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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
50WQ03FN	-	RFQ	7792	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	50WQ03	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns		30 V		460 mV @ 5 a		3 ma @ 30 v	-40°C〜150°C	5.5a	-
VS-305U250P4	-	RFQ	8509	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	305U250	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS305U250P4	ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		2500 V		1.46 V @ 942 a			-40°C〜180°C	300a	-
VS-30ETH06STRL-M3	1.7000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	30eth06	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		2.6 V @ 30 a	35 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	30a	-
BAT42W-G3-18	0.0612	RFQ	3876	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	BAT42	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		650 mv @ 50 ma	5 ns	500 NA @ 25 V	125°C （最大）	200mA	7PF @ 1V、1MHz
v20pw15chm3/i	1.1700	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V20PW15	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	1.24 V @ 10 a		150 µA @ 150 V	-40°C〜150°C
VS-T40HF100	25.1890	RFQ	2707	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T40	標準		D-55	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		1000 V				15 mA @ 1000 v		40a	-
VS-HFA30TA60CS-M3	1.9300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	HFA30	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	15a	2 V @ 30 a	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
VS-MBR2545CT-M3	1.6800	RFQ	246	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	MBR2545	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	820 mV @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
VS-305URA200	-	RFQ	1924年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	305ura200	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS305URA200	ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		2000 v		1.46 V @ 942 a			-40°C〜180°C	300a	-
SS12P3LHM3_A/i	0.4534	RFQ	4529	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS12p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		30 V		560 mV @ 12 a		1 mA @ 20 v	-55°C〜150°C	12a	930pf @ 4V、1MHz
ESH2D-M3/5BT	0.1257	RFQ	3898	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ESH2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		200 v		930 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2a	30pf @ 4V、1MHz
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GP10GHE3/54	-	RFQ	1877	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-40HFR100	10.1800	RFQ	61	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	40HFR100	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1000 V		1.3 V @ 125 a		9 mA @ 1000 v	-65°C〜190°C	40a	-
VS-12FL10S02	4.5774	RFQ	9945	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	12fl10	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		100 V		1.4 V @ 12 a	200 ns	50 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	12a	-
TZMB5V1-GS08	0.3100	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZM	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMB5V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						5.1 v	60オーム
SML4759HE3/5A	-	RFQ	6940	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4759		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500							5 µA @ 47.1 v						62 v	125オーム
vs-4evh02-m3/i	0.6100	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	4EVH02	標準		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 4 a	25 ns	3 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	4a	-
MMBZ4624-E3-18	-	RFQ	2572	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4624		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							10 µA @ 3 V						4.7 v	1550オーム
BYT78-TR	1.1500	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	BYT78	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	高速回復= <500ns		1000 V		1.2 V @ 3 a	250 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜175°C	3a	-
SMZJ3788bhm3_a/i	-	RFQ	7483	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3788		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200							50 µA @ 7 V						9.1 v	4オーム
BZT52B24-E3-18	0.0415	RFQ	2840	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B24		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 18 V						24 v	70オーム
VS-26MB10A	8.9500	RFQ	7776	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	QC端子	4 平方、D-34	26MB10	標準		D-34	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20							10 µA @ 100 V		25 a		単相	100 V
1N4004E-E3/73	-	RFQ	5397	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4004	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
IRKE56/12a	-	RFQ	8252	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	add-a-pak	IRKE56	標準		Add-A-Pak®	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	標準回復> 500ns		1200 v				10 mA @ 1200 v		60a	-
M3060C-E3/4W	-	RFQ	7111	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	M3060	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	15a	720 mv @ 15 a		350 µA @ 60 V	-65°C〜150°C
v10pm6-m3/h	0.6600	RFQ	488	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v10pm6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		60 V		640 mV @ 10 a		800 µA @ 60 V	-40°C〜175°C	10a	1650pf @ 4V、1MHz
VS-T85HFL40S02	40.9080	RFQ	6993	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-55 Tモジュール	T85	標準		D-55	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10	高速回復= <500ns		400 V			200 ns	20 mA @ 400 v		85a	-
byg10j-m3/tr3	0.1485	RFQ	9166	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
BAW56-HE3-18	0.0303	RFQ	9148	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAW56	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns	1ペア共通アノード	70 v	250ma	1.25 V @ 150 MA	6 ns	2.5 MA @ 70 v	150°C （最大）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²