画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZG05C5V1-E3-TR3 | - | ![]() | 3086 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 1.5 v | 5.1 v | 10オーム | ||||||||||||
![]() | bys10-45hm3_a/i | 0.0884 | ![]() | 3021 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-BYS10-45HM3_A/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||||||
![]() | VS-40HFL10S02 | 8.5510 | ![]() | 9394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 40HFL10 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.95 V @ 40 a | 200 ns | 100 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | ES1PDHM3/84A | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | ES1 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-18TQ040STRLHM3 | 1.1798 | ![]() | 8492 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 18tq040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-18TQ040STRLHM3TR | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 18 a | 2.5 mA @ 40 v | -55°C〜175°C | 18a | 1400pf @ 5V、1MHz | ||||||||||
![]() | V60DM120CHM3/i | 2.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V60DM120 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 30a | 970 mV @ 30 a | 700 µA @ 120 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | BAS34-TR | 0.0429 | ![]() | 2302 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAS34 | 標準 | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 60 V | 1 V @ 100 MA | 1 Na @ 30 V | 175°C (最大) | 200mA | 3PF @ 0V、1MHz | |||||||||||
![]() | TZX10D-TAP | 0.2300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | カットテープ(CT) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX10 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 7.5 v | 10 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | VS-8EWF06STR-M3 | 3.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 8ewf06 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.2 V @ 8 a | 55 ns | 100 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | TZMB30-GS18 | 0.0411 | ![]() | 6247 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB30 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 22 v | 30 V | 80オーム | ||||||||||||
AZ23C3V3-E3-18 | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C3V3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||||
![]() | FEPF16CT-E3/45 | - | ![]() | 4394 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | FEPF16 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 8a | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | murb2020cttrr | - | ![]() | 5610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | murb2020 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 35 ns | 15 µa @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | VS-1N3882R | - | ![]() | 1454 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 1N3882 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.4 V @ 6 a | 300 ns | 15 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | ES07D-M-08 | 0.4900 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | ES07 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 980 mV @ 1 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 500mA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GDZ33B-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 6999 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、gdz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ33 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 250オーム | |||||||||||||
![]() | plz4v7b-g3/h | 0.2800 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.67% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AC | plz4v7 | 960 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.68 v | 25オーム | ||||||||||||
![]() | BZD27B200P-HE3-18 | 0.1238 | ![]() | 2116 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27b | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B200 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 150 V | 200 v | 500オーム | ||||||||||||
![]() | VS-30ETH06-1-M3 | 0.8745 | ![]() | 8759 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | 30eth06 | 標準 | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.6 V @ 30 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||
![]() | ES1AHE3/61T | - | ![]() | 7777 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | ES1 | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 50 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | V35pw60hm3/i | 1.4300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | V35PW60 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 720 mV @ 35 a | 5 ma @ 60 v | -55°C〜150°C | 35a | 3600pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | GDZ36B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 9069 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±4% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | GDZ36 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 300オーム | |||||||||||||
![]() | VS-VSKJ320-12PBF | 201.0700 | ![]() | 5566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKJ320 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKJ32012PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通アノード | 1200 v | 160a | 50 mA @ 1200 v | -40°C〜150°C | |||||||||||
![]() | nsb8dthe3_b/p | 0.6930 | ![]() | 4209 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | NSB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | V10P10-M3/87A | 0.8800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 680 mV @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | VS-HFA16PA120CPBF | - | ![]() | 8261 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | HFA16 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 8a(dc) | 3.3 V @ 8 a | 95 ns | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | V15K150CHM3/i | 0.4737 | ![]() | 9547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V15K150CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 3.2a | 1.08 V @ 7.5 a | 300 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MMSZ5238C-HE3-08 | 0.0454 | ![]() | 8304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5238 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | sl44he3_b/h。 | 0.4125 | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SL44 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 8 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | AS1PDHM3/85A | 0.3630 | ![]() | 4989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AS1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 1.5a | 10.4pf @ 4V、1MHz |
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