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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	現在 -マックス	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
VSKJ320-04	-	RFQ	9479	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKJ320	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns		1ペア共通アノード	400 V	320A			50 mA @ 400 v
S1MHE3/61T	-	RFQ	7533	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1M	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		標準回復> 500ns			1000 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	-
DZ23C4V7-HE3-18	0.0436	RFQ	3306	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード														4.7 v	78オーム
BZD17C110P-E3-08	0.1597	RFQ	7176	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-219AB	BZD17C110		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000							1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 82 v						110 v
MMSZ5266B-G3-18	0.0409	RFQ	6548	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5266		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									100 Na @ 52 v						68 v	230オーム
MMBZ5246B-E3-08	-	RFQ	6125	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5246		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000									100 na @ 12 v						16 v	17オーム
VS-30WQ04FN-M3	0.6600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	to-252-3	30WQ04	ショットキー		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75		高速回復= <500ns			40 v		530 mv @ 3 a		2 MA @ 40 V	-40°C〜150°C	3.5a	189pf @ 5V、1MHz
SS2FN6HM3/h	0.3900	RFQ	13	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS2FN6	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns			60 V		600 mV @ 2 a		900 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	100pf @ 4V、1MHz
30HFU-600	-	RFQ	4574	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	30HFU	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns			600 V		1.45 V @ 30 a	80 ns	35 µA @ 600 v	-40°C〜125°C	30a	-
VSSA210-E3/5AT	0.4700	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SA210	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns			100 V		700 mV @ 2 a		150 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	1.7a	175pf @ 4V、1MHz
BZT52C75-HE3-08	0.0378	RFQ	6646	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C75		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000															75 v	250オーム
bzx55b9v1-tap	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B9V1		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 6.8 v						9.1 v	10オーム
VS-40HFR160M	15.8598	RFQ	5372	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HFR160	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS40HFR160M	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns			1600 v		1.5 V @ 125 a			-65°C〜160°C	40a	-
BZD27C5V6P-M3-08	0.4500	RFQ	7965	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C5V6		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000							1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						5.6 v	4オーム
FEPF16BT-E3/45	-	RFQ	2444	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	FEPF16	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	100 V	8a	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
V10P10HM3_A/i	0.8500	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V10P10	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns			100 V		680 mV @ 10 a		150 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	10a	-
by127mgphe3/54	-	RFQ	6043	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	by127	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000		標準回復> 500ns			1250 v		1.5 V @ 5 a	2 µs	5 µA @ 1250 v	-65°C〜175°C	1.75a	-
v6km120duhm3/i	0.2995	RFQ	1725	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	V6KM120	ショットキー		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,000		高速回復= <500ns		2独立	120 v	3a	820 mV @ 3 a		300 µA @ 120 V	-40°C〜175°C
BZT52B9V1-HE3-08	0.0436	RFQ	5192	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B9V1		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000									100 Na @ 7 V						9.1 v	4.8オーム
vs-80cnq035apbf	-	RFQ	4844	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-61-8	80CNQ035	ショットキー		D-61-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	200		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	35 v	40a	520 mV @ 40 a		5 ma @ 35 v	-55°C〜150°C
BA783S-G3-08	-	RFQ	7195	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止		125°C （TJ）		SC-76、SOD-323	BA783			SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000			100 Ma									1.2pf @ 3V、1MHz	標準 -シングル	35V			1.2OHM @ 3MA、1GHz
Z4KE100A-E3/54	0.4300	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE100		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,500							1 V @ 500 MA		500 NA @ 76 v						100 V	500オーム
MMBZ4700-G3-18	-	RFQ	6775	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4700		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000									50 Na @ 9.8 v						13 v
ES3D/7T	-	RFQ	5221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns			200 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
VS-30CTQ060S-M3	1.7000	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	30CTQ060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		1ペア共通カソード	60 V	15a	620 mv @ 15 a		800 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
VS-160MT120KPBF	87.2700	RFQ	7997	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	mt-kモジュール	160MT120	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS160MT120KPBF	ear99	8541.10.0080	15											160 a		3フェーズ	1.2 kv
BYX82TR	0.2475	RFQ	5401	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	BYX82	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000		標準回復> 500ns			200 v		1 V @ 1 a	4 µs	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	20pf @ 4V、1MHz
VS-10BQ015-M3/5BT	0.4000	RFQ	104	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	10BQ015	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns			15 V		390 mV @ 2 a		500 µA @ 15 V	-55°C〜125°C	1a	390pf @ 5V、1MHz
GI826-E3/54	-	RFQ	8466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	P600 、軸	GI826	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns			600 V		1.1 V @ 5 a	200 ns	10 µA @ 600 V	-50°C〜150°C	5a	300pf @ 4V、1MHz
PTV12B-M3/84A	0.1223	RFQ	7194	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV12		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 9 V						12.8 v	8オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²