SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
GP02-30-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP02-30-M3/73 -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 GP02 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 3000 V 3 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 3000 V -65°C〜175°C 250ma 3PF @ 4V、1MHz
8TQ100STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8TQ100STRR -
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 8tq100 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 100 V 720 mV @ 8 a 550 µA @ 100 V -55°C〜175°C 8a -
SS10P4C-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4C-M3/87A 0.3884
RFQ
ECAD 7910 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SS10P4 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 5a 530 mV @ 5 a 550 µA @ 40 V -55°C〜150°C
43CTQ100S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 43CTQ100S -
RFQ
ECAD 3762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 43ctq ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 20a 810 mv @ 20 a 1 MA @ 100 V -55°C〜175°C
MMSZ5243B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5243B-E3-18 0.0360
RFQ
ECAD 5330 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5243 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 500 NA @ 9.9 v 13 v 13オーム
TZS4703-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4703-GS08 0.0411
RFQ
ECAD 5378 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント TZS4703 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 100 MA 50 Na @ 12.1 v 16 v
SBLB1640CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division sblb1640cthe3_b/p 0.8745
RFQ
ECAD 4506 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 SBLB1640 ショットキー TO-263AB ダウンロード 影響を受けていない 112-sblb1640cthe3_b/p ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 8a 550 mv @ 8 a 500 µA @ 40 V -40°C〜125°C
V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120S-E3/4W 1.2500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 V20120 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 120 v 1.12 V @ 20 a 300 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
VS-25CTQ035STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25CTQ035STRR-M3 0.8993
RFQ
ECAD 2410 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 25CTQ035 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 15a 560 mV @ 15 a 1.75 mA @ 35 v -55°C〜150°C
BZW03D33-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D33-TAP -
RFQ
ECAD 3943 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZW03 テープ&ボックス( TB) 廃止 ±10% -65°C〜175°C 穴を通して SOD-64 、軸 BZW03 1.85 w SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 a 2 µA @ 23.5 v 33 v 10オーム
VS-15ETX06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETX06-M3 1.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 15ETX06 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 3.2 V @ 15 a 32 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
SB140-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB140-E3/54 0.4200
RFQ
ECAD 58 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 SB140 ショットキー do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,500 高速回復= <500ns 40 v 480 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 1a -
1N5225C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5225Cタップ 0.0339
RFQ
ECAD 3578 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&ボックス( TB) アクティブ ±2% 175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5225 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 mA 50 µA @ 1 V 3 v 29オーム
FES8JTL-7002HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8JTL-7002HE3/45 -
RFQ
ECAD 6119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 FES8 - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50
VS-8EWF02STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF02STRL-M3 2.0160
RFQ
ECAD 4561 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 8ewf02 標準 d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS8EWF02STRLM3 ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 1.2 V @ 8 a 200 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 8a -
EGP51G-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP51G-E3/c 1.6700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 EGP51 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,400 高速回復= <500ns 400 V 1.25 V @ 5 a 50 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 5a 48pf @ 4V、1MHz
B360A-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B360A-M3/61T 0.4300
RFQ
ECAD 822 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA B360 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 高速回復= <500ns 60 V 720 mV @ 3 a 200 µA @ 60 V -55°C〜150°C 3a 145pf @ 4V、1MHz
BA158-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA158-E3/54 0.3400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BA158 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,500 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 1 a 250 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜125°C 1a 12pf @ 4V、1MHz
12CWQ03FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CWQ03FN -
RFQ
ECAD 2887 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント to-252-3 12cwq ショットキー d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 75 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 6a 470 mV @ 6 a 3 ma @ 30 v -55°C〜150°C
SMZJ3789BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3789bhm3_a/h -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ3789 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 750 50 µA @ 7.6 v 10 v 5オーム
BAS281-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS281-GS18 0.0550
RFQ
ECAD 8571 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-80バリアント BAS281 ショットキー SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 40 v 1 V @ 15 mA 200 Na @ 200 V 125°C (最大) 30ma 1.6pf @ 1V、1MHz
LS4154GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS4154GS08 0.0254
RFQ
ECAD 6185 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-80バリアント LS4154 標準 SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 12,500 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 25 v 1 V @ 30 mA 4 ns 100 Na @ 25 V 175°C (最大) 150ma 4PF @ 0V、1MHz
BAT46-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT46-TAP 0.4300
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 カットテープ(CT) アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BAT46 ショットキー do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 100 V 1 V @ 250 Ma 5 µA @ 75 V 125°C (最大) 150ma 6PF @ 1V 、1MHz
RS1PJHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs1pjhe3/85a -
RFQ
ECAD 1200 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-220AA RS1 標準 DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 1 a 250 ns 1 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 9pf @ 4V、1MHz
VS-61CTQ035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-61CTQ035PBF -
RFQ
ECAD 3792 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-3 61CTQ035 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS61CTQ035PBF ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 35 v 30a 610 mv @ 30 a 1 MA @ 35 v -65°C〜175°C
VS-HFA30PA60CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA30PA60CPBF -
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 HFA30 標準 TO-247AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 15a 1.7 V @ 15 a 60 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
VS-70HF120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HF120 14.4500
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 70HF120 標準 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 1200 v 1.35 V @ 220 a 9 mA @ 1200 v -65°C〜150°C 70a -
VS-40HFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFR80 9.1600
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203ab、do-5 、スタッド 40HFR80 標準、逆極性 do-203ab(do-5) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 800 V 1.3 V @ 125 a 9 mA @ 800 v -65°C〜190°C 40a -
RGP02-14E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-14E-M3/73 -
RFQ
ECAD 9772 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 RGP02 標準 do-204al(do-41) - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1400 v 1.8 V @ 100 MA 300 ns 5 µA @ 1400 v -65°C〜175°C 500mA -
SF5401-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5401-TAP 0.5445
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&ボックス( TB) アクティブ 穴を通して SOD-64 、軸 SF5401 標準 SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 12,500 高速回復= <500ns 100 V 1.1 V @ 1 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜175°C 3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫