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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5245C-HE3_A-18	-	RFQ	4203	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5245C-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		100 na @ 11 v				15 V	16オーム
BZD27B3V9P-E3-18	0.1155	RFQ	7278	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B3V9		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V				3.9 v	8オーム
VS-MBRS320TRPBF	-	RFQ	7715	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	MBRS3	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSMBRS320TRPBF	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		20 v		450 mV @ 3 a		500 µA @ 20 V	-65°C〜150°C	3a	360pf @ 5V、1MHz
MMBZ4687-HE3-08	-	RFQ	9666	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4687		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								4 µA @ 2 V				4.3 v
TZMC56-GS18	0.0303	RFQ	4588	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC56		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 43 v				56 v	135オーム
MSS1P2LHM3/89A	-	RFQ	7027	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	MicroSMP	MSS1P2	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns		20 v		500 mV @ 1 a		250 µA @ 20 V	-55°C〜150°C	1a	65pf @ 4V、1MHz
VB20200C-E3/4W	1.7400	RFQ	5311	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB20200	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	1.6 V @ 10 a		150 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
GP10B-M3/73	-	RFQ	4159	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
AZ23C43-G3-18	0.0483	RFQ	6834	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C43		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 32 v				43 v	100オーム
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VS-MBRB3030CTLTRRP	-	RFQ	2670	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB30	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmbrb3030ctltrrp	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	470 mV @ 15 a		2 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
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MMSZ5244C-G3-18	0.0483	RFQ	4981	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5244		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 10 V				14 v	15オーム
fep16jthe3/45	-	RFQ	2536	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	FEP16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	16a	1.5 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
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MBRB15H50CT-E3/81	-	RFQ	3614	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB15	ショットキー		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	7.5a	730 mv @ 7.5 a		50 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
MBRB20100CT-E3/8W	1.8400	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB20100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
GP10B-E3/73	-	RFQ	9833	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
by253p-e3/54	0.4700	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	by253	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
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SS10P2CLHM3/87A	-	RFQ	2702	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10P2	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	20 v	5a	520 mV @ 5 a		850 µA @ 20 V	-55°C〜150°C
V10DM100CHM3/i	1.1400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V10DM100	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	790 mV @ 5 a		100 µA @ 100 V	-40°C〜175°C
SS8P3CHM3/87A	-	RFQ	7445	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	4a	580 mV @ 4 a		300 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
MMBZ5254B-E3-08	-	RFQ	5875	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5254		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 21 V				27 v	41オーム
SS10P3CHM3/86A	-	RFQ	4681	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	5a	530 mV @ 5 a		550 µA @ 30 V	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²