画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SB15H45-E3/54 | - | ![]() | 7335 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | SB15H45 | ショットキー | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 480 mV @ 5 a | 300 µA @ 45 V | 200°C (最大) | 7a | 1020pf @ 4V 、1MHz | ||||||||||
![]() | BYV32-50-E3/45 | 0.8197 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||
![]() | VS-6CWQ04FNTRL-M3 | 0.3363 | ![]() | 5126 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 6CWQ04 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS6CWQ04FNTRLM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 3.5a | 530 mv @ 3 a | 2 MA @ 40 V | 150°C (最大) | |||||||||
![]() | MBRB2535CTTRR | - | ![]() | 9945 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB25 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 15a | 820 mV @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-6FLR20S02 | 5.5151 | ![]() | 9943 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 6FLR20 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.4 V @ 6 a | 200 ns | 50 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 6a | - | |||||||||
![]() | plz39a-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ39 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 30 V | 39 v | 85オーム | |||||||||||
![]() | TZMC5V6-M-18 | 0.0324 | ![]() | 5551 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC5V6 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||
![]() | 12CTQ035STRR | - | ![]() | 6836 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 12ctq | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 6a | 600 mV @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | VX60M60PW-M3/p | 2.8400 | ![]() | 2035 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | VX60M | ショットキー | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-VX60M60PW-M3/p | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 30a | 630 mV @ 30 a | 650 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | ||||||||||
![]() | SSB43L-M3/52T | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SSB43 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 30 V | 450 mV @ 4 a | 600 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||
![]() | GI828-E3/54 | - | ![]() | 9918 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | P600 、軸 | GI828 | 標準 | P600 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.1 V @ 5 a | 200 ns | 10 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 5a | 300pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | s1bhe3_a/i | 0.0641 | ![]() | 1730 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1B | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-20CTH03-M3 | 1.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 20cth03 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | VS-MURB820TRR-M3 | 0.4145 | ![]() | 2742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | murb820 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 200 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||
![]() | VS-SD453N25S20PC | - | ![]() | 2640 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | B-8 | SD453 | 標準 | B-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 標準回復> 500ns | 2500 V | 2.2 V @ 1500 a | 2 µs | 50 mA @ 2500 v | -40°C〜150°C | 400a | - | |||||||||
BZX84C6V2-HE3_A-18 | 0.0498 | ![]() | 1564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84C6V2-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZT52C24-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C24 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 28オーム | ||||||||||||
![]() | UB10BCT-E3/4W | - | ![]() | 7596 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UB10 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||
GP30GHE3/54 | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | GP30 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 3 a | 5 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | GP10-4005HM3/54 | - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 500 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-HFA90NH40PBF | 24.4610 | ![]() | 4157 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-67ハーフパック | HFA90 | 標準 | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.67 V @ 180 a | 140 ns | 2 MA @ 400 v | -55°C〜150°C | 210a | - | |||||||||
![]() | BYT77-TR | 0.5247 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BYT77 | 雪崩 | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.2 V @ 3 a | 250 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
![]() | VS-15eth03S-M3 | 1.1900 | ![]() | 9163 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 15eth03 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.25 V @ 15 a | 40 ns | 40 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||
![]() | BYT51B-TAP | 0.2475 | ![]() | 2884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BYT51 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 4 µs | 1 µA @ 100 V | -55°C〜175°C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | VS-25CTQ045SLHM3 | - | ![]() | 5103 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | vs-25c | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-25CTQ045SLHM3TR | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 30a | 710 mv @ 30 a | 1.75 mA @ 45 v | -55°C〜150°C | |||||||||
BZX584C22-HG3-08 | 0.0532 | ![]() | 2622 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX584C | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 20オーム | |||||||||||||
![]() | SSA24HE3/61T | - | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SSA24 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 40 v | 490 mV @ 2 a | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | SS34HE3_B/i | 0.6600 | ![]() | 2051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SS34 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | 1N5263B-T | - | ![]() | 5290 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5263 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1N5263B-TGI | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 43 v | 56 v | 1300オーム | |||||||||||
![]() | VS-15TQ060STRL-M3 | 1.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 15TQ060 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 620 mv @ 15 a | 800 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 15a | 720pf @ 5V、1MHz |
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