画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | plz3v6a-g3/h | 0.2800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3.36% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-219AC | plz3v6 | 960 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.58 v | 60オーム | |||||||||||
![]() | VS-80-7604 | - | ![]() | 1297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | 80-7604 | - | 112-VS-80-7604 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-ETL1506-1-M3 | 0.7542 | ![]() | 2256 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | ETL1506 | 標準 | TO-262-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSETL15061M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.07 V @ 15 a | 210 ns | 15 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||||||
MPG06AHE3/54 | - | ![]() | 7396 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | mpg06 、軸 | MPG06 | 標準 | MPG06 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 600 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-T110HF120 | 37.7800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | D-55 Tモジュール | T110 | 標準 | D-55 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 20 mA @ 1200 v | 110a | - | ||||||||||||
VS-307UA200 | - | ![]() | 4322 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | do-205ab、do-9 、スタッド | 307UA200 | 標準 | do-205ab(do-9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS307UA200 | ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 標準回復> 500ns | 2000 v | 1.46 V @ 942 a | -40°C〜180°C | 330A | - | |||||||||||
![]() | MBRF1050-E3/45 | - | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | MBRF1050 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 800 mV @ 10 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | VS-15CTQ045STRRPBF | - | ![]() | 2940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 15CTQ045 | ショットキー | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 700 mV @ 15 a | 800 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
GI1402-E3/45 | 0.5298 | ![]() | 9175 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | GI1402 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VS-75EPU12LHN3 | 3.6952 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 75EPU12 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.55 V @ 75 a | 265 ns | 420 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 75a | - | |||||||||||
200HFR40PV | - | ![]() | 1915年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | スタッドマウント | DO-205AC 、DO-30 、スタッド | 200HFR40 | 標準 | DO-205AC (DO-30) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *200HFR40PV | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.45 V @ 628 a | 15 mA @ 400 v | -40°C〜180°C | 200a | - | ||||||||||
![]() | v20pwm10chm3/i | 1.1500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | V20PWM10 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 820 mv @ 10 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | ||||||||||
![]() | EGL34D/1 | - | ![]() | 1192 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | EGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | SS1FL4-M3/h | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS1FL4 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 mV @ 1 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 1a | 115pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | GPP20K-E3/54 | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | gpp20 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | GP08G-E3/54 | 0.1780 | ![]() | 6288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP08 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 800mA | - | |||||||||
![]() | B360A-E3/61T | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B360 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 60 V | 720 mV @ 3 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 3a | 145pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-6F10 | 5.2510 | ![]() | 2429 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 6F10 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 19 a | 12 ma @ 100 v | -65°C〜175°C | 6a | - | ||||||||||
![]() | plz11c-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ11 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 8 V | 11 v | 10オーム | |||||||||||
![]() | V2P22LHM3/i | 0.1178 | ![]() | 7682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | V2P22 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V2P22LHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 760 mV @ 1 a | 40 µA @ 200 v | -40°C〜175°C | 1.6a | 90pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-50WQ03FNTRLPBF | - | ![]() | 4194 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | to-252-3 | 50WQ03 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 460 mV @ 5 a | 3 ma @ 30 v | -40°C〜150°C | 5.5a | 590pf @ 5V、1MHz | ||||||||||
![]() | bav19ws-e3-18 | 0.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | bav19 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.25 V @ 200 mA | 50 ns | 100 Na @ 100 V | 150°C (最大) | 250ma | 1.5pf @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | egl41bhe3_a/i | - | ![]() | 6688 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | EGL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | 影響を受けていない | egl41bhe3_b/i | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-6CSH01-M3/86A | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 6CSH01 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 3a | 940 mV @ 3 a | 20 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | vs-e4ph6006l-n-s1 | - | ![]() | 4995 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | E4PH60 | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-E4PH6006L-N-S1 | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | - | - | - | - | ||||||||||||||||
MMBZ5227B-E3-18 | - | ![]() | 5047 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5227 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24オーム | |||||||||||||
![]() | SS8P2CLHM3/86A | - | ![]() | 2641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS8P2 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 4a | 540 mV @ 4 a | 300 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-30WQ06FNTRL-M3 | 0.2721 | ![]() | 2177 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 30WQ06 | ショットキー | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS30WQ06FNTRLM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 610 mv @ 3 a | 2 ma @ 60 v | -40°C〜150°C | 3.5a | 145pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-20CTQ045STRL-M3 | 0.9149 | ![]() | 3009 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 20CTQ045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 10a | 640 mV @ 10 a | 2 MA @ 45 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | VF30100C-M3/4W | 0.7570 | ![]() | 4040 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | VF30100 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 800 mV @ 15 a | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C |
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