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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX85C51-TR	0.3800	RFQ	25	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C51		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							500 NA @ 39 v				51 v	115オーム
BZG04-130-HM3-08	0.2079	RFQ	5795	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-130		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 130 v				160 v
BZT55C18-GS18	0.0283	RFQ	7446	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C18		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 13 V				18 v	50オーム
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SS1P5L-E3/84A	-	RFQ	1265	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS1P5	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		590 mV @ 1 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	-
BZX384C36-E3-18	0.0324	RFQ	9176	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C36		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 25.2 v				36 v	90オーム
plz2v2a-hg3_a/h	0.3600	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4.07％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz2v2		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		120 µA @ 700 mV				2.21 v	120オーム
MBRB2060CT-E3/45	1.5200	RFQ	4841	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB2060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	800 mV @ 10 a		150 µA @ 60 V	-65°C〜150°C
BZX384B6V8-G3-08	0.3300	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B6V8		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							2 µA @ 4 V				6.8 v	15オーム
GP10AE-M3/54	-	RFQ	1352	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BZD17C6V2P-E3-08	0.1341	RFQ	8835	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C6V2		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V				6.2 v
BAS382-TR3	0.0611	RFQ	6948	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	2-SMD 、リードなし	BAS382	ショットキー		マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		1 V @ 15 mA		200 Na @ 50 V	125°C （最大）	30ma	1.6pf @ 1V、1MHz
ugb8dthe3_a/p	-	RFQ	7492	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 8 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	8a	-
GP10JE-E3/73	-	RFQ	8639	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VF20200C-E3/4W	1.7600	RFQ	370	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VF20200	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	1.6 V @ 10 a		150 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
V8PA10-M3/i	0.5400	RFQ	81	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221BC	V8PA10	ショットキー		DO-221BC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		100 V		760 mV @ 8 a		800 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	8a	850pf @ 4V、1MHz
MBR1645/45	-	RFQ	2248	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR16	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	16a	-
vs-8eth06strl-m3	0.5067	RFQ	1349	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	8eth06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		2.4 V @ 8 a	25 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
MBR10H50-E3/45	-	RFQ	4917	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR10	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		50 v		710 mv @ 10 a		100 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	10a	-
BZG05B20-HM3-08	0.2079	RFQ	7612	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B20		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 15 V				20 v	24オーム
MMBZ5234B-G3-08	-	RFQ	6572	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5234		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							5 µA @ 4 V				6.2 v	7オーム
fepf16dthe3_a/p	-	RFQ	2766	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	FEPF16	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	8a	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C
TZMC75-GS18	0.2300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC75		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 56 v				75 v	250オーム
VS-HFA08TB60S-M3	0.9800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	HFA08	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-HFA08TB60S-M3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		2.1 V @ 16 a	55 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	8a	-
MPG06D-E3/54	0.4000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	MPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	600 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
bym13-20he3/96	-	RFQ	4034	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab 、メルフ	bym13	ショットキー		gl41（do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	bym13-20he3_a/h	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		20 v		500 mV @ 1 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	1a	110pf @ 4V、1MHz
SS2P3LHE3/84A	-	RFQ	1153	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q100、ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS2p3	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		30 V		500 mV @ 2 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	2a	-
VS-96-1050-N3	-	RFQ	5864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ					VS-96				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-96-1050-N3	ear99	8541.10.0080	25
VS-VSMD400CW60	105.8160	RFQ	2347	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB	VSMD400	標準		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSVSMD400CW60	ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	600 V	200a	1.31 V @ 200 a		200 µA @ 600 V	-40°C〜175°C
BZX384C30-E3-08	0.2400	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C30		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							50 Na @ 21 V				30 V	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²