SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
VS-MBRS130LTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS130LTRPBF -
RFQ
ECAD 5140 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント DO-214AA、SMB MBRS1 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 420 mv @ 1 a 1 mA @ 30 v -55°C〜125°C 1a -
VS-VSUD505CW60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSUD505CW60 54.6000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® アクティブ シャーシマウント TO-244AB 標準 TO-244 - ROHS3準拠 1 (無制限) 112-VS-VSUD505CW60 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 572a 1.355 V @ 250 a 179 ns 820 µA @ 600 v -40°C〜175°C
VS-MURB820TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB820TRL-M3 0.8500
RFQ
ECAD 525 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 murb820 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 200 v 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 8a -
VS-MBRB3030CTLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB30CTLPBF -
RFQ
ECAD 8205 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 MBRB30 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない vsmbrb3030ctlpbf ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 15a 470 mV @ 15 a 2 mA @ 30 v -55°C〜150°C
VS-249NQ150PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-249NQ150PBF 44.6200
RFQ
ECAD 6445 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント D-67ハーフパック 249NQ150 ショットキー D-67ハーフパック ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS249NQ150PBF ear99 8541.10.0080 20 高速回復= <500ns 150 v 1.21 V @ 240 a 6 MA @ 150 v -55°C〜175°C 240a 6000pf @ 5V、1MHz
VS-150KR10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150KR10A 28.5996
RFQ
ECAD 3221 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します シャーシ、スタッドマウント DO-205AA 150kr10 標準、逆極性 do-205aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 標準回復> 500ns 100 V 1.33 V @ 471 a 35 mA @ 100 V -40°C〜200°C 150a -
MSQ1PJ-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSQ1PJ-M3/h 1.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント MicroSMP MSQ1 標準 microSMP (DO-219AD) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,500 標準回復> 500ns 600 V 1.2 V @ 1 a 650 ns 1 µA @ 600 V -55°C〜175°C 1a 4PF @ 4V、1MHz
S2M-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2M-M3/52T 0.0888
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB S2M 標準 do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 750 標準回復> 500ns 1000 V 1.15 V @ 1.5 a 2 µs 1 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1.5a 16pf @ 4V、1MHz
VB20M120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20M120CHM3/i -
RFQ
ECAD 2285 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive 、AEC-Q101、TMBS® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 VB20M ショットキー TO-263AB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 120 v 10a 910 mv @ 10 a 700 µA @ 120 V -40°C〜150°C
BYW74TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw74tr 0.5346
RFQ
ECAD 5967 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して SOD-64 、軸 byw74 雪崩 SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 12,500 高速回復= <500ns 400 V 1.1 V @ 3 a 200 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜175°C 3a -
V20PW15HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20pw15hm3/i 0.5029
RFQ
ECAD 2128 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 V20PW15 ショットキー Slimdpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,500 高速回復= <500ns 150 v 1.47 V @ 20 a 250 µA @ 150 V -40°C〜150°C 20a 950pf @ 4V、1MHz
BZD27C24P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C24P-M3-08 0.4500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZD27-M テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27C24 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 18 V 24 v 15オーム
FEPB6BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB6BT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7113 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 FEPB6 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 6a 975 mV @ 3 a 35 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C
VB20120S-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20120S-E3/8W 0.8088
RFQ
ECAD 4296 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 VB20120 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 120 v 1.12 V @ 20 a 300 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
UGB18CCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugb18ccthe3_a/p -
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 UGB18 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 18a 1.1 V @ 9 a 30 ns 10 µA @ 150 v -65°C〜150°C
ES1CHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es1che3_a/h 0.3900
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA ES1 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 高速回復= <500ns 150 v 920 mv @ 1 a 25 ns 5 µA @ 150 v -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V、1MHz
RS2DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs2dhe3_a/h 0.1650
RFQ
ECAD 7952 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB RS2D 標準 do-214aa ダウンロード 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 750 高速回復= <500ns 200 v 1.3 V @ 1.5 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1.5a 20pf @ 4V、1MHz
VS-8TQ060-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ060-N3 -
RFQ
ECAD 7804 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 8TQ060 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS-8TQ060-N3GI ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 60 V 720 mV @ 8 a 50 µA @ 60 V -55°C〜175°C 8a -
VS-MURB820-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-murb820-1pbf -
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® チューブ sicで中止されました 穴を通して To-262-3 Long Leads murb820 標準 TO-262AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない vsmurb8201pbf ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 200 v 975 mV @ 8 a 20 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 8a -
VBT2060C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2060C-M3/8W 0.8443
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 VBT2060 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 10a 650 mV @ 10 a 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
SS26S-M3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26S-M3/5AT 0.0749
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA SS26 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 60 V 750 mV @ 2 a 200 µA @ 60 V -55°C〜150°C 2a -
VBT1060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1060C-E3/4W 0.4493
RFQ
ECAD 5935 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 VBT1060 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 5a 700 mV @ 5 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
SS5P9-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS5P9-E3/87A -
RFQ
ECAD 8864 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SS5P9 ショットキー TO-277A - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 90 v 880 mV @ 5 a 15 µA @ 90 V -55°C〜150°C 5a -
1N5247C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5247C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 2939 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&ボックス( TB) アクティブ ±2% 175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5247 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 13 V 17 v 19オーム
VS-6CWQ10FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ10FNTR-M3 0.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 6cwq10 ショットキー d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 3.5a 810 mv @ 3 a 1 MA @ 100 V -40°C〜150°C
GSIB6A60N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB6A60N-M3/45 -
RFQ
ECAD 9036 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip gsib-5s GSIB6 標準 GSIB-5S - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,200 1 V @ 3 a 10 µA @ 600 V 15 a 単相 600 V
VS-6CSH02-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CSH02-M3/87A 0.2701
RFQ
ECAD 6026 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN 6CSH02 標準 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 3a 940 mV @ 3 a 25 ns 2 µA @ 200 v -65°C〜175°C
VS-32CTQ025PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ025PBF -
RFQ
ECAD 4027 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-3 32CTQ025 ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 25 v 15a 490 mV @ 15 a 1.75 MA @ 25 V -55°C〜150°C
VS-1N1206A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1206A 6.0000
RFQ
ECAD 9225 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 1N1206 標準 do-203aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 標準回復> 500ns 600 V 1.35 V @ 12 a 1 MA @ 600 v -65°C〜200°C 12a -
BZD27B100P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B100P-HE3-18 0.1238
RFQ
ECAD 1839 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzd27b テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-219AB BZD27B100 800 MW do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 75 V 100 V 200オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫