画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ugf10bcthe3_a/p | - | ![]() | 8522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF10 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||
![]() | US1BHE3_A/I | 0.1195 | ![]() | 7985 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1b | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | IRKC166/08 | - | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | int-a-pak | IRKC166 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 165a | 20 mA @ 800 v | ||||||||||||
![]() | se20ndhm3/i | 0.4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-vdfn | 標準 | DFN3820A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 2a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | byvb32-150he3_a/p | 0.9405 | ![]() | 9908 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | |||||||||
![]() | VS-65APF12LHM3 | 6.4600 | ![]() | 2278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 65apf12 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.42 V @ 65 a | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 65a | - | |||||||||
![]() | VS-303CNQ100PBF | 54.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-244AB | 303CNQ100 | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS303CNQ100PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 150a | 1.09 V @ 300 a | 4.5 mA @ 100 V | 175°C (最大) | |||||||||
![]() | SS6PC-M3/87A | 0.2242 | ![]() | 2603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS6P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-8TQ080STRLHM3 | 1.0364 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 8TQ080 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 80 v | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 80 V | -55°C〜175°C | 8a | 500pf @ 5V、1MHz | ||||||||||
![]() | 20CTQ150 | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 20ctq | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 880 mV @ 10 a | 25 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | RGL41M-E3/97 | 0.1284 | ![]() | 8043 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | RGL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | TLZ27-GS08 | 0.0335 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ27 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 27 v | 45オーム | ||||||||||||
vs-8eth06-m3 | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 8eth06 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.4 V @ 8 a | 25 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VS-12FLR80S05 | 6.0189 | ![]() | 5650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 12FLR80 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.4 V @ 12 a | 500 ns | 50 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||||||
MMBZ4716-G3-08 | - | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4716 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 Na @ 29.6 v | 39 v | ||||||||||||||
![]() | BZG05C75-HE3-TR | - | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 135オーム | |||||||||||
![]() | SD101CW-E3-18 | 0.3300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | SD101 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 900 mV @ 15 Ma | 1 ns | 200 Na @ 30 V | -55°C〜125°C | 30ma | 2.2pf @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | RGP15M-E3/54 | 0.4400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | RGP15 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1.5 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1.5a | - | |||||||||
MMBZ4715-G3-08 | - | ![]() | 5823 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4715 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 Na @ 27.3 v | 36 v | ||||||||||||||
![]() | VS-UFL250CB60 | 19.9721 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | バルク | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | UFL250 | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSUFL250CB60 | ear99 | 8541.10.0080 | 160 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 130a | 1.44 V @ 100 a | 104 ns | 50 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | ||||||||
![]() | BZG03C240-HM3-18 | 0.1898 | ![]() | 4231 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG03C-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.83% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03C240 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 180 v | 240 v | 850オーム | |||||||||||
![]() | MMSZ5264C-E3-18 | 0.0433 | ![]() | 1095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5264 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 46 v | 60 V | 170オーム | ||||||||||||
![]() | 30cth02 | - | ![]() | 8656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 30cth | 標準 | TO-220-3 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *30cth02 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||
BZX84B5V1-HE3_A-08 | 0.0498 | ![]() | 5727 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-BZX84B5V1-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||||
![]() | byd33kgphe3/54 | - | ![]() | 7471 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | byd33 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 1 a | 300 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | vs-3eyh02-m3/i | 0.4100 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221AC、SMAフラットリード | 3YH02 | 標準 | Slimsmaw | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 3 a | 30 ns | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 3a | - | |||||||||
![]() | byg10mhe3_a/i | 0.1452 | ![]() | 5616 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | byg10 | 雪崩 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 1.5 a | 4 µs | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||||||||
MMBZ5254B-HE3-08 | - | ![]() | 6636 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5254 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 21 V | 27 v | 41オーム | |||||||||||||
![]() | BZD27B68P-M3-18 | 0.1050 | ![]() | 6221 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B68 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 51 v | 68 v | 80オーム | |||||||||||
![]() | V10K100C-M3/h | 0.7800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-powertdfn | ショットキー | フラットパック(5x6) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 3.9a | 690 mV @ 5 a | 400 µA @ 100 V | -40°C〜150°C |
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