RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
by269tr	0.7600	RFQ	61	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BY269	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		1600 v		1.25 V @ 400 MA	400 ns	2 µA @ 1600 v	-55°C〜175°C	800mA	-
BZT52C43-HE3-18	0.0378	RFQ	8533	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C43		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 32 v				43 v	60オーム
VS-T110HF80	34.5980	RFQ	2416	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T110	標準		D-55	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	10		標準回復> 500ns		800 V				20 mA @ 800 v		110a	-
ns8mthe3_a/p	-	RFQ	7377	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	NS8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
MMBZ5239B-G3-18	-	RFQ	6502	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5239		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 7 V				9.1 v	10オーム
ZM4728A-GS08	0.3900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZM4728		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,500								100 µA @ 1 V				3.31 v	10オーム
SS8P4C-M3/86A	0.6700	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	4a	580 mV @ 4 a		300 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
DZ23B6V8-G3-08	-	RFQ	2911	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23-G	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通カソード							100 Na @ 3 V				6.8 v	8オーム
MMSZ5226B-G3-08	0.3100	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5226		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000								25 µA @ 1 V				3.3 v	28オーム
BZX84C39-E3-18	0.0306	RFQ	8491	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C39		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000								50 Na @ 27.3 v				39 v	130オーム
SMZJ3805B-M3/52	0.1304	RFQ	9493	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3805		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	750								5 µA @ 35.8 v				47 v	67オーム
GLL4747-E3/96	0.3053	RFQ	7294	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4747		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	1,500								5 µA @ 15.2 v				20 v	22オーム
VSB2200S-M3/54	-	RFQ	7342	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	B2200	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns		200 v		1.23 V @ 2 a		40 µA @ 200 v	-40°C〜150°C	2a	110pf @ 4V、1MHz
NSB8KT-E3/81	0.6175	RFQ	5679	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	NSB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800		標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
SMZG3791BHE3/5B	0.1980	RFQ	8563	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMZG3791		1.5 w	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 9.1 v				12 v	7オーム
MBRB25H60CTHE3/81	-	RFQ	8723	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB25	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	700 mV @ 15 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
VS-403CNQ100PBF	47.3900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB	403CNQ100	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	10		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	200a	840 mV @ 200 a		6 MA @ 100 V	-55°C〜175°C
MMSZ5256C-E3-08	0.3200	RFQ	6267	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5256		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 23 V				30 V	49オーム
BZX384B36-G3-18	0.0445	RFQ	5111	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B36		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000								50 Na @ 25.2 v				36 v	90オーム
MBR25H60CT-E3/45	-	RFQ	9295	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR25	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	700 mV @ 15 a		100 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
V20DM45C-M3/i	1.3000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V20DM45	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	620 mv @ 10 a		200 µA @ 45 V	-40°C〜175°C
ES3C-M3/57T	0.2101	RFQ	1516	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3C	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		150 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
CSA2G-E3/h	-	RFQ	9719	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CSA2	標準		do-214ac	-			影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,800		標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 2 a	2.1 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2a	11pf @ 4V、1MHz
AZ23B51-HE3-18	0.0534	RFQ	2882	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B51		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 38 V				51 v	100オーム
VLZ39A-GS18	-	RFQ	4930	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ39		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 32.9 v				35.58 v	85オーム
TZX27C-TR	0.2300	RFQ	44	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX27		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 21 V				27 v	80オーム
ESH2B-E3/5BT	0.4300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ESH2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns		100 V		930 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	-
BZX85B3V0-TAP	0.0561	RFQ	1174	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85B3V0		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	25,000								100 µA @ 1 V				3 v	20オーム
82CNQ030ASL	-	RFQ	8493	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			表面マウント	D-61-8-SL	82CNQ	ショットキー		D-61-8-SL	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	20		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	40a	550 mv @ 80 a		5 ma @ 30 v	-55°C〜150°C
MBRF1035-E3/45	-	RFQ	7762	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF1035	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	10a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²