画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBZ5262C-G3-18 | - | ![]() | 2314 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5262 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム | ||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5259B-HE3_A-18 | - | ![]() | 8179 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5259B-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 30 V | 39 v | 80オーム | |||||||||||||||||||
![]() | V2FM12-M3/i | 0.0759 | ![]() | 5875 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | V2FM12 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 120 v | 960 mV @ 2 a | 65 µA @ 120 v | -40°C〜175°C | 2a | 130pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
MBR16H50HE3/45 | - | ![]() | 4051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | MBR16 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 730 mv @ 16 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||||||||||||||
![]() | BA783-E3-18 | - | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | SOD-123 | BA783 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 Ma | 1.2pf @ 3V、1MHz | ピン -シングル | 35V | 1.2OHM @ 3MA、1GHz | ||||||||||||||||||
BY228GPHE3/54 | - | ![]() | 9318 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | BY228 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 標準回復> 500ns | 1500 v | 1.6 V @ 2.5 a | 20 µs | 5 µA @ 1500 V | -65°C〜150°C | 2.5a | 40pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | GIB1403-E3/81 | 0.7496 | ![]() | 1716 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GIB1403 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||||
![]() | VS-4EGU06-M3/5BT | 0.6600 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 4EGU06 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 4 a | 39 ns | 3 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 4a | - | ||||||||||||||
![]() | vs-20ets08strr-m3 | 1.2022 | ![]() | 3703 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 20ets08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.1 V @ 20 a | 100 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||||
VS-15TQ060-M3 | 1.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 15TQ060 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 820 mV @ 30 a | 800 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 15a | 720pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ5255B-G3-08 | 0.0409 | ![]() | 8601 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5255 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 21 V | 28 v | 44オーム | |||||||||||||||||
![]() | VS-160MT100KPBF | 87.2687 | ![]() | 3336 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C | シャーシマウント | mt-kモジュール | 160MT100 | 標準 | mt-k | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS160MT100KPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 130 a | 3フェーズ | 1 kV | |||||||||||||||||
![]() | TZM5250B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 9187 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5250 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-1N3212R | - | ![]() | 2862 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3212 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.5 V @ 15 a | 10 mA @ 400 v | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||||||||||||
![]() | VS-10BQ015PBF | - | ![]() | 9075 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 10BQ015 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 15 V | 350 mV @ 1 a | 500 µA @ 15 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | BZM55B30-TR3 | 0.0433 | ![]() | 2286 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B30 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 22 v | 30 V | 220オーム | ||||||||||||||||
![]() | MBRB16H45HE3_B/i | 0.7920 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB16 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 660 mV @ 16 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 16a | - | |||||||||||||||
![]() | BZX55C43-TR | 0.0292 | ![]() | 6964 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55C43 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 33 V | 43 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | VSKD270-16 | - | ![]() | 2779 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKD270 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペアシリーズ接続 | 1600 v | 270a | 50 mA @ 1600 v | |||||||||||||||||
![]() | BZX384C47-G3-08 | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C47 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | |||||||||||||||||
![]() | MBRB10H150CT1E3/45 | - | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB10 | ショットキー | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 770 mV @ 10 a | -65°C〜175°C | |||||||||||||||||
![]() | VS-E5TX2112S2L-M3 | 2.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt®g5 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.6 V @ 20 a | 115 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 20a | - | |||||||||||||||
![]() | VS-15ETX06SPBF | - | ![]() | 3834 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 15ETX06 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.2 V @ 15 a | 22 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | ||||||||||||||
![]() | 1N4246GP-E3/73 | - | ![]() | 9312 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4246 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.2 V @ 1 a | 1 µA @ 400 V | -65°C〜160°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||||
![]() | GF1JHE3/5CA | - | ![]() | 2443 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214BA | GF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||
![]() | MBR2035CTHE3/45 | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | MBR20 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 35 v | 10a | 650 mV @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | 20CTH03STRR | - | ![]() | 3307 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 20cth03 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||||
![]() | GF1A-E3/67A | 0.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214BA | GF1 | 標準 | do-214ba | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
![]() | S07J-GS18 | 0.4300 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | S07 | 標準 | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 700MA | 4PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||||
DZ23C3V6-HE3-08 | 0.0436 | ![]() | 4978 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-Q101 、DZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通カソード | 3.6 v | 95オーム |
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