RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SS29HE3/5BT	-	RFQ	4767	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS29	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		90 v		750 mv @ 1 a		30 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
EGP20G-E3/54	0.9100	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	EGP20	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000	高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 2 a	50 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	2a	45pf @ 4V、1MHz
GIB1402-E3/81	0.7496	RFQ	4607	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	GIB1402	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		100 V		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	8a	-
HFA04TB60STRR	-	RFQ	2756	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	HFA04	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		1.8 V @ 4 a	42 ns	3 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	4a	-
VS-HFA30PB120PBF	-	RFQ	6705	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	廃止			穴を通して	TO-247-2	HFA30	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns		1200 v		4.1 V @ 30 a	170 ns	40 µA @ 1200 v	-55°C〜150°C	30a	-
VSB1545-M3/54	-	RFQ	6353	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	P600 、軸	B1545	ショットキー		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		45 v		590 mV @ 15 a		800 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	15a	1290pf @ 4V、1MHz
fesb8gthe3_a/i	0.8910	RFQ	3485	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	FESB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	8a	-
1N5228B-TR	0.2300	RFQ	699	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5228		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3.9 v	23オーム
BZG05C56TR	-	RFQ	9936	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 43 v						56 v	2000年
225CMQ015	-	RFQ	1167	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	TO-244AB分離タブ	225cmq	ショットキー		to-244ab （分離）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*225CMQ015	ear99	8541.10.0080	30	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	15 V	110a	380 mV @ 110 a		40 mA @ 15 v	-55°C〜150°C
MSS1P3-E3/89A	-	RFQ	7062	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	MicroSMP	MSS1p3	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns		30 V		550 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	-
ss26she3_b/h。	0.3800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS26	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 2 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	-
VS-MBRB1635-M3	1.7100	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1635	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		35 v		630 mv @ 16 a		200 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	16a	1400pf @ 5V、1MHz
vs-90mt80kpbf	92.5100	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	mt-kモジュール	90MT80	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	15									90 a		3フェーズ	800 V
BY253GP-E3/54	-	RFQ	1177	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by253	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
ESH2PD-M3/84A	0.4600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	ESH2	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		200 v		980 mV @ 2 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
CS1D-E3/H	-	RFQ	2738	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	CS1	標準		do-214ac	-	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		200 v		1.12 V @ 1 a	1.5 µs	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
vssaf3m6-m3/h	0.4300	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF3M6	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	高速回復= <500ns		60 V		620 mv @ 3 a		300 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	3a	500pf @ 4V、1MHz
VS-30WQ06FNTRRHM3	0.8410	RFQ	5392	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	30WQ06	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS30WQ06FNTRRHM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		60 V		610 mv @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	3.5a	145pf @ 5V、1MHz
VS-SD300R20PC	97.3500	RFQ	3958	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	SD300	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		2000 v		1.83 V @ 1180 a		15 MA @ 2000 v	-40°C〜180°C	380a	-
ESH2PD-E3/84A	-	RFQ	6528	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	ESH2	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		200 v		980 mV @ 2 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
GDZ33B-HE3-18	0.0378	RFQ	9299	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ33		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 25 V						33 v	250オーム
VS-10MQ060HM3/5AT	0.4300	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	10MQ060	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		60 V		630 mV @ 1 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	1a	31pf @ 10V、1MHz
BZG03C15-M3-18	0.5000	RFQ	1470	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C15		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 11 v						15 V	10オーム
GLL4744A-E3/97	0.3168	RFQ	3310	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4744		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 11.4 v						15 V	14オーム
GSIB2540N-M3/45	2.2333	RFQ	8134	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB2540	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200							10 µA @ 400 V		25 a		単相	400 V
plz3v6b-g3/h	0.2800	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3.29％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz3v6		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 1 V						3.72 v	60オーム
GL41DHE3/97	-	RFQ	9973	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	GL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	GL41DHE3_A/I	ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
IRKE71/06A	-	RFQ	5584	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	add-a-pak	IRKE71	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		600 V				10 mA @ 600 v		80a	-
BZD27C15P-HE3-08	0.4200	RFQ	60	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27c	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 11 v						15 V	10オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²