画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SL23HE3/5BT | - | ![]() | 4720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SL23 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 30 V | 440 mV @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | v8pm12hm3_a/i | 0.3008 | ![]() | 9166 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | v8pm12 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 120 v | 840 mV @ 8 a | 300 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | 3.6a | - | |||||||||||||
![]() | MMSZ5249B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 8340 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5249 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | |||||||||||||||
![]() | BZD27C51P-HE3-18 | 0.1645 | ![]() | 8373 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27c | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C51 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | SS34-7001HE3_A/i | - | ![]() | 4860 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS34 | ショットキー | DO-214AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | BA479S-TR | 0.1568 | ![]() | 3672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | do-204ah do-35 、軸 | BA479 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 50 Ma | 0.5pf @ 0V 、100MHz | ピン -シングル | 30V | 50OHM @ 1.5MA 、100MHz | ||||||||||||||||
![]() | BZD27C130P-M-08 | - | ![]() | 8763 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C130 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 100 V | 130 v | 300オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX55B7V5-TAP | 0.2200 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B7V5 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | TZQ5224B-GS08 | 0.0303 | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | TZQ5224 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2.8 v | 30オーム | ||||||||||||||
![]() | nsb8athe3_b/i | 0.6930 | ![]() | 2936 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | NSB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZT55C39-GS18 | 0.0283 | ![]() | 8136 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55C39 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 30 V | 39 v | 90オーム | ||||||||||||||
![]() | V12W60C-M3/i | - | ![]() | 4367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | V12W60 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 6a | 620 mv @ 6 a | 3.5 mA @ 60 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | MMSZ4693-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 6515 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ4693 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 10 µA @ 5.7 v | 7.5 v | ||||||||||||||||
BZX584C10-VG-08 | - | ![]() | 6819 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX584C-VG | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 7 V | 10 v | 20オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4747A-T | - | ![]() | 5160 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4747 | 1.3 w | DO-41 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 750オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-48CTQ060PBF | - | ![]() | 4553 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 48CTQ060 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 610 mv @ 20 a | 2 ma @ 60 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
MMBZ4706-E3-08 | - | ![]() | 6693 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4706 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 14.4 v | 19 v | |||||||||||||||||
![]() | SMZJ3805AHE3/5B | - | ![]() | 9268 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±10% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ38 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 67オーム | |||||||||||||||
![]() | BZG05C24-M3-18 | 0.1089 | ![]() | 1358 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.83% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05C24 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 18 V | 24 v | 25オーム | ||||||||||||||
![]() | VT1045CBP-M3/4W | 0.6329 | ![]() | 7419 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | VT1045 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 5a | 580 mV @ 5 a | 500 µA @ 45 V | 200°C (最大) | |||||||||||||
![]() | BZD27C11P-M3-18 | 0.1500 | ![]() | 7531 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 4 µA @ 8.2 v | 11 v | 7オーム | ||||||||||||||
MMBZ5250C-E3-08 | - | ![]() | 5693 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5250 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-95-9870PBF | - | ![]() | 5958 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | チューブ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS2P5HE3/84A | - | ![]() | 6809 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q100、ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | SS2P5 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 2 a | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 80pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SS3H9HE3_B/i | 0.2754 | ![]() | 6778 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS3H9 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 90 v | 800 mV @ 3 a | 20 µA @ 90 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4936GP-E3/73 | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4936 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | S1FLJ-GS08 | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S1F | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 700MA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
MMBZ5235C-E3-08 | - | ![]() | 9844 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5235 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||||||
![]() | IRKJ56/08A | - | ![]() | 6589 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | add-a-pak | IRKJ56 | 標準 | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 800 V | 60a | 10 mA @ 800 v | |||||||||||||||
![]() | SS8P5CHM3/86A | - | ![]() | 9292 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS8P5 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 4a | 700 mV @ 4 a | 50 µA @ 50 V | -55°C〜150°C |
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