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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VSKE250-12	-	RFQ	7055	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			シャーシマウント	3-MAGN-A-PAK™	vske250	標準		Magn-A-Pak®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2		標準回復> 500ns		1200 v				50 mA @ 1200 v		250a	-
BZT52C43-HE3_A-18	0.0533	RFQ	8531	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C43-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 32 v				43 v	97オーム
LL101C-7	-	RFQ	9283	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL101	ショットキー		SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		40 v		390 mV @ 1 Ma	1 ns	200 Na @ 30 V	125°C （最大）	30ma	2.2pf @ 0V、1MHz
ZPY100-TR	-	RFQ	1056	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	ZPY100		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 NA @ 75 V				100 V	130オーム
AZ23C3V6-HE3_A-18	-	RFQ	6682	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C3V6-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							5 µA @ 1 V				3.6 v	90オーム
MBR735	-	RFQ	8542	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	MBR7	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 15 a		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
1N4001/54	-	RFQ	7818	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4001	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
SS8P4CHM3_A/i	0.2640	RFQ	1655	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	4a	580 mV @ 4 a		300 µA @ 30 V	-55°C〜150°C
VSKY10201406-G4-08	0.4600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	0502 （1406 メトリック）	VSKY10201406	ショットキー		CLP1406-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		20 v		450 mV @ 1 a		100 µA @ 20 V	150°C （最大）	1a	240pf @ 0V、1MHz
BZX84B6V2-G3-08	0.0389	RFQ	8195	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B6V2		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								3 µA @ 4 V				6.2 v	10オーム
CS2G-E3/i	0.3900	RFQ	310	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	CS2	標準		do-214aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		標準回復> 500ns		400 V		1.15 V @ 2 a	2.1 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.6a	12pf @ 4V、1MHz
nsb8athe3_b/p	0.6930	RFQ	6470	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	NSB8	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
VS-30CPF04PBF	-	RFQ	2340	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-247-3	30CPF04	標準		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500		高速回復= <500ns		400 V		1.41 V @ 30 a	160 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	30a	-
byg22bhm3_a/i	0.2251	RFQ	8357	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg22	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		100 V		1.1 V @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	2a	-
VS-1N3892	-	RFQ	5337	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	1N3892	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		高速回復= <500ns		300 V		1.4 V @ 12 a	300 ns	25 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	12a	-
RGP10A-E3/54	0.1822	RFQ	3738	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
s5mhe3_a/h。	0.5400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	S5m	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		標準回復> 500ns		1000 V		1.15 V @ 5 a	2.5 µs	10 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	5a	40pf @ 4V、1MHz
SD103CW-G3-08	0.0612	RFQ	5144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SD103	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	15,000		高速回復= <500ns		20 v		600 mV @ 200 mA	10 ns	5 µA @ 10 V	-55°C〜150°C	350ma	50pf @ 0V、1MHz
SBLB1030CTHE3/81	-	RFQ	7261	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1030	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	5a	550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-40°C〜125°C
FEP16GT-E3/45	1.5700	RFQ	981	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	FEP16	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	16a	1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C
AZ23B30-G3-18	0.0594	RFQ	3691	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B30		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 22.5 v				30 V	80オーム
VS-25CTQ035S-M3	0.8993	RFQ	9388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	25CTQ035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	15a	560 mV @ 15 a		1.75 mA @ 35 v	-55°C〜150°C
GI1402HE3/45	-	RFQ	4212	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	GI1402	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		100 V		975 mV @ 8 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	8a	-
VS-8EWS16STRL-M3	1.6338	RFQ	3529	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ews16	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8EWS16STRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		1600 v		1.1 V @ 8 a		50 µA @ 1600 v	-55°C〜150°C	8a	-
RGF1G-1HE3/67A	-	RFQ	5090	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214BA		標準		do-214ba	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		112-RGF1G-1HE3/67ATR	ear99	8541.10.0080	6,000		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V、1MHz
UGB18DCT-E3/45	-	RFQ	4228	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	UGB18	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	18a	1.1 V @ 9 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-65°C〜150°C
SS8P4C-M3/87A	0.6700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	4a	580 mV @ 4 a		300 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
vs-stps1l30upbf	-	RFQ	5302	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	STPS1L30	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		30 V		420 mv @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	200pf @ 5V、1MHz
GDZ16B-E3-18	0.0360	RFQ	5307	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ16		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 12 v				16 v	50オーム
BY255GP-E3/54	-	RFQ	3711	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by255	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		1300 v		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 1300 v	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²