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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-85HF140	17.6800	RFQ	100	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	85HF140	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1400 v		1.4 V @ 267 a		4.5 mA @ 1400 v	-65°C〜150°C	85a	-
bym11-50-e3/97	0.1284	RFQ	5905	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
1N4751A-TR	0.3600	RFQ	40	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4751		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 22.8 v				30 V	40オーム
VBT3045C-M3/4W	1.2527	RFQ	5687	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT3045	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
1N4745A-T	-	RFQ	9749	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4745		1.3 w	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 12.2 v				16 v	700オーム
VS-16CTQ100GSPBF	-	RFQ	6628	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	16CTQ100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS16CTQ100GSPBF	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	8a	880 mV @ 16 a		280 µA @ 100 V	175°C （最大）
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UG1D-E3/54	0.3900	RFQ	926	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UG1	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	-
v20pwm12c-m3/i	0.9900	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	V20PWM12	ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	10a	920 mv @ 10 a		300 µA @ 120 V	-40°C〜175°C
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GLL4752A-E3/97	0.3168	RFQ	4151	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4752		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 25.1 v				33 v	45オーム
SL23HE3/5BT	-	RFQ	4720	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214AA、SMB	SL23	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		30 V		440 mV @ 2 a		400 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	2a	-
TZM5264F-GS18	-	RFQ	9737	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5264		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v				60 V	1400オーム
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BZT55C39-GS18	0.0283	RFQ	8136	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C39		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 30 V				39 v	90オーム
S3J-E3/57T	0.5300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3J	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850	標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
VS-20ETF02-M3	2.0048	RFQ	2472	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	20ETF02	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS20ETF02M3	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 20 a	60 ns	100 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	20a	-
BZT52B51-G3-18	0.0483	RFQ	9081	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B51		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 38 V				51 v	100オーム
BZD27C11P-M3-18	0.1500	RFQ	7531	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		4 µA @ 8.2 v				11 v	7オーム
VS-MBRB3030CTL-M3	1.1529	RFQ	6335	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB3030	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	470 mV @ 15 a		2 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
BZG03C270-M3-18	0.5000	RFQ	7341	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7.04％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C270		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 200 v				270 v	1000オーム
50WQ06FNTR	-	RFQ	3974	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	50WQ06	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		60 V		570 mV @ 5 a		3 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	5.5a	360pf @ 5V、1MHz
SB220-E3/73	-	RFQ	4329	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SB220	ショットキー		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns		20 v		500 mV @ 2 a		500 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	2a	-
TLZ39E-GS18	0.0335	RFQ	1608	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ39		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 35.5 v				39 v	85オーム
BZD27C130P-M-08	-	RFQ	8763	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C130		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 100 V				130 v	300オーム
VT1045CBP-M3/4W	0.6329	RFQ	7419	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	VT1045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	5a	580 mV @ 5 a		500 µA @ 45 V	200°C （最大）
SS1FL3-M3/h	0.4800	RFQ	28	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB	SS1FL3	ショットキー		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		30 V		480 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	130pf @ 4V、1MHz
S2J-M3/5BT	0.0888	RFQ	9783	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2J	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	標準回復> 500ns		600 V		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
BZG05C24-M3-18	0.1089	RFQ	1358	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.83％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C24		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 18 V				24 v	25オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²