画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AR3PGHM3/86A | - | ![]() | 2095 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | AR3 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.6 V @ 3 a | 140 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜175°C | 1.8a | 44pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | MBRB20H50CTHE3/45 | - | ![]() | 7049 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB20 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 10a | 710 mv @ 10 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | ||||||||||
![]() | FESB8BT-E3/45 | 0.6141 | ![]() | 3007 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | LS103C-GS18 | 0.0651 | ![]() | 5691 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-80バリアント | LS103 | ショットキー | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 20 v | 600 mV @ 200 mA | 10 ns | 5 µA @ 10 V | 125°C (最大) | - | 50pf @ 0V、1MHz | |||||||||
![]() | vs-95-4685pbf | - | ![]() | 6807 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | * | チューブ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 50 | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-10ETF12FP-M3 | 2.6700 | ![]() | 245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | 10etf12 | 標準 | TO-220-2フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS10ETF12FPM3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.33 V @ 10 a | 310 ns | 100 µA @ 1000 V | -40°C〜150°C | 10a | - | ||||||||
![]() | S3M-E3/9AT | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S3M | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.15 V @ 2.5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||
112CNQ030A | - | ![]() | 6270 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-61-8 | 112CNQ030 | ショットキー | D-61-8 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *112CNQ030A | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 55a | 490 mV @ 55 a | 3.5 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | SL22-E3/5BT | 0.2030 | ![]() | 1913年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SL22 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 20 v | 440 mV @ 2 a | 400 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 2a | - | ||||||||||
vs-19tq015pbf | - | ![]() | 9381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2 | 19tq015 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 15 V | 360 mV @ 19 a | 1.5 mA @ 15 v | -55°C〜125°C | 19a | - | |||||||||||
![]() | VS-MBRB1545CTPBF | - | ![]() | 3652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB15 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 7.5a | 840 mV @ 7.5 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||||||
![]() | s1dhe3_a/h | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1D | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | ugf10bcthe3_a/p | - | ![]() | 8522 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | UGF10 | 標準 | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 5a | 1.1 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||
![]() | US1BHE3_A/I | 0.1195 | ![]() | 7985 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1b | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1 V @ 1 a | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | IRKC166/08 | - | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | int-a-pak | IRKC166 | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 800 V | 165a | 20 mA @ 800 v | ||||||||||||
![]() | se20ndhm3/i | 0.4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 2-vdfn | 標準 | DFN3820A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 2 a | 1.2 µs | 5 µA @ 200 V | -55°C〜175°C | 2a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | byvb32-150he3_a/p | 0.9405 | ![]() | 9908 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byvb32 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 18a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | -65°C〜150°C | |||||||||
![]() | VS-65APF12LHM3 | 6.4600 | ![]() | 2278 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | 65apf12 | 標準 | to-247ad(to-3p) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 1.42 V @ 65 a | 480 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 65a | - | |||||||||
UF5404-E3/73 | 0.6100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | UF5404 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1 V @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-303CNQ100PBF | 54.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | TO-244AB | 303CNQ100 | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS303CNQ100PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 150a | 1.09 V @ 300 a | 4.5 mA @ 100 V | 175°C (最大) | |||||||||
![]() | SS6PC-M3/87A | 0.2242 | ![]() | 2603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS6P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 40 v | 3a | 650 mv @ 3 a | 200 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-8TQ080STRLHM3 | 1.0364 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 8TQ080 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 80 v | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 80 V | -55°C〜175°C | 8a | 500pf @ 5V、1MHz | ||||||||||
![]() | 20CTQ150 | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-3 | 20ctq | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 880 mV @ 10 a | 25 µA @ 150 v | -55°C〜175°C | ||||||||||
![]() | RGL41M-E3/97 | 0.1284 | ![]() | 8043 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | RGL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | TLZ27-GS08 | 0.0335 | ![]() | 3377 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ27 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 27 v | 45オーム | ||||||||||||
vs-8eth06-m3 | 0.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 8eth06 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.4 V @ 8 a | 25 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VS-12FLR80S05 | 6.0189 | ![]() | 5650 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 12FLR80 | 標準、逆極性 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.4 V @ 12 a | 500 ns | 50 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||||||||
MMBZ4716-G3-08 | - | ![]() | 3696 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4716 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 10 Na @ 29.6 v | 39 v | ||||||||||||||
![]() | BZG05C75-HE3-TR | - | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 56 v | 75 v | 135オーム | |||||||||||
![]() | SD101CW-E3-18 | 0.3300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | SD101 | ショットキー | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 40 v | 900 mV @ 15 Ma | 1 ns | 200 Na @ 30 V | -55°C〜125°C | 30ma | 2.2pf @ 0V、1MHz |
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