画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-VSKD270-16PBF | 206.3550 | ![]() | 2622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKD270 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKD27016PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 1600 v | 135a | 50 mA @ 1600 v | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | VS-T70HFL100S05 | 29.8890 | ![]() | 3025 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T70 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 500 ns | 100 µA @ 1000 V | 70a | - | ||||||||||||
![]() | VFT1080S-M3/4W | 0.4884 | ![]() | 4255 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | VFT1080 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 810 mv @ 10 a | 600 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | VS-MBRD330TRLPBF | - | ![]() | 2016年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | MBRD3 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 490 mV @ 3 a | 200 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 3a | 189pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
VS-30ETU12-M3 | 2.0300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 30ETU12 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.68 V @ 30 a | 220 ns | 145 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||
![]() | v8pa15hm3/i | 0.5600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221BC | V8PA15 | ショットキー | DO-221BC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.2 V @ 8 a | 500 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | 8a | 510pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
RGP30BHE3/73 | - | ![]() | 8836 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | RGP30 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 3 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||
![]() | VS-16CTQ100-N3 | - | ![]() | 5669 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 16CTQ100 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS16CTQ100N3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 8a | 880 mV @ 16 a | 550 µA @ 100 V | 175°C (最大) | ||||||||||
![]() | EGP30F-E3/54 | - | ![]() | 4582 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | EGP30 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | 60apu06 | - | ![]() | 2328 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | 60apu06 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.68 V @ 60 a | 81 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||
![]() | SML4736-E3/61 | - | ![]() | 4385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4736 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 10 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5オーム | |||||||||||||
![]() | MSS1P3LHM3/89A | - | ![]() | 1289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | MicroSMP | MSS1p3 | ショットキー | microSMP (DO-219AD) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 1 a | 250 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 1a | 65pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-30BQ040-M3/9AT | 0.9500 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | 30BQ040 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 530 mv @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | 230pf @ 5V、1MHz | |||||||||||
![]() | BYV29F-300-E3/45 | - | ![]() | 8285 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv29 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VS-87CNQ020ASMPBF | - | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | D-61-8-SM | 87CNQ020 | ショットキー | D-61-8-SM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS87CNQ020ASMPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 40a | 450 mV @ 40 a | 5.5 mA @ 20 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-15ETU12HN3 | 0.9240 | ![]() | 3576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 15ETU12 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.78 V @ 15 a | 167 ns | 80 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||
![]() | uh6pdhm3/86a | - | ![]() | 7914 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | uh6 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 6 a | 140 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 6a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-MBRB2535CTTRRP | - | ![]() | 2525 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 820 mV @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | |||||||||||
![]() | MMSZ5251C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5251C-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 17 V | 22 v | 29オーム | |||||||||||||||
![]() | UH1D-M3/61T | - | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | uh1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.05 V @ 1 a | 30 ns | 1 µA @ 150 V | -55°C〜175°C | 1a | 17pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
GP30DLHE3/72 | - | ![]() | 1950年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GP30 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 3 a | 5 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SE100PWG-M3/i | 0.2673 | ![]() | 7089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | SE100 | 標準 | Slimdpak | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.14 V @ 10 a | 2.6 µs | 20 µA @ 400 v | -55°C〜175°C | 10a | 78pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MMSZ4702-G3-18 | 0.0409 | ![]() | 4307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4702 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | ||||||||||||||
![]() | 1N4944GP-M3/54 | - | ![]() | 1752 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4944 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | AS1PJ-M3/85A | 0.2393 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AS1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.15 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 600 v | -55°C〜175°C | 1.5a | 10.4pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
AZ23B36-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 9147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B36 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 27 V | 36 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | MBRB10100-M3/4W | 0.7447 | ![]() | 3950 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB10100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | VFT4045C-M3/4W | 1.5015 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | VFT4045 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 20a | 580 mV @ 20 a | 3 MA @ 45 v | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | BZG03B20-HM3-08 | 0.2310 | ![]() | 5824 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03B20 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 15 V | 20 v | 15オーム | ||||||||||||
![]() | IRKJ56/06A | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | IRKJ56 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 600 V | 60a | 10 mA @ 600 v |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫