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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZG05C12-HM3-18	0.1172	RFQ	3184	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.42％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C12		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 9.1 v				12 v	9オーム
byg10d-e3/tr3	0.3900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg10	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		200 v		1.15 V @ 1.5 a	4 µs	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1.5a	-
vs-30ctq045pbf	-	RFQ	7457	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	30CTQ045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	620 mv @ 15 a		2 MA @ 45 v	-55°C〜175°C
NS8KT-7000HE3/45	-	RFQ	7798	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	NS8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50	標準回復> 500ns		800 V		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
MBR1650-E3/45	-	RFQ	8046	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR16	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		50 v		750 mV @ 16 a		1 MA @ 50 V	-65°C〜150°C	16a	-
SE40PDHM3/86A	-	RFQ	1880	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SE40	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	標準回復> 500ns		200 v		1.05 V @ 2 a	2.2 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	2.4a	28pf @ 4V、1MHz
MBRF1045HE3/45	-	RFQ	7337	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF104	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	MBRF1045HE3_A/P	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
BZX84C9V1-HE3_A-08	0.0498	RFQ	3091	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84C9V1-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000							500 NA @ 6 V				9.1 v	15オーム
1N5227B-TAP	0.2300	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5227		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		15 µA @ 1 V				3.6 v	24オーム
MBRF1045HE3_A/P	0.7095	RFQ	6513	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF104	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-MBRF1045HE3_A/P	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		45 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	10a	-
MMSZ5253C-E3-08	0.3200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5253		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 19 v				25 v	35オーム
BZX84B30-G3-18	0.0389	RFQ	5175	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B30		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							50 Na @ 21 V				30 V	80オーム
VS-16FR120	8.3700	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	16FR120	標準、逆極性		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		1200 v		1.23 V @ 50 a		12 mA @ 1200 v	-65°C〜175°C	16a	-
30BQ040TR	-	RFQ	5078	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	30BQ040	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		40 v		530 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
RS2G-E3/5BT	0.4200	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	rs2g	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
VSKD600-12	-	RFQ	7436	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKD600	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	1200 v	600a	1.24 V @ 1800 a		50 mA @ 1200 v
VSKD250-08	-	RFQ	4607	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	VSKD250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2	標準回復> 500ns	1ペアシリーズ接続	800 V	250a			50 mA @ 800 v
UF5405-E3/73	-	RFQ	8296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	UF5405	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		500 V		1.7 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	3a	36pf @ 4V、1MHz
VS-HFA08SD60SPBF	-	RFQ	2095	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	HFA08	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	8a	-
VSD3913	-	RFQ	8197	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	VSD3913	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		400 V						30a	-
VS-MBRS130LTRPBF	-	RFQ	5140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	MBRS1	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		30 V		420 mv @ 1 a		1 mA @ 30 v	-55°C〜125°C	1a	-
VS-VSUD505CW60	54.6000	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	箱	アクティブ			シャーシマウント	TO-244AB		標準		TO-244	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-VS-VSUD505CW60	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	600 V	572a	1.355 V @ 250 a	179 ns	820 µA @ 600 v	-40°C〜175°C
VS-MURB820TRL-M3	0.8500	RFQ	525	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	murb820	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
vs-mur820pbf	-	RFQ	2550	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-2	MUR820	標準、逆極性		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
VS-MBRB30CTLPBF	-	RFQ	8205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB30	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmbrb3030ctlpbf	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	470 mV @ 15 a		2 mA @ 30 v	-55°C〜150°C
VS-249NQ150PBF	44.6200	RFQ	6445	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシマウント	D-67ハーフパック	249NQ150	ショットキー		D-67ハーフパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS249NQ150PBF	ear99	8541.10.0080	20	高速回復= <500ns		150 v		1.21 V @ 240 a		6 MA @ 150 v	-55°C〜175°C	240a	6000pf @ 5V、1MHz
VS-150KR10A	28.5996	RFQ	3221	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			シャーシ、スタッドマウント	DO-205AA	150kr10	標準、逆極性		do-205aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns		100 V		1.33 V @ 471 a		35 mA @ 100 V	-40°C〜200°C	150a	-
MSQ1PJ-M3/h	1.2800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	MSQ1	標準		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	標準回復> 500ns		600 V		1.2 V @ 1 a	650 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	1a	4PF @ 4V、1MHz
S2M-M3/52T	0.0888	RFQ	8661	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2M	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	標準回復> 500ns		1000 V		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
VB20M120CHM3/i	-	RFQ	2285	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	VB20M	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	120 v	10a	910 mv @ 10 a		700 µA @ 120 V	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²