画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | V10DM100CHM3/i | 1.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V10DM100 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 790 mV @ 5 a | 100 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | SS8P3CHM3/87A | - | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS8p3 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 4a | 580 mV @ 4 a | 300 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
MMBZ5254B-E3-08 | - | ![]() | 5875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5254 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | ||||||||||||||
![]() | SS10P3CHM3/86A | - | ![]() | 4681 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10p3 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 5a | 530 mV @ 5 a | 550 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | GI2402-E3/45 | 0.8186 | ![]() | 9063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | GI2402 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 16a | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | US1KHE3/61T | - | ![]() | 2150 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 1 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-3EJU06HM3/6B | 0.1485 | ![]() | 8232 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 3EJU06 | 標準 | DO-221AC(スリムスマ) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.35 V @ 3 a | 50 ns | 3 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | BZW03D82-TAP | - | ![]() | 5768 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 59 v | 82 v | 65オーム | ||||||||||||
VS-301URA180 | - | ![]() | 1124 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 301ura180 | 標準、逆極性 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs301ura180 | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 1800 v | 1.46 V @ 942 a | -40°C〜180°C | 330A | - | ||||||||||||
![]() | EGP20FHE3/54 | - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | EGP20 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 2a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4937E-E3/54 | 0.1079 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4937 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -50°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ4703-HE3_A-08 | 0.0533 | ![]() | 7696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ4703-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 12.1 v | 16 v | ||||||||||||||||
![]() | VS-20CTQ150STRL-M3 | 1.5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 20CTQ150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 880 mV @ 10 a | 25 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | |||||||||||
GI917-E3/54 | - | ![]() | 3546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GI917 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.25 V @ 3 a | 750 ns | 10 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | VI20120S-M3/4W | 0.6072 | ![]() | 8450 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VI20120 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 120 v | 1.12 V @ 20 a | 300 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||
![]() | VS-30CTQ080-1-M3 | 0.9194 | ![]() | 6512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 30CTQ080 | ショットキー | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 15a | 860 mV @ 15 a | 550 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | 1N5240Cタップ | 0.0288 | ![]() | 3609 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5240 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | VIT2045CBP-M3/4W | 1.0065 | ![]() | 2191 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VIT2045 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 10a | 580 mV @ 10 a | 2 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-301CNQ040PBF | 50.4860 | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-244AB | 301CNQ040 | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS301CNQ040PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 150a | 900 mV @ 300 a | 10 ma @ 40 v | 175°C (最大) | ||||||||||
![]() | SMAZ5924B-E3/5A | 0.1218 | ![]() | 7050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5924 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 9.1 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | VIT3060C-M3/4W | 0.7910 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VIT3060 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 700 mV @ 15 a | 1.2 mA @ 60 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-MT350BD16CCB | - | ![]() | 2237 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | VS-MT350 | - | ROHS3準拠 | 112-VS-MT350BD16CCB | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SS5P10HM3/86A | - | ![]() | 1659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS5P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 680 mV @ 5 a | 15 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 130pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-30CTQ045-N3 | - | ![]() | 8043 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 30CTQ045 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS-30CTQ045-N3GI | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 MA @ 45 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
vs-18tq045hn3 | 1.0067 | ![]() | 9347 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 18tq045 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 18 a | 2.5 mA @ 35 v | -55°C〜175°C | 18a | 1400pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-1N1202ra | - | ![]() | 5644 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N1202 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.35 V @ 12 a | 2ma @ 200 v | -65°C〜200°C | 12a | - | |||||||||||
![]() | 1N4004GPEHE3/73 | - | ![]() | 3721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4004 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | IN4004GPEHE3/73 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||
MMBZ5232B-HE3-08 | - | ![]() | 9426 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5232 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11オーム | ||||||||||||||
![]() | v20pwl63c-m3/i | 0.4133 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-V20PWL63C-M3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 610 mv @ 10 a | 180 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||||||||||
AZ23B3V6-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 3565 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B3V6 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 3.6 v | 95オーム |
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