画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | V10P10-M3/87A | 0.8800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V10P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 680 mV @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||
![]() | VS-HFA16PA120CPBF | - | ![]() | 8261 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | HFA16 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 1200 v | 8a(dc) | 3.3 V @ 8 a | 95 ns | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | V15K150CHM3/i | 0.4737 | ![]() | 9547 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V15K150CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 3.2a | 1.08 V @ 7.5 a | 300 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | MMSZ5238C-HE3-08 | 0.0454 | ![]() | 8304 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5238 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | sl44he3_b/h。 | 0.4125 | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SL44 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 8 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | AS1PDHM3/85A | 0.3630 | ![]() | 4989 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | AS1 | 雪崩 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.15 V @ 1.5 a | 1.5 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 1.5a | 10.4pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | SE07PD-M3/84A | 0.0696 | ![]() | 2673 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | SE07 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.05 V @ 700 MA | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 700MA | 5PF @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZW03C43-TR | - | ![]() | 7675 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 33 v | 43 v | 20オーム | ||||||||||||
DZ23C12-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 7566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通カソード | 100 na @ 9 v | 12 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | by269tr | 0.7600 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BY269 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 1600 v | 1.25 V @ 400 MA | 400 ns | 2 µA @ 1600 v | -55°C〜175°C | 800mA | - | ||||||||||
![]() | BZT52C43-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 8533 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C43 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 32 v | 43 v | 60オーム | |||||||||||||
![]() | VS-T110HF80 | 34.5980 | ![]() | 2416 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T110 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 800 V | 20 mA @ 800 v | 110a | - | |||||||||||||
ns8mthe3_a/p | - | ![]() | 7377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | NS8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
MMBZ5239B-G3-18 | - | ![]() | 6502 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5239 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||
ZM4728A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZM4728 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 100 µA @ 1 V | 3.31 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | SS8P4C-M3/86A | 0.6700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS8P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 4a | 580 mV @ 4 a | 300 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
DZ23B6V8-G3-08 | - | ![]() | 2911 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23-G | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 3 V | 6.8 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | MMSZ5226B-G3-08 | 0.3100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5226 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | |||||||||||||
BZX84C39-E3-18 | 0.0306 | ![]() | 8491 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84C39 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 27.3 v | 39 v | 130オーム | ||||||||||||||
![]() | SMZJ3805B-M3/52 | 0.1304 | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3805 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 35.8 v | 47 v | 67オーム | |||||||||||||
![]() | GLL4747-E3/96 | 0.3053 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±10% | -65°C〜150°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | GLL4747 | 1 W | melf do-213ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µA @ 15.2 v | 20 v | 22オーム | |||||||||||||
![]() | VSB2200S-M3/54 | - | ![]() | 7342 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | B2200 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.23 V @ 2 a | 40 µA @ 200 v | -40°C〜150°C | 2a | 110pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | NSB8KT-E3/81 | 0.6175 | ![]() | 5679 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | NSB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | SMZG3791BHE3/5B | 0.1980 | ![]() | 8563 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMZG3791 | 1.5 w | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 9.1 v | 12 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | MBRB25H60CTHE3/81 | - | ![]() | 8723 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 700 mV @ 15 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | VS-403CNQ100PBF | 47.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-244AB | 403CNQ100 | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 200a | 840 mV @ 200 a | 6 MA @ 100 V | -55°C〜175°C | |||||||||||
![]() | MMSZ5256C-E3-08 | 0.3200 | ![]() | 6267 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5256 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 23 V | 30 V | 49オーム | |||||||||||||
![]() | BZX384B36-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 5111 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B36 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 25.2 v | 36 v | 90オーム | |||||||||||||
![]() | MBR25H60CT-E3/45 | - | ![]() | 9295 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR25 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 700 mV @ 15 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | V20DM45C-M3/i | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V20DM45 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 10a | 620 mv @ 10 a | 200 µA @ 45 V | -40°C〜175°C |
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