画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GP02-30-M3/73 | - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 3000 V | 3 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 3000 V | -65°C〜175°C | 250ma | 3PF @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 8TQ100STRR | - | ![]() | 2105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 8tq100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | SS10P4C-M3/87A | 0.3884 | ![]() | 7910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 5a | 530 mV @ 5 a | 550 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | 43CTQ100S | - | ![]() | 3762 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 43ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 810 mv @ 20 a | 1 MA @ 100 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | MMSZ5243B-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 5330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5243 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 13オーム | ||||||||||||
![]() | TZS4703-GS08 | 0.0411 | ![]() | 5378 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | TZS4703 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 100 MA | 50 Na @ 12.1 v | 16 v | ||||||||||||
![]() | sblb1640cthe3_b/p | 0.8745 | ![]() | 4506 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1640 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | 影響を受けていない | 112-sblb1640cthe3_b/p | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 8a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 40 V | -40°C〜125°C | |||||||||||
![]() | V20120S-E3/4W | 1.2500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | V20120 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 120 v | 1.12 V @ 20 a | 300 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | 20a | - | ||||||||||
![]() | VS-25CTQ035STRR-M3 | 0.8993 | ![]() | 2410 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 25CTQ035 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 560 mV @ 15 a | 1.75 mA @ 35 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | BZW03D33-TAP | - | ![]() | 3943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 23.5 v | 33 v | 10オーム | |||||||||||
VS-15ETX06-M3 | 1.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 15ETX06 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.2 V @ 15 a | 32 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||
![]() | SB140-E3/54 | 0.4200 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB140 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 480 mV @ 1 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 1a | - | ||||||||||
![]() | 1N5225Cタップ | 0.0339 | ![]() | 3578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±2% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5225 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 3 v | 29オーム | |||||||||||
![]() | FES8JTL-7002HE3/45 | - | ![]() | 6119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | FES8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||||||||||
![]() | VS-8EWF02STRL-M3 | 2.0160 | ![]() | 4561 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 8ewf02 | 標準 | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS8EWF02STRLM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.2 V @ 8 a | 200 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
EGP51G-E3/c | 1.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | EGP51 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 5 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 5a | 48pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | B360A-M3/61T | 0.4300 | ![]() | 822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B360 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 720 mV @ 3 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 145pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BA158-E3/54 | 0.3400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BA158 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜125°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | 12CWQ03FN | - | ![]() | 2887 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 12cwq | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 6a | 470 mV @ 6 a | 3 ma @ 30 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SMZJ3789bhm3_a/h | - | ![]() | 3930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3789 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 v | 10 v | 5オーム | ||||||||||||
![]() | BAS281-GS18 | 0.0550 | ![]() | 8571 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-80バリアント | BAS281 | ショットキー | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 200 V | 125°C (最大) | 30ma | 1.6pf @ 1V、1MHz | ||||||||||
![]() | LS4154GS08 | 0.0254 | ![]() | 6185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-80バリアント | LS4154 | 標準 | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 12,500 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 25 v | 1 V @ 30 mA | 4 ns | 100 Na @ 25 V | 175°C (最大) | 150ma | 4PF @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | BAT46-TAP | 0.4300 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAT46 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1 V @ 250 Ma | 5 µA @ 75 V | 125°C (最大) | 150ma | 6PF @ 1V 、1MHz | ||||||||||
![]() | rs1pjhe3/85a | - | ![]() | 1200 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-220AA | RS1 | 標準 | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 9pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-61CTQ035PBF | - | ![]() | 3792 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 61CTQ035 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS61CTQ035PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 30a | 610 mv @ 30 a | 1 MA @ 35 v | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | VS-HFA30PA60CPBF | - | ![]() | 3510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-247-3 | HFA30 | 標準 | TO-247AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 1.7 V @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | VS-70HF120 | 14.4500 | ![]() | 4404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HF120 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.35 V @ 220 a | 9 mA @ 1200 v | -65°C〜150°C | 70a | - | ||||||||||
![]() | VS-40HFR80 | 9.1600 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 40HFR80 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 125 a | 9 mA @ 800 v | -65°C〜190°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | RGP02-14E-M3/73 | - | ![]() | 9772 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | RGP02 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1400 v | 1.8 V @ 100 MA | 300 ns | 5 µA @ 1400 v | -65°C〜175°C | 500mA | - | |||||||||
![]() | SF5401-TAP | 0.5445 | ![]() | 8368 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | SF5401 | 標準 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 3a | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫