.5 V @ 250 Ma	2 µs	5 µA @ 4000 V	-65°C〜175°C	250ma	3PF @ 4V、1MHz
vs-8eth06strr-m3	0.5067	RFQ	7077	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	8eth06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		600 V		2.4 V @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
BZG03C68-HM3-18	0.1898	RFQ	1856年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.88％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C68		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 51 v						68 v	80オーム
GDZ33B-HG3-08	0.0523	RFQ	5911	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ33		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 25 V						33 v	250オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²