画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TZMB68-GS08 | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB68 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 51 v | 68 v | 200オーム | ||||||||||||
![]() | Z4KE110AHE3/73 | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | Z4KE110 | 1.5 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 500 MA | 500 NA @ 83.2 v | 110 v | 600オーム | ||||||||||||
![]() | UH3B-E3/9AT | - | ![]() | 9028 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | uh3 | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.05 V @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | S1PKHM3/84A | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | S1P | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 6PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ5257C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 2800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5257C-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||
![]() | GP10BEHE3/54 | - | ![]() | 3033 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | V15P8HM3_A/i | 0.4562 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V15p8 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 80 v | 660 mV @ 15 a | 1.2 mA @ 80 v | -40°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||||
![]() | 1N5625-TR | 1.0100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | 1N5625 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1 V @ 3 a | 3 µs | 1 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SS14HE3_B/i | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SS14 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||
![]() | GP10V-M3/73 | - | ![]() | 8230 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 1400 v | 1.3 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1400 v | -65°C〜150°C | 1a | 5PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | fepb16jthe3_a/i | 1.3171 | ![]() | 1744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB16 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 8a | 1.5 V @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | B160-M3/5AT | 0.0668 | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B160 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mv @ 1 a | 200 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||
![]() | SMAZ5945B-E3/5A | 0.1150 | ![]() | 1227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SMAZ5945 | 500 MW | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 51.7 v | 68 v | 120オーム | ||||||||||||
![]() | BZG05B13-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 8707 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B13 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 10 V | 13 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | SS2PH6-M3/84A | 0.0809 | ![]() | 1548 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | SS2PH6 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 800 mV @ 2 a | 2 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 2a | 93pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-T70HFL10S05 | 29.4360 | ![]() | 9230 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T70 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 100 V | 500 ns | 100 µA @ 100 V | 70a | - | ||||||||||||
![]() | BZG03C270TR3 | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03C | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 200 v | 270 v | 1000オーム | ||||||||||||
![]() | VX30202CHM3/p | 1.5675 | ![]() | 1529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VX30202CHM3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||
AZ23B36-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 7417 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B36 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 27 V | 36 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | BZD17C7V5P-E3-18 | 0.1482 | ![]() | 2322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17C7V5 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 50 µA @ 3 V | 7.5 v | |||||||||||||
![]() | RS1B-E3/61T | 0.4700 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS1B | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MBR25H60CT-E3/4W | - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR25 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 700 mV @ 15 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | bym13-20he3/97 | - | ![]() | 6905 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | bym13 | ショットキー | gl41(do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym13-20he3_a/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | 110pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | UGB5HTHE3/45 | - | ![]() | 7040 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB5 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.75 V @ 5 a | 50 ns | 30 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | BZX55A16-TAP | - | ![]() | 1514 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 12 v | 16 v | 40オーム | ||||||||||||
![]() | BZD17C12P-E3-18 | 0.5400 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 3 µA @ 9.1 v | 12 v | |||||||||||||
![]() | GP10DE-M3/54 | - | ![]() | 4721 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
AZ23B5V1-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 7607 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B5V1 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 800 mV | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | TLZ7V5A-GS08 | 0.0335 | ![]() | 9497 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ7V5 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 3 µA @ 6.5 v | 7.5 v | 8オーム | ||||||||||||
![]() | BZX55B43-TAP | 0.2200 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B43 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 90オーム |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫