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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
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SF5408-TAP	1.2600	RFQ	19	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	SF5408	標準		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	3a	-
VX80100PWHM3/p	2.9126	RFQ	3388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		ショットキー		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VX80100PWHM3/p	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	40a	800 mV @ 40 a		800 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
MBRB10100CT-M3/8W	0.7437	RFQ	6706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB10100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	90 v	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
SMZJ3791BHE3_B/i	0.1500	RFQ	2872	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3791		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3791BHE3_B/ITR	ear99	8541.10.0050	3,200							5 µA @ 9.1 v				12 v	7オーム
MBRB1045HE3/45	-	RFQ	4101	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
VLZ30C-GS18	-	RFQ	2843	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ30		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 26.9 v				29.09 v	55オーム
UGB5JT-E3/45	-	RFQ	4926	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB5	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		1.75 V @ 5 a	50 ns	30 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	5a	-
VLZ39E-GS08	-	RFQ	8999	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ39		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 35.5 v				38.33 v	85オーム
BZT52C4V7-HE3-18	0.0378	RFQ	8877	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C4V7		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000											4.7 v	78オーム
TZQ5260B-GS08	0.0303	RFQ	6054	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	TZQ5260		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 33 V				43 v	93オーム
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S8PJ-M3/i	0.2175	RFQ	6536	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	S8PJ	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-S8PJ-M3/ITR			6,000	高速回復= <500ns		600 V		1.1 V @ 8 a	5 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	2a	60pf @ 4V、1MHz
MMBZ4704-G3-08	-	RFQ	3112	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4704		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							50 Na @ 12.9 v				17 v
MMSZ4694-HE3-18	0.0378	RFQ	6753	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4694		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1 µA @ 6.2 v				8.2 v
MSE07PJHM3/89A	0.3500	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	MSE07	標準		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	標準回復> 500ns		600 V		1.08 V @ 700 Ma	780 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	700MA	5PF @ 4V、1MHz
vs-6ewh06fntrhm3	1.0025	RFQ	2170	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6EWH06	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs6ewh06fntrhm3	ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		600 V		2.1 V @ 6 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
gp10the3/73	-	RFQ	7793	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1300 v		1.3 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1300 v	-65°C〜150°C	1a	5PF @ 4V、1MHz
SD101CWS-E3-18	0.0543	RFQ	7894	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	SD101	ショットキー		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		900 mV @ 15 Ma	1 ns	200 Na @ 30 V	-55°C〜125°C	30ma	2.2pf @ 0V、1MHz
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SRP600A-E3/54	-	RFQ	2816	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	P600 、軸	SRP600	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 6 a	100 ns	10 µA @ 50 V	-50°C〜125°C	6a	-
VS-MBR3045CT-N3	-	RFQ	6981	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR30	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-MBR3045CT-N3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	760 mV @ 30 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C
fesf16athe3_a/p	1.3200	RFQ	8102	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	FESF16	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		50 v		975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	16a	-
VS-30CTQ035SHM3	1.2877	RFQ	9668	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	30CTQ035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	620 mv @ 15 a		2 MA @ 35 v	-55°C〜175°C
vs-30wq10fntrpbf	-	RFQ	3345	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	30wq10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		100 V		810 mv @ 3 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C	3.5a	92pf @ 5V、1MHz
smaz5938b-e3/5a	0.1150	RFQ	1560	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAZ5938		500 MW	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500					1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 27.4 v				36 v	38オーム
bav21-tap	0.2200	RFQ	47	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-204ah do-35 、軸	bav21	標準		do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 150 V	175°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
15CTQ035	-	RFQ	1838年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	15ctq	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	7.5a	550 mV @ 7.5 a		800 µA @ 35 V	-55°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²