SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZG05C5V1-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C5V1-E3-TR3 -
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZG05C テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 1.5 v 5.1 v 10オーム
BYS10-45HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10-45hm3_a/i 0.0884
RFQ
ECAD 3021 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA bys10 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-BYS10-45HM3_A/ITR ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 45 v 500 mV @ 1 a 500 µA @ 45 V -65°C〜150°C 1.5a -
VS-40HFL10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFL10S02 8.5510
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 40HFL10 標準 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 100 V 1.95 V @ 40 a 200 ns 100 µA @ 100 V -40°C〜125°C 40a -
ES1PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1PDHM3/84A 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-220AA ES1 標準 DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 920 mv @ 1 a 25 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V、1MHz
VS-18TQ040STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ040STRLHM3 1.1798
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 18tq040 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-18TQ040STRLHM3TR ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 18 a 2.5 mA @ 40 v -55°C〜175°C 18a 1400pf @ 5V、1MHz
V60DM120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60DM120CHM3/i 2.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 V60DM120 ショットキー TO-263AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 120 v 30a 970 mV @ 30 a 700 µA @ 120 V -40°C〜175°C
BAS34-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS34-TR 0.0429
RFQ
ECAD 2302 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BAS34 標準 do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 50,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 60 V 1 V @ 100 MA 1 Na @ 30 V 175°C (最大) 200mA 3PF @ 0V、1MHz
TZX10D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX10D-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、TZX カットテープ(CT) アクティブ - -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 TZX10 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 1 µA @ 7.5 v 10 v 25オーム
VS-8EWF06STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF06STR-M3 3.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 8ewf06 標準 d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 600 V 1.2 V @ 8 a 55 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C 8a -
TZMB30-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB30-GS18 0.0411
RFQ
ECAD 6247 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、TZM テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TZMB30 500 MW SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 100 na @ 22 v 30 V 80オーム
AZ23C3V3-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C3V3-E3-18 0.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 AZ23 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 AZ23C3V3 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1ペア共通アノード 3.3 v 95オーム
FEPF16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPF16CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ FEPF16 標準 ITO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 8a 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 150 v -55°C〜150°C
MURB2020CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division murb2020cttrr -
RFQ
ECAD 5610 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 murb2020 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 10a 850 mv @ 8 a 35 ns 15 µa @ 200 v -65°C〜175°C
VS-1N3882R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3882R -
RFQ
ECAD 1454 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N3882 標準、逆極性 do-203aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 300 V 1.4 V @ 6 a 300 ns 15 µA @ 300 V -65°C〜150°C 6a -
ES07D-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07D-M-08 0.4900
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-219AB ES07 標準 do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 25 ns 10 µA @ 200 v -55°C〜150°C 500mA 4PF @ 4V、1MHz
GDZ33B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ33B-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 6999 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、gdz テープ&リール( tr) アクティブ ±4% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 GDZ33 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 100 Na @ 25 V 33 v 250オーム
PLZ4V7B-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz4v7b-g3/h 0.2800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 plz テープ&リール( tr) アクティブ ±2.67% 150°C (TJ) 表面マウント DO-219AC plz4v7 960 MW do-219ac(microsmf) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.68 v 25オーム
BZD27B200P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B200P-HE3-18 0.1238
RFQ
ECAD 2116 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzd27b テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27B200 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 150 V 200 v 500オーム
VS-30ETH06-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30ETH06-1-M3 0.8745
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads 30eth06 標準 TO-262AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 2.6 V @ 30 a 35 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
ES1AHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1AHE3/61T -
RFQ
ECAD 7777 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-214AC、SMA ES1 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 高速回復= <500ns 50 v 920 mv @ 1 a 25 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V、1MHz
V35PW60HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V35pw60hm3/i 1.4300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 V35PW60 ショットキー Slimdpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,500 高速回復= <500ns 60 V 720 mV @ 35 a 5 ma @ 60 v -55°C〜150°C 35a 3600pf @ 4V、1MHz
GDZ36B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ36B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 9069 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 GDZ テープ&リール( tr) アクティブ ±4% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 GDZ36 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 Na @ 27 V 36 v 300オーム
VS-VSKJ320-12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ320-12PBF 201.0700
RFQ
ECAD 5566 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント 3-MAGN-A-PAK™ VSKJ320 標準 Magn-A-Pak® ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSVSKJ32012PBF ear99 8541.10.0080 2 標準回復> 500ns 1ペア共通アノード 1200 v 160a 50 mA @ 1200 v -40°C〜150°C
NSB8DTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division nsb8dthe3_b/p 0.6930
RFQ
ECAD 4209 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 NSB8 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 8 a 10 µA @ 200 v -55°C〜150°C 8a 55pf @ 4V、1MHz
V10P10-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P10-M3/87A 0.8800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP®、TMBS® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN V10P10 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 100 V 680 mV @ 10 a 150 µA @ 100 V -40°C〜150°C 10a -
VS-HFA16PA120CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16PA120CPBF -
RFQ
ECAD 8261 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 HFA16 標準 TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 1200 v 8a(dc) 3.3 V @ 8 a 95 ns 10 µA @ 1200 v -55°C〜150°C
V15K150CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15K150CHM3/i 0.4737
RFQ
ECAD 9547 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 8-powertdfn ショットキー フラットパック(5x6) ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-V15K150CHM3/ITR ear99 8541.10.0080 6,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 3.2a 1.08 V @ 7.5 a 300 µA @ 150 V -40°C〜150°C
MMSZ5238C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5238C-HE3-08 0.0454
RFQ
ECAD 8304 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 前回購入します ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5238 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 6.5 v 8.7 v 8オーム
SL44HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sl44he3_b/h。 0.4125
RFQ
ECAD 4227 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc SL44 ショットキー do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 850 高速回復= <500ns 40 v 500 mV @ 8 a 500 µA @ 40 V -55°C〜125°C 8a -
AS1PDHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1PDHM3/85A 0.3630
RFQ
ECAD 4989 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-220AA AS1 雪崩 DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 標準回復> 500ns 200 v 1.15 V @ 1.5 a 1.5 µs 5 µA @ 200 V -55°C〜175°C 1.5a 10.4pf @ 4V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫