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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
V30D60C-M3/i	2.6600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V30D60	ショットキー		SMPD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	700 mV @ 15 a		1.2 mA @ 60 v	-40°C〜150°C
VS-ETU3006FP-M3R	-	RFQ	3574	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ					ETU3006				ダウンロード			影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	1,000
BZX84C47-E3-08	0.2300	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C47		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000								50 Na @ 32.9 v				47 v	170オーム
VS-62CTQ030-M3	2.7600	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	62CTQ030	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	30a	600 mV @ 60 a		2.5 mA @ 30 v	-65°C〜150°C
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VS-80CPQ150PBF	-	RFQ	6276	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	80CPQ15	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	40a	860 mV @ 40 a		200 µA @ 150 V	-55°C〜175°C
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VS-12FL60S02	8.0100	RFQ	9418	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	12fl60	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		600 V		1.4 V @ 12 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	12a	-
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TZM5231F-GS08	-	RFQ	7748	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5231		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		ear99	8541.10.0050	2,500						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V				5.1 v	1600オーム
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VS-6EWL06FNTR-M3	0.8900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6EWL06	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		600 V		1.25 V @ 6 a	154 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	6a	-
GP10-4003E-E3/73	-	RFQ	9201	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		200 v					-	1a	-
MBR10H90-E3/45	-	RFQ	8860	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR10	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		90 v		770 mV @ 10 a		4.5 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	10a	-
VS-32CTQ030STRLPBF	-	RFQ	2676	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	32CTQ030	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	490 mV @ 15 a		1.75 mA @ 30 V	-55°C〜150°C
BZD27C3V6P-M3-08	0.4700	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C3V6		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				3.6 v	8オーム
TZX13C-TR	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX13		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 10 V				13 v	35オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²