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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GP02-35HE3/54	-	RFQ	1734	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP02	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,500		標準回復> 500ns		3500 v		3 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 3500 V	-65°C〜175°C	250ma	-
RGP02-14EHE3/54	-	RFQ	8527	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP02	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,500		高速回復= <500ns		1400 v		1.8 V @ 100 MA	300 ns	5 µA @ 1400 v	-65°C〜175°C	500mA	-
SS25HE3/52T	-	RFQ	4591	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS25	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		50 v		700 mV @ 2 a		400 µA @ 50 V	-65°C〜125°C	2a	-
BY229-600HE3/45	-	RFQ	2346	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	BY229	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		1.85 V @ 20 a	145 ns	10 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	8a	-
vs-10ets10strlpbf	-	RFQ	9799	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	10ets10	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs10ets10strlpbf	ear99	8541.10.0080	800		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 10 a		500 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	10a	-
vs-25ets10strl-m3	1.2022	RFQ	9850	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	25ets10	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		標準回復> 500ns		1000 V		1.14 V @ 25 a		100 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	25a	-
VFT3045CBP-M3/4W	1.9400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VFT3045	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 MA @ 45 v	200°C （最大）
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SBLB1030HE3/45	-	RFQ	1901年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1030	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		30 V		600 mV @ 10 a		1 mA @ 30 v	-40°C〜125°C	10a	-
VS-1N3673A	6.7300	RFQ	5168	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3673	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1000 V		1.35 V @ 12 a		600 µA @ 1000 V	-65°C〜200°C	12a	-
VS-25F80	6.8300	RFQ	7894	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	25F80	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		800 V		1.3 V @ 78 a		12 mA @ 800 v	-65°C〜175°C	25a	-
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AZ23C30-HE3_A-08	-	RFQ	5378	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C30-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							50 Na @ 21 V				30 V	80オーム
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MBRB2560CTHE3/45	-	RFQ	3581	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB25	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	750 mV @ 15 a		1 MA @ 60 v	-65°C〜150°C
1N4944GPHE3/73	-	RFQ	5508	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4944	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
VS-41HFR100	8.9776	RFQ	6442	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	41HFR100	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1000 V		1.3 V @ 125 a		9 mA @ 1000 v	-65°C〜190°C	40a	-
UF4005-E3S/73	-	RFQ	3720	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF4005	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード		1 （無制限）		112-UF4005-E3S/73TR	ear99	8541.10.0080	6,000		高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	17pf @ 4V、1MHz
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V5NL63-M3/i	0.4400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn	V5NL63	ショットキー		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				14,000		高速回復= <500ns		60 V		580 mV @ 5 a		80 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	2.4a	840pf @ 4V、1MHz
TZM5225F-GS18	-	RFQ	6800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5225		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V				3 v	1600オーム
VS-15AWL06FNTRL-M3	0.6181	RFQ	3056	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	15AWL06	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS15AWL06FNTRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		600 V		1.05 V @ 15 a	120 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
VS-30CTH02FP-N3	1.6038	RFQ	1370	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	30cth02	標準		TO-220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS30CTH02FPN3	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	15a	1.05 V @ 15 a		10 µA @ 200 v	175°C （最大）
MMBD914-E3-18	0.2000	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	MMBD914	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		100 V		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C （最大）	200mA	4PF @ 0V、1MHz
VS-MBR3035WTPBF	-	RFQ	3573	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	MBR30	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	760 mV @ 30 a		1 MA @ 35 v	-65°C〜150°C
VS-ETU1506STRR-M3	0.7542	RFQ	5851	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	ETU1506	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsetu1506strrm3	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		600 V		1.07 V @ 15 a	210 ns	15 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
VB20100S-M3/4W	0.7209	RFQ	4545	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB20100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		100 V		900 mV @ 20 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	20a	-
byw84-tap	0.5346	RFQ	8064	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	byw84	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500		標準回復> 500ns		600 V		1 V @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²