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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SD103N10S10PV	-	RFQ	2137	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	DO-205AC 、DO-30 、スタッド	SD103	標準		DO-205AC （DO-30）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	*SD103N10S10PV	ear99	8541.10.0080	25	標準回復> 500ns		1000 V		2.23 V @ 345 a	1 µs	35 mA @ 1000 v	-40°C〜125°C	110a	-
BZT52C47-HE3-18	0.0378	RFQ	1202	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C47		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 35 V				47 v	70オーム
V5NL63-M3/i	0.4400	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn	V5NL63	ショットキー		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				14,000	高速回復= <500ns		60 V		580 mV @ 5 a		80 µA @ 60 V	-40°C〜150°C	2.4a	840pf @ 4V、1MHz
TZM5225F-GS18	-	RFQ	6800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5225		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000					1.1 V @ 200 mA		50 µA @ 1 V				3 v	1600オーム
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VS-30CTH02FP-N3	1.6038	RFQ	1370	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3フルパック	30cth02	標準		TO-220フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS30CTH02FPN3	ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	15a	1.05 V @ 15 a		10 µA @ 200 v	175°C （最大）
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VS-MBR3035WTPBF	-	RFQ	3573	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	MBR30	ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	760 mV @ 30 a		1 MA @ 35 v	-65°C〜150°C
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byw84-tap	0.5346	RFQ	8064	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	byw84	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500	標準回復> 500ns		600 V		1 V @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
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bav20w-e3-08	0.2800	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	bav20	標準		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	高速回復= <500ns		150 v		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 150 V	150°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
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egf1dhe3_a/h	-	RFQ	3413	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準		do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠				ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
S1M-E3/61T	0.3700	RFQ	447	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1M	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
SS2P5-E3/84A	-	RFQ	4388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	SS2P5	ショットキー		DO-220AA	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		50 v		700 mV @ 2 a		100 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	80pf @ 4V、1MHz
plz24b-hg3_a/h	0.3600	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、PLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±3％	150°C	表面マウント	DO-219AC	PLZ24		500 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500					900 mV @ 10 Ma		200 Na @ 19 v				23.19 v	35オーム
AR3PGHM3/86A	-	RFQ	2095	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	AR3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		400 V		1.6 V @ 3 a	140 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1.8a	44pf @ 4V、1MHz
MBRB20H50CTHE3/45	-	RFQ	7049	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	10a	710 mv @ 10 a		100 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
FESB8BT-E3/45	0.6141	RFQ	3007	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	FESB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	8a	-
LS103C-GS18	0.0651	RFQ	5691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-80バリアント	LS103	ショットキー		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		20 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 10 V	125°C （最大）	-	50pf @ 0V、1MHz
vs-95-4685pbf	-	RFQ	6807	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	チューブ	廃止									-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	50
VS-10ETF12FP-M3	2.6700	RFQ	245	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	10etf12	標準		TO-220-2フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS10ETF12FPM3	ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		1200 v		1.33 V @ 10 a	310 ns	100 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	10a	-
S3M-E3/9AT	0.5300	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S3M	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500	標準回復> 500ns		1000 V		1.15 V @ 2.5 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	3a	60pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²