SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
AR3PGHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR3PGHM3/86A -
RFQ
ECAD 2095 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-277、3-POWERDFN AR3 雪崩 TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,500 高速回復= <500ns 400 V 1.6 V @ 3 a 140 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜175°C 1.8a 44pf @ 4V、1MHz
MBRB20H50CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H50CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 7049 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 MBRB20 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 10a 710 mv @ 10 a 100 µA @ 50 V -65°C〜175°C
FESB8BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8BT-E3/45 0.6141
RFQ
ECAD 3007 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 FESB8 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 100 V 950 mv @ 8 a 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 8a -
LS103C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS103C-GS18 0.0651
RFQ
ECAD 5691 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-80バリアント LS103 ショットキー SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 20 v 600 mV @ 200 mA 10 ns 5 µA @ 10 V 125°C (最大) - 50pf @ 0V、1MHz
VS-95-4685PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-95-4685pbf -
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * チューブ 廃止 - ROHS3準拠 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 50
VS-10ETF12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF12FP-M3 2.6700
RFQ
ECAD 245 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック 10etf12 標準 TO-220-2フルパック ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS10ETF12FPM3 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1200 v 1.33 V @ 10 a 310 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 10a -
S3M-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3M-E3/9AT 0.5300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc S3M 標準 do-214ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,500 標準回復> 500ns 1000 V 1.15 V @ 2.5 a 2.5 µs 10 µA @ 1000 v -55°C〜150°C 3a 60pf @ 4V、1MHz
112CNQ030A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 112CNQ030A -
RFQ
ECAD 6270 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 シャーシマウント D-61-8 112CNQ030 ショットキー D-61-8 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない *112CNQ030A ear99 8541.10.0080 200 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 55a 490 mV @ 55 a 3.5 mA @ 30 v -55°C〜150°C
SL22-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL22-E3/5BT 0.2030
RFQ
ECAD 1913年年 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB SL22 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,200 高速回復= <500ns 20 v 440 mV @ 2 a 400 µA @ 20 V -55°C〜125°C 2a -
VS-19TQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-19tq015pbf -
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク sicで中止されました 穴を通して TO-220-2 19tq015 ショットキー TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 15 V 360 mV @ 19 a 1.5 mA @ 15 v -55°C〜125°C 19a -
VS-MBRB1545CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1545CTPBF -
RFQ
ECAD 3652 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 MBRB15 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 7.5a 840 mV @ 7.5 a 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
S1DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1dhe3_a/h 0.4200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA S1D 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 1 a 1.8 µs 1 µA @ 200 v -55°C〜150°C 1a 12pf @ 4V、1MHz
UGF10BCTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf10bcthe3_a/p -
RFQ
ECAD 8522 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ UGF10 標準 ITO-220AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 5a 1.1 V @ 5 a 25 ns 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C
US1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1BHE3_A/I 0.1195
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA US1b 標準 do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 7,500 高速回復= <500ns 100 V 1 V @ 1 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
IRKC166/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKC166/08 -
RFQ
ECAD 4068 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 シャーシマウント int-a-pak IRKC166 標準 モジュール ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 800 V 165a 20 mA @ 800 v
SE20NDHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se20ndhm3/i 0.4800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント、濡れ可能な側面 2-vdfn 標準 DFN3820A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 14,000 標準回復> 500ns 200 v 1.1 V @ 2 a 1.2 µs 5 µA @ 200 V -55°C〜175°C 2a 12pf @ 4V、1MHz
BYVB32-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byvb32-150he3_a/p 0.9405
RFQ
ECAD 9908 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 byvb32 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 18a 1.15 V @ 20 a 25 ns 10 µA @ 150 v -65°C〜150°C
VS-65APF12LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-65APF12LHM3 6.4600
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ アクティブ 穴を通して to-3p-3、SC-65-3 65apf12 標準 to-247ad(to-3p) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 1200 v 1.42 V @ 65 a 480 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 65a -
UF5404-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF5404-E3/73 0.6100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - カットテープ(CT) アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 UF5404 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 400 V 1 V @ 3 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 3a 45pf @ 4V、1MHz
VS-303CNQ100PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-303CNQ100PBF 54.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシマウント TO-244AB 303CNQ100 ショットキー TO-244AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VS303CNQ100PBF ear99 8541.10.0080 10 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 150a 1.09 V @ 300 a 4.5 mA @ 100 V 175°C (最大)
SS6P4C-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS6PC-M3/87A 0.2242
RFQ
ECAD 2603 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-277、3-POWERDFN SS6P4 ショットキー TO-277A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 6,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 3a 650 mv @ 3 a 200 µA @ 40 V -55°C〜150°C
VS-8TQ080STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ080STRLHM3 1.0364
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 8TQ080 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 80 v 720 mV @ 8 a 550 µA @ 80 V -55°C〜175°C 8a 500pf @ 5V、1MHz
20CTQ150 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CTQ150 -
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-3 20ctq ショットキー TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 10a 880 mV @ 10 a 25 µA @ 150 v -55°C〜175°C
RGL41M-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41M-E3/97 0.1284
RFQ
ECAD 8043 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-213ab、メルフ(ガラス) RGL41 標準 DO-213AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 高速回復= <500ns 1000 V 1.3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
TLZ27-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ27-GS08 0.0335
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TLZ テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TLZ27 500 MW SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 mA 27 v 45オーム
VS-8ETH06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8eth06-m3 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 8eth06 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 2.4 V @ 8 a 25 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-12FLR80S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FLR80S05 6.0189
RFQ
ECAD 5650 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク アクティブ シャーシ、スタッドマウント do-203aa 12FLR80 標準、逆極性 do-203aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 100 高速回復= <500ns 800 V 1.4 V @ 12 a 500 ns 50 µA @ 800 V -65°C〜150°C 12a -
MMBZ4716-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4716-G3-08 -
RFQ
ECAD 3696 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4716 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 10 Na @ 29.6 v 39 v
BZG05C75-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C75-HE3-TR -
RFQ
ECAD 7586 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 AEC-Q101、BZG05C テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 56 v 75 v 135オーム
SD101CW-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD101CW-E3-18 0.3300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOD-123 SD101 ショットキー SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 40 v 900 mV @ 15 Ma 1 ns 200 Na @ 30 V -55°C〜125°C 30ma 2.2pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫