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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-1N3672A	-	RFQ	2398	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3672	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		900 V		1.35 V @ 12 a		700 µA @ 900 V	-65°C〜200°C	12a	-
VF20150C-E3/4W	1.9500	RFQ	895	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VF20150	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	1.2 V @ 10 a		150 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
MBRB2060CTHE3_B/i	0.8250	RFQ	1896年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB2060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	800 mV @ 10 a		150 µA @ 60 V	-65°C〜150°C
bav20w-e3-08	0.2800	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	bav20	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns		150 v		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 150 V	150°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
VSKD250-20	-	RFQ	9642	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKD250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	2000 v	250a			50 mA @ 2000 v
1N5399GP-E3/73	0.6000	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	1N5399	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.4 V @ 1.5 a	2 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V、1MHz
uh3bhe3_a/h	0.2640	RFQ	7741	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	uh3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	高速回復= <500ns		100 V		1.05 V @ 3 a	40 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	3a	-
egf1dhe3_a/h	-	RFQ	3413	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準		do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
S1M-E3/61T	0.3700	RFQ	447	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1M	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
SS2P5-E3/84A	-	RFQ	4388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS2P5	ショットキー		DO-220AA	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		700 mV @ 2 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	80pf @ 4V、1MHz
plz24b-hg3_a/h	0.3600	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ24		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 19 v				23.19 v	35オーム
AR3PGHM3/86A	-	RFQ	2095	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		400 V		1.6 V @ 3 a	140 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1.8a	44pf @ 4V、1MHz
MBRB20H50CTHE3/45	-	RFQ	7049	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	10a	710 mv @ 10 a		100 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
FESB8BT-E3/45	0.6141	RFQ	3007	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	FESB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	8a	-
LS103C-GS18	0.0651	RFQ	5691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-80バリアント	LS103	ショットキー		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		20 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 10 V	125°C （最大）	-	50pf @ 0V、1MHz
vs-95-4685pbf	-	RFQ	6807	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	50
112CNQ030A	-	RFQ	6270	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	D-61-8	112CNQ030	ショットキー		D-61-8	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*112CNQ030A	ear99	8541.10.0080	200	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	55a	490 mV @ 55 a		3.5 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
SL22-E3/5BT	0.2030	RFQ	1913年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SL22	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		20 v		440 mV @ 2 a		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	2a	-
vs-19tq015pbf	-	RFQ	9381	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	19tq015	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		15 V		360 mV @ 19 a		1.5 mA @ 15 v	-55°C〜125°C	19a	-
VS-MBRB1545CTPBF	-	RFQ	3652	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB15	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	840 mV @ 7.5 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
s1dhe3_a/h	0.4200	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1D	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
ugf10bcthe3_a/p	-	RFQ	8522	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	UGF10	標準		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	1.1 V @ 5 a	25 ns	10 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
US1BHE3_A/I	0.1195	RFQ	7985	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1b	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		100 V		1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
IRKC166/08	-	RFQ	4068	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	int-a-pak	IRKC166	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	800 V	165a			20 mA @ 800 v
se20ndhm3/i	0.4800	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn		標準		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	2a	12pf @ 4V、1MHz
byvb32-150he3_a/p	0.9405	RFQ	9908	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	byvb32	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 150 v	-65°C〜150°C
VS-65APF12LHM3	6.4600	RFQ	2278	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	65apf12	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns		1200 v		1.42 V @ 65 a	480 ns	100 µA @ 1200 V	-40°C〜150°C	65a	-
VS-303CNQ100PBF	54.7800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB	303CNQ100	ショットキー		TO-244AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS303CNQ100PBF	ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	150a	1.09 V @ 300 a		4.5 mA @ 100 V	175°C （最大）
SS6PC-M3/87A	0.2242	RFQ	2603	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS6P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	3a	650 mv @ 3 a		200 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
20CTQ150	-	RFQ	3473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	20ctq	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	880 mV @ 10 a		25 µA @ 150 v	-55°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²