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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-8TQ060-N3	-	RFQ	7804	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	8TQ060	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-8TQ060-N3GI	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		60 V		720 mV @ 8 a		50 µA @ 60 V	-55°C〜175°C	8a	-
vs-murb820-1pbf	-	RFQ	3538	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	murb820	標準		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vsmurb8201pbf	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 8 a	20 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	8a	-
VBT2060C-M3/8W	0.8443	RFQ	1466	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT2060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	10a	650 mV @ 10 a		850 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
SS26S-M3/5AT	0.0749	RFQ	9888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SS26	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 2 a		200 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	2a	-
VBT1060C-E3/4W	0.4493	RFQ	5935	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT1060	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	5a	700 mV @ 5 a		700 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
GP10QHE3/54	-	RFQ	2799	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		1200 v		1.2 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1200 v	-65°C〜150°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
SS5P9-E3/87A	-	RFQ	8864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS5P9	ショットキー		TO-277A	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		90 v		880 mV @ 5 a		15 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	5a	-
1N5247C-TAP	0.0288	RFQ	2939	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5247		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 13 V						17 v	19オーム
VS-6CWQ10FNTR-M3	0.8100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6cwq10	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	3.5a	810 mv @ 3 a		1 MA @ 100 V	-40°C〜150°C
GSIB6A60N-M3/45	-	RFQ	9036	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB6	標準		GSIB-5S	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200					1 V @ 3 a		10 µA @ 600 V		15 a		単相	600 V
VS-6CSH02-M3/87A	0.2701	RFQ	6026	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	6CSH02	標準		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	940 mV @ 3 a	25 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
VS-32CTQ025PBF	-	RFQ	4027	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	TO-220-3	32CTQ025	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	25 v	15a	490 mV @ 15 a		1.75 MA @ 25 V	-55°C〜150°C
VS-1N1206A	6.0000	RFQ	9225	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N1206	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	標準回復> 500ns		600 V		1.35 V @ 12 a		1 MA @ 600 v	-65°C〜200°C	12a	-
BZD27B100P-HE3-18	0.1238	RFQ	1839	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B100		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 75 V						100 V	200オーム
uh1bhe3/5at	-	RFQ	4781	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	uh1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		100 V		1.05 V @ 1 a	30 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	1a	-
BZX84C6V2-G3-08	0.2700	RFQ	6666	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C6V2		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							3 µA @ 4 V						6.2 v	10オーム
BZG03C120TR3	-	RFQ	8966	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG03C	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 91 v						120 v	250オーム
ES1PC-M3/85A	0.1594	RFQ	8289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	ES1	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		150 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
MBRB1660-E3/81	1.4600	RFQ	377	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1660	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 16 a		1 MA @ 60 v	-65°C〜150°C	16a	-
ugb18bcthe3_a/p	-	RFQ	2900	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB18	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	18a	1.1 V @ 9 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
MBRF15H45CT-E3/45	-	RFQ	5477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF15	ショットキー		ITO-220AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	7.5a	630 mv @ 7.5 a		50 µA @ 45 v	-65°C〜175°C
VS-8ETL06-1PBF	-	RFQ	2749	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	8etl06	標準		TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		600 V		1.05 V @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	8a	-
RMPG06JHE3/54	-	RFQ	8167	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	RMPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	1a	6.6pf @ 4V、1MHz
VS-SD300C04C	48.0967	RFQ	1111	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			クランプオン	do-200aa、a-puk	SD300	標準		do-200aa、a-puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		400 V		2.08 V @ 1500 a		15 mA @ 400 v		650A	-
ZM4742A-GS18	0.3900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZM4742		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 9.1 v						12 v	9オーム
VS-MBRB745TRL-M3	0.5595	RFQ	1163	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB745	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		45 v		570 mV @ 7.5 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C	7.5a	400pf @ 5v、1MHz
FEP16CTHE3/45	-	RFQ	3362	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	FEP16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	16a	950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 150 v	-55°C〜150°C
1N5627-TAP	1.0900	RFQ	24	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	1N5627	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,500	標準回復> 500ns		800 V		1 V @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
GI250-4-M3/73	-	RFQ	1270	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆ボックス（ TB）	廃止					GI250				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000
VS-113CNQ100ASLPBF	-	RFQ	2410	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	D-61-8-SL	113CNQ100	ショットキー		D-61-8-SL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS-113CNQ100ASLPBFGI	ear99	8541.10.0080	400	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	55a	1 V @ 110 a		1 MA @ 100 V	-55°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²