RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
MMSZ5233B-G3-18	0.0409	RFQ	6385	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5233		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 3.5 v						6 v	7オーム
VS-SD1100C08L	103.5233	RFQ	8984	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-200aa、a-puk	SD1100	標準		b-43 、ホッケー puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns		800 V		1.31 V @ 1500 a		15 mA @ 800 v		1170a	-
VS-8TQ080GSTRRPBF	-	RFQ	5063	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	8TQ080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS8TQ080GSTRRPBF	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		80 v		720 mV @ 8 a		280 µA @ 80 V	-55°C〜175°C	8a	500pf @ 5V、1MHz
vssaf3m6-m3/i	0.1188	RFQ	8344	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF3M6	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	高速回復= <500ns		60 V		620 mv @ 3 a		300 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	3a	500pf @ 4V、1MHz
BY229B-400HE3/45	-	RFQ	3222	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	BY229	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		400 V		1.85 V @ 20 a	145 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	8a	-
PTV20B-E3/85A	-	RFQ	8488	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV20		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 15 V						21.2 v	14オーム
VS-30PEPH03-N3	6.2500	RFQ	405	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	30EPH03	標準		TO-247AC修正	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns		300 V		1.25 V @ 30 a	38 ns	60 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	30a	-
MMBZ4618-G3-08	-	RFQ	3908	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4618		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							1 µA @ 1 V						2.7 v	1500オーム
1N4933GP-M3/54	-	RFQ	4425	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4933	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		50 v		1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
seg10fghm3/i	0.4300	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 700 Ma	1.2 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	7.3pf @ 4V、1MHz
VS-SD703C25S20L	125.7600	RFQ	9444	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			クランプオン	do-200ab、b-puk	SD703	標準		do-200ab、b-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns		2500 V		2.2 V @ 1500 a	3 µs	50 mA @ 2500 v		700a	-
SA2D-M3/5AT	0.0717	RFQ	1255	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SA2	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 2 a	1.5 µs	3 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	11pf @ 4V、1MHz
RGP10K-E3/53	-	RFQ	5700	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
VBT3080C-E3/8W	1.5300	RFQ	9183	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT3080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	15a	820 mv @ 15 a		700 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
VS-5EWX06FNTRR-M3	0.3652	RFQ	6898	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	5EWX06	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS5EWX06FNTRRM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		2.9 V @ 5 a	18 ns	20 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	5a	-
FES8CT-5400HE3/45	-	RFQ	1569	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	FES8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		150 v		1.5 V @ 8 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C
V10P6-M3/86A	0.7600	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V10p6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		60 V		590 mV @ 10 a		1.9 mA @ 60 v	-40°C〜150°C	4.3a	-
VS-40CTQ045S-M3	2.1200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	40CTQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	20a	530 mv @ 20 a		3 MA @ 45 v	-55°C〜150°C
12TQ045STRL	-	RFQ	9008	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	12TQ045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		45 v		560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 45 v	-55°C〜150°C	15a	-
HFA140NH60	-	RFQ	8980	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	バルク	廃止			シャーシマウント	D-67ハーフパック	HFA140	標準		D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 140 a	140 ns	40 µA @ 600 V		140a	-
TY056S200S6OT	-	RFQ	6118	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	死ぬ	TY056	ショットキー		死ぬ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		1.2 V @ 3 a		60 µa @ 200 v	-40°C〜150°C
Vlz3v6b-gs08	-	RFQ	5590	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz3v6		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						3.72 v	60オーム
FESB16DT-E3/45	1.7400	RFQ	169	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	FESB16	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 16 a	35 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C	16a	175pf @ 4V、1MHz
VS-10CDU06HM3/i	1.6600	RFQ	3501	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	10CDU06	標準		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	5a	1.5 V @ 5 a	45 ns	3 µA @ 600 V	-55°C〜175°C
VS-80-7726	-	RFQ	3635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7726				-				112-VS-80-7726			1
SML4750AHE3_A/i	0.2063	RFQ	3330	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4750		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 20.6 v						27 v	35オーム
GBLA02-E3/45	0.6630	RFQ	1161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBLA02	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000					1.1 V @ 4 a		5 µA @ 200 V		3 a		単相	200 v
ESH2DHE3/52T	-	RFQ	2085	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	ESH2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		200 v		930 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	-
1N6479HE3/97	-	RFQ	5259	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	1N6479	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1n6479he3_a/i	ear99	8541.10.0080	5,000	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a		10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
MBRB7H50-E3/81	-	RFQ	2446	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB7	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		50 v		730 mv @ 7.5 a		50 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	7.5a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²