画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZMM5267B-7 | - | ![]() | 3967 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ZMM5267B-7GI | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 56 v | 75 v | 270オーム | ||||||||||||
![]() | RGP10D-5020M3/54 | - | ![]() | 1113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZT52C20-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 7133 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C20 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 15 V | 20 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | BZG05B100-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 8793 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B100 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 75 V | 100 V | 350オーム | ||||||||||||
VS-31DQ10 | - | ![]() | 4645 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | 31dq10 | ショットキー | C-16 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 850 mv @ 3 a | 1 MA @ 100 V | -40°C〜150°C | 3.3a | - | ||||||||||||
![]() | VS-20ETF02FPPBF | - | ![]() | 3518 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 20ETF02 | 標準 | TO-220ACフルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 20 a | 160 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5248C-G3-08 | 0.0483 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 14 V | 18 v | 21オーム | |||||||||||||
![]() | vs-20cth03fppbf | - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 20cth03 | 標準 | TO-220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
BZX84B12-G3-18 | 0.0389 | ![]() | 8926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B12 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-60CTQ035-M3 | 1.4522 | ![]() | 9215 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 60CTQ035 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 30a | 720 mv @ 60 a | 2 MA @ 35 v | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | S5A-M3/9AT | 0.1549 | ![]() | 2906 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5a | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | 155CMQ015 | - | ![]() | 5595 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-249AA (修正)、D-60 | 155cmq | ショットキー | D-60 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *155CMQ015 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 15 V | 75a | 440 mV @ 75 a | 20 ma @ 15 v | -55°C〜125°C | ||||||||||
AZ23B51-HE3_A-08 | - | ![]() | 4037 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23B51-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-SD1553C25S30K | 344.0800 | ![]() | 3769 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | クランプオン | DO-200AC 、K-PUK | SD1553 | 標準 | DO-200AC 、K-PUK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 2500 V | 2.6 V @ 4000 a | 3 µs | 75 mA @ 2500 v | 1650a | - | |||||||||||
![]() | IRKD196/08 | - | ![]() | 3857 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | int-a-pak | IRKD196 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *IRKD196/08 | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 800 V | 195a | 20 mA @ 800 v | ||||||||||||
![]() | VS-SD1053C25S20L | 153.8400 | ![]() | 5143 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | クランプオン | do-200ab、b-puk | SD1053 | 標準 | do-200ab、b-puk | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 2500 V | 1.9 V @ 1500 a | 2 µs | 50 mA @ 2500 v | 1050A | - | |||||||||||
![]() | BYV98-150-TAP | 0.5742 | ![]() | 4335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | byv98 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.1 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | 4a | - | ||||||||||
AZ23C27-E3-08 | 0.0415 | ![]() | 8414 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C27 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | |||||||||||||
![]() | BZM55B18-TR | 0.3200 | ![]() | 5795 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B18 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 13 V | 18 v | 170オーム | ||||||||||||
![]() | BZX85B3V0-TR | 0.3800 | ![]() | 3573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B3V0 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 100 µA @ 1 V | 3 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | SS24S-61HE3J_B/i | - | ![]() | 9851 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS24 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 2 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 2a | 130pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZT03D9V1-TR | - | ![]() | 7518 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.04% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 20 µA @ 6.8 v | 9.1 v | 4オーム | ||||||||||||
![]() | GP10-4004E-E3/54 | 0.1840 | ![]() | 3001 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | - | 1a | - | |||||||||||||
70U120D | - | ![]() | 9459 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 70U120 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.3 V @ 785 a | 60ma @ 1200 v | -40°C〜200°C | 250a | - | ||||||||||||
![]() | SBLF2030CT-E3/45 | - | ![]() | 3179 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | SBLF2030 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 10a | 600 mV @ 10 a | 1 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | TZS4717-GS08 | 0.0411 | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | TZS4717 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 100 MA | 10 µA @ 32.6 v | 43 v | |||||||||||||
DZ23C12-HE3-08 | 0.3300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-Q101 、DZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通カソード | 100 na @ 9 v | 12 v | 20オーム | |||||||||||||
VSB3200-M3/51 | - | ![]() | 8853 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | VSB3200 | ショットキー | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 3 a | 60 µa @ 200 v | -40°C〜150°C | 3a | 175pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | IRKJ91/16A | - | ![]() | 9119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | IRKJ91 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 1600 v | 100a | 10 mA @ 1600 v | |||||||||||||
![]() | S1PG-M3/85A | 0.0592 | ![]() | 6249 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | S1P | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 6PF @ 4V、1MHz |
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