画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UGF8DT-E3/45 | - | ![]() | 2755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | UGF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | bym12-150he3_a/i | - | ![]() | 4948 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | bym12-150he3_b/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SML4731AHE3/61 | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4731 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9オーム | ||||||||||||||
![]() | VBT6045CBP-E3/4W | 2.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT6045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 640 mV @ 30 a | 3 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | ss24she3j_b/h。 | - | ![]() | 7657 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS24 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 550 mv @ 2 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 2a | 130pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | vs-80aps16pbf | - | ![]() | 5686 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 80APS16 | 標準 | TO-247AC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs80aps16pbf | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.17 V @ 80 a | 100 µA @ 1600 V | -40°C〜150°C | 80a | - | |||||||||||
![]() | VS-60CPF12PBF | - | ![]() | 9017 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 60cpf12 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.4 V @ 60 a | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 60a | - | |||||||||||
![]() | SS8PH10-E3/87A | - | ![]() | 6544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS8PH10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 900 mV @ 8 a | 2 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | S3DHE3/9AT | - | ![]() | 1779 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 2.5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
BZX84C47-G3-18 | 0.0353 | ![]() | 1742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C47 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-VSKJ71/04 | 36.5930 | ![]() | 7205 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKJ71 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKJ7104 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 400 V | 40a | 10 mA @ 400 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SBYV26CHM3/73 | - | ![]() | 9050 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SBYV26 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.5 V @ 1 a | 30 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SML4759he3_a/h | 0.1658 | ![]() | 9455 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4759 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 125オーム | ||||||||||||||
![]() | BZM55C36-TR | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55C36 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 220オーム | |||||||||||||
![]() | B40C800DM-E3/45 | 0.6400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C | 穴を通して | 4-EDIP (0.300 "、7.62mm) | B40 | 標準 | DFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1 V @ 900 Ma | 10 µA @ 65 V | 900 Ma | 単相 | 65 v | |||||||||||||
![]() | V10KM120DU-M3/i | 0.6400 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | V10KM120 | ショットキー | フラットパック5x6(デュアル) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 120 v | 10a | 890 mV @ 5 a | 350 µA @ 120 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | byvf32-50he3_a/p | 1.0725 | ![]() | 3734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byvf32 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-VSKC166/12PBF | 61.0087 | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | int-a-pak | VSKC166 | 標準 | int-a-pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 165a | |||||||||||||||
![]() | VS-MBRB20100CTL-M3 | 0.8471 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | VS-8CSH01-M3/87A | 0.3189 | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 8CSH01 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 4a | 950 mV @ 4 a | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | 1N5221C-TR | 0.0373 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5221 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | GP20GHE3/73 | - | ![]() | 5505 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | GP20 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 2 a | 5 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||
![]() | BZT55B47-GS08 | 0.0433 | ![]() | 5374 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55B47 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 36 V | 47 v | 110オーム | |||||||||||||
BZX84C18-HE3_A-18 | 0.0498 | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84C18-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 12.6 v | 18 v | 45オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4007GPHE3/54 | - | ![]() | 3839 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4007 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | IN4007GPHE3/54 | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | RS2G/1 | - | ![]() | 5231 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | rs2g | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1.5 a | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZD27C100P-M-08 | - | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C100 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | |||||||||||||
![]() | MBRB1550CT-E3/81 | - | ![]() | 9229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB15 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 7.5a | 750 mV @ 7.5 a | 1 MA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
BZX84C56-E3-18 | 0.0306 | ![]() | 9683 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C56 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 39.2 v | 56 v | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-UFB80FA60 | 17.0741 | ![]() | 2034 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | UFB80 | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSUFB80FA60 | ear99 | 8541.10.0080 | 160 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 600 V | 57a | 1.9 V @ 60 a | 34 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C |
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