SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) @ @ if、f
SL23HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL23HE3/5BT -
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント DO-214AA、SMB SL23 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,200 高速回復= <500ns 30 V 440 mV @ 2 a 400 µA @ 30 V -55°C〜125°C 2a -
V8PM12HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pm12hm3_a/i 0.3008
RFQ
ECAD 9166 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN v8pm12 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 120 v 840 mV @ 8 a 300 µA @ 120 V -40°C〜150°C 3.6a -
MMSZ5249B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5249B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 8340 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5249 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 Na @ 14 V 19 v 23オーム
BZD27C51P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C51P-HE3-18 0.1645
RFQ
ECAD 8373 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzd27c テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C51 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 39 v 51 v 60オーム
SS34-7001HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34-7001HE3_A/i -
RFQ
ECAD 4860 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント do-214ab 、mc SS34 ショットキー DO-214AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,500 高速回復= <500ns 40 v 500 mV @ 3 a 500 µA @ 40 V -55°C〜150°C 3a -
BA479S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA479S-TR 0.1568
RFQ
ECAD 3672 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 125°C (TJ) do-204ah do-35 、軸 BA479 do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 50,000 50 Ma 0.5pf @ 0V 、100MHz ピン -シングル 30V 50OHM @ 1.5MA 、100MHz
BZD27C130P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C130P-M-08 -
RFQ
ECAD 8763 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27-M テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C130 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 100 V 130 v 300オーム
BZX55B7V5-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B7V5-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 aec-q101、bzx55 カットテープ(CT) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX55B7V5 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 5 V 7.5 v 7オーム
TZQ5224B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5224B-GS08 0.0303
RFQ
ECAD 4098 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント TZQ5224 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 mA 75 µA @ 1 V 2.8 v 30オーム
NSB8ATHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division nsb8athe3_b/i 0.6930
RFQ
ECAD 2936 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 NSB8 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 標準回復> 500ns 50 v 1.1 V @ 8 a 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 8a 55pf @ 4V、1MHz
BZT55C39-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C39-GS18 0.0283
RFQ
ECAD 8136 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzt55 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント BZT55C39 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 30 V 39 v 90オーム
V12W60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12W60C-M3/i -
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント to-252-3 V12W60 ショットキー d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 6a 620 mv @ 6 a 3.5 mA @ 60 v -40°C〜150°C
MMSZ4693-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4693-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 6515 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 前回購入します ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ4693 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 10 µA @ 5.7 v 7.5 v
BZX584C10-V-G-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C10-VG-08 -
RFQ
ECAD 6819 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX584C-VG テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 200 Na @ 7 V 10 v 20オーム
1N4747A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4747A-T -
RFQ
ECAD 5160 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4747 1.3 w DO-41 - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 mA 5 µA @ 15.2 v 20 v 750オーム
VS-48CTQ060PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-48CTQ060PBF -
RFQ
ECAD 4553 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-3 48CTQ060 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 20a 610 mv @ 20 a 2 ma @ 60 v -55°C〜150°C
MMBZ4706-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4706-E3-08 -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4706 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 50 Na @ 14.4 v 19 v
SMZJ3805AHE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3805AHE3/5B -
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±10% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ38 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 35.8 v 47 v 67オーム
BZG05C24-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C24-M3-18 0.1089
RFQ
ECAD 1358 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZG05C-M テープ&リール( tr) アクティブ ±5.83% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05C24 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 18 V 24 v 25オーム
VT1045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1045CBP-M3/4W 0.6329
RFQ
ECAD 7419 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 VT1045 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 5a 580 mV @ 5 a 500 µA @ 45 V 200°C (最大)
BZD27C11P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C11P-M3-18 0.1500
RFQ
ECAD 7531 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27-M テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 mA 4 µA @ 8.2 v 11 v 7オーム
MMBZ5250C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5250C-E3-08 -
RFQ
ECAD 5693 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ5250 225 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 100 Na @ 15 V 20 v 25オーム
VS-95-9870PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95-9870PBF -
RFQ
ECAD 5958 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * チューブ 廃止 - ROHS3準拠 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 50
SS2P5HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P5HE3/84A -
RFQ
ECAD 6809 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive 、AEC-Q100、ESMP® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-220AA SS2P5 ショットキー DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 50 v 700 mV @ 2 a 100 µA @ 50 V -55°C〜150°C 2a 80pf @ 4V、1MHz
SS3H9HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3H9HE3_B/i 0.2754
RFQ
ECAD 6778 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc SS3H9 ショットキー do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,500 高速回復= <500ns 90 v 800 mV @ 3 a 20 µA @ 90 V -65°C〜175°C 3a -
1N4936GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4936GP-E3/73 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® カットテープ(CT) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4936 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.2 V @ 1 a 200 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
S1FLJ-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1FLJ-GS08 0.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-219AB S1F 標準 do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 1.8 µs 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 700MA 4PF @ 4V、1MHz
MMBZ5235C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5235C-E3-08 -
RFQ
ECAD 9844 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ5235 225 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 5 V 6.8 v 5オーム
IRKJ56/08A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKJ56/08A -
RFQ
ECAD 6589 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 シャーシマウント add-a-pak IRKJ56 標準 Add-A-Pak® ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 800 V 60a 10 mA @ 800 v
SS8P5CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P5CHM3/86A -
RFQ
ECAD 9292 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SS8P5 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 4a 700 mV @ 4 a 50 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫